Множительное устройство

Множительное устройство

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

641461 ми полюсами 3 и 4. В плоскости рамки

1 укреплены основной 5 и дополнительный 6 магнитореэисторы. На полюсах 3 и 4 выполнено по два скоса 7 и 8, обраэуюших между собой в плоскости угол 5 в пределах 90-140 (фиг. 2), следовао тельно, их магнитные поля находятся под углом по отношению друг к другу, при этом оба магнитных поля однородны, 1О т.к. скошенные поверхности полюсов попарно-параллельны между собой. Магниторезисторы 5 и 6 электрически включены в смежные плечи резистивного моста

9, в другие плечи которого включены

15 резисторы 10 и 11. Одна из диагоналей моста подключена к выходу 12 уст ройства.

Магниторезисторы 5 и 6 расположе-: ны в одной плоскости, составляюшей в

20 начальном положении углы СС и д. с (фиг. 3, 4) с напраьпениями однородных магнитных полей.

Углы между магниторезисторами и магнитными полями выбраны такими, чтобы сопротивление магниторезисторов изменялось пропорционально магнитному полю. При номинальной индукции В-1Т в зазоре углы О,1 и d> должны состав.лять 20-70 .

Устройство работает следуюшим об» разом.

На выходы 13 и 14 резистивного моста и рамки, являюшихся входами уст, роиства подают сигналы .1 H Ug на- 35 выходе 12 получают сигнал Q „, прс порциональный произведению сйгналов

Ц и Ц . . При повороте рамки 1 вок2 руг продольной оси плошадь одного магнитореэистора, взаимодействуюшая с магнитным потоком, увеличивается, а другого уменьшается, что приводит, соответственно, к увеличению и уменьшению их сопротивления, т.к. изменение величины сопротивлений магнитореэист ров 5 и 6, - включенных в смежные пле» чи моста, происходит с противоположными знаками, чувствительность устройства возрастает вдвое, а нелинейная погрешность становится приблизительно на порядок меньше погрешности известного устройства.

Благодаря тому, что в устройстве магниторезисторы 5 и 6 находятся рядом друг с другом, в одной температурной зоне и в смежных плечах резистивного моста, устраняется температурная погрешность, свойственная мостовым схемам с одним магниторезистором.

Формула изобретения

Множительное устройство, содержашее расположенную между магнитными полюсами поворотную измерительную рамку с укрепленным н& ней магниторезис тором, который включен в одно из плеч резистивного моста, подключенного од1 ной из диагоналей к выходу устройства, а другой - к одному иэ входов устройства, отличающееся тем,. что, с целью повышения чувствительности и точности работы устройства, оно содержит дополнительный магниторезиотор, который включен в.смежное по отношению к основному магнитореэистору плечо резистивного моста, оба магниторезистора укреплены в плоскости поворотной измерительной рамки, которая подключена к другому входу устройства, и расположены симметрично относительно ее центра, магнитные полюса выполнены с двумя равнь-. 1и по высоте, попарно параллельными и симметрично расположенными относительно осей полюсов скосами на торцах, скосы образуют по отношению друг к другу угол в пределах

90-140 .

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе;

1. Богомолов В. Н, Устройства с да1 чиками Холла и датчиками магнитосопротивления М,-Л., Госэнергоиздат», 1961, с. 159.

2. Патент Ф РГ № 128 1554, .кл. 21е, 17/02, 1971.

631461 иг.

Б-б

1 9

Щ/г.

Фи8. g

Составитель А. Маслов

Редактор В. Лукин Техред М, Петко Корректор А. Гриценко

Заказ 7515/45 Тираж 773 П одпис ное

БНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4