Материал для изготовления фоторезисторов

Материал для изготовления фоторезисторов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Ссиез Соаетсиич

Сециааистичесиии

Республик

<"1642799 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 180877 (21) 2522593/23-04 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 1501.79. Бюллетень № 2

Дата опубликования описания 150179 (51) N. Кл.

Н 01 L 31/08

Государственный комитет

СССР йо делам изобретений и открытий (5З) УДК 621. 383. 4 (088 ° 8) П.Г. Рустамов, М.Г. Сафаров, P.Ô. Мех иев, С.A. Садыхова и В.Г. Сафаров "С Г 43Жq (72) Авторы изобретения

J т 4. !, ° г: -:.,, °:

Институт неорганической и физической химии

АН Азербайджанской ССР (71) Заявитель (54) МАТЕРИАЛ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

ФОТОРЕЗИСТОРОВ

99

0,016

0,634

Остальное jl) .

Изобретение относится к материалам для изготовления фоторезисторов, которые используются в радиоэлектронной промышленности.

Известен материал для изготовления фоторезисторов, чувствительный к инфракрасному и красному диапазонам спектра, включающий селенид кадмия, йод, медь и серу при следующем сост- ® ношении компонентов (по одному из примеров), вес.Ъ:

Cd se

Си

Недостатком известного материала является то, что фоторезисторы, изготовлениые из него, имеют узкую область спектральной чувствительности (0,68-1,12 мкм) и работают при высоких напряжениях порядка 400 B.

Целью изобретения является расшире-И ние области спектральной чувствительности фоторезисторов.

Цель достигается тем, что материал для изготовления фоторезисторов, чувствительный к инфракрасному и красно- 30 му диапазонам спектра, включающий селенид кадмия и йод, содержит указанные компоненты в следующих количествах, вес.Ъ:

Селенид кадмия 93,378-99,046 йод Остальное;

Фоторезисторы, изготовленные из предлагаемого материала, по сравнению с прототипом имеют более широкую область спектральной чувствительности (0,54-1,30 мкм), работают при напряжениях 0,5 В Н имеют номинальное значение чувствительности 8 10 лк (значения номинальной чувствительности фоторезисторов, изготовленных из материала-прототипа, в цитируемом патенте не указаны);

Пример. Предлагаемый материал получают сплавленном исходных компонентов (лигатуры Сс) Se и кристаллического йода), взятых в стехиометричаских соотношениях в вакуумированных до

10 мм рт.ст. кварцевых ампулах при

1250 С в течение 2 ч с последующей ,выдержкой при 300оС в течение 5 ч..

Тонкие слои для оптических измерений приготавливают путем холодного прессования под давлением 100 т/см . Об642799 раэцы s виде таблеток отжигают при ,200 С в течение 1 нед, после чего шлифуют go толщины l мм и полируют.

1,В К, мкА

/лм в Состав., вес.

Е, В фо — 400 3 10 0,5-0,б 7 1, 55

C(3S8 — 0,40-0,90 — 0,68-1,12

200 — 200

2 CQSa 98,371

Cv o 01.6

0,625

S 0,984 — 400

-1

1 10

99,046 8 10 0,0а

0,954

0,5 3,4 10 0,7700

0,50 3,6 10 0,7650

-1

1- 10

1,62 О, 143 б

0,50 0,8 10 о,7650

0,50 0,4 10 0,7800

Cd Se 95, 998

4,002

8 10 0 08

6,4 10 0,08

1.10

8 10

1,62 0,035

1,59 0,012 б Cd 93, 378 б, 622

Приготовленные таким образом образ-, цы (пп. 3, 4, 5, 6 таблицы) подвергают оптическим измерениям, результаты которых в сопоставлении с Cd u прототипом приводятся в таблице и на чертеже. Как видно из данных таблицы и чертежа исследуемые образцы чув36

Р ствительны в пределах длин волн

0,54-1,30 мкм при значительно более низких значениях рабочего напряжения и освещенности (0,5 В и 0,08 лм соответственно),чем у Сд $g и прототипа 40 у которых чувствительность-соответственно лежит в пределах 0,40-0,96 мкм

И 0,68-1,12 мкм при напряжении 400 В и освещенности 200 лм, т.е. предлагаемый материал экономически более выгоден, чем прототип.

Формула изобретения

Следует отметить, что максимальное значение интегральной чувствительности

Предлагаемого материала в области длин, волн 0,75-0,80 мкм колеблется в пределах 0,4 10 -3,6 10 мкА/лм В и Ь%

1,57-3,,62,,эВ, когда эти же значения

4 Сбба 98,658 8.10 0,08

1,342

Оптические параметры поликрнсталлнческнх образцов материалов на основе Cd Se представлены в таблице.

1,57 0,139 0,54-1,30 для Cd S6 соответственно равны 3 х .

10 мкА/лм В и 1, 55 зВ (у прототипа нет данных).

Наилучшие фоточувствительные свойства проявляет образец состава CdSe

98,658 вес.% + 1,342 вес. %.

Материал для изготовления фоторезисторов, чувствительный к инфракрасному и красному диапазонам спектра, включающий селенид кадмия и йод, о т л и ч а ю шийся, тем, что, с целью расширения области спектральной чувствительности фоторезисторов, материал содержит укаэанные компоненты в следующих количествах, вес.Ъ

Селенид кадмия 93,378-99,046

Йод Остальное.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:1. Патент США Р 3598760, кл. 252-501, 1971.

64? 799

Составитель А. Круглов

Редактор Т. Девятко Техред П.Андрейчук Корректор Т.Вашкович

Заказ 7772/51 Тираж УМ Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4