Способ увеличения оптической прочности кристалла

Способ увеличения оптической прочности кристалла

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 260777 (21) 2514591/18-25 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет

Государственный комитет

СССР по делам "наобретеннЯ и открытнЯ

Опубликовамо 150879. Бюллетень № З0

Дата опубликования описания 1508.79 (72} Авторы изобретения

Э. Л. Андроникашвили, И. М. Паперно, М. В. Галусташвили, Э. М. Бархударов и M. И. Тактакишвили (71) ЗаяВИтЕЛЬ Ордена Трудового Красного Знамеии институт физики

АН Грузинской ССР (54) СПОСОВ УВКЛИЧЫИЯ ОПТИЧКСКОИ ПРОЧНОСТИ

КРИСТАЛЛА

Изобретение относится к области квантовой электроники и может найти применение при разработке оптических систем лазеров.

В настоящее время щелочно-галоидные кристаллы, в частности NaCl, широко используются B качестве элементов оптической системы в СО - ла2. зерах. Однако наличие порога разрушения этих кристаллов в значительной степени ограничивают их применение в мощных СО - лазерах.

Известен способ увеличения порога оптического разрушения кристаллов путем изменения состава или давления газа, окружающего кристалл (1).

Однако этот способ усложняет применение кристаллов в качестве элементов оптической системы. 20

Известен также способ, заключающийся в изменении свойств поверхности кристалла путем полировки поверхности кристалла (2).

Наиболее близким к изобретению является-способ увеличения оптической прочности кристалла путем его облучения концентрированным потоком энергии — лазерным лучом (3). 30

Однако упрочнение достигается только в приповерхностном слое кристалла.

Цель изобретения - повышение пороговой плоткости энергии оптического пробоя.

Это достигается тем, что по предлагаемому способу кристалл предвари тельно нагружают.в области предела текучести и в нагруженном состоянии облучают потоком 1 -лучей дозой

1-2 10 рад.

Пример. Исследуемый кристалл

NaCl в форме пластины 30х20хЗ,ива подвергают одноосному сжатию вдоль кристаллографического направления

4100) и облучают 1 -лучами при комнатной температуре. Обработанный таким образом кристалл исследуют на;. пробой лучом импульсного СО - лазера атмосферного давления с двойным поперечным разрядом. Импульс излучения имеет сложную форму: за пиком длительностью 100-150 нс следует хвост продолжительностью 1,52 мкс. Длина волны излучения 10,6 мкм. Луч фокусируют на поверхности кристалла. Увеличивая плотность по тока энергии на различных участках кристалла, определяют момент появле648007

Составитель A. 11арев

Редактор Л. Письман Техред Э.Чужих Корректор Е. Лукач

Ю

Закаэ 4817/60 арам 923 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва; 3 -35, Раушская наб., д. 4/5 ..

Ф:нлиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

3 ния макротрещин, соответствующих возникновению пробоя.Исследования показали, что в результате нагруиення кристалла нагрузкой, соответствующей его пределу текучести, в процессе облучения. т -лучами оптическая прочность возрастает в 2,5 раза по сравнению с необлученмый контральныч образцом оптимальная доза облучений 1,5 10 рад.

Прм этом оптические свойства крИсталлов не иэиенявтся в области = спектра -15.мкм.

Формула изобретения

Способ увеличения оптической прочности криСталла путем его облучения .

4 концентрированным потоком энергии, о т л и ч а в шийся тем, mo с .целью повышения пороговой плотности оптического пробоя, кристалл пред:варительно нагруиавт в области пре5 дела текучести и в нагруиенмом состоянцк.облегчают потоком g -лучей дозой 1-2ю10 рад..

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Ковалев В.И. и Файзулов Ф.С.

10 Оптика лазеров. Тезисы докладов 1

Всесоюзной конференции. Л., 1977, с. 285

2. Pyces ГИ. и др. -Оптика лазеров. Тезисы докладок 1 Всесоюзной

15 конференции. Л., 1977, с. 288.

3. Квантовая электроника ., 1, В 10, 1974, с. 2172,