Программируемый элемент памяти

Программируемый элемент памяти

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

и >649035

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОеаСХОМУ СВИДевТИЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 20.10.77 (21) 2531334/18 24 с присоединением заявки № (23) Приоритет—

Опубликовано 25,02.79.Бюллетень № 7

Дата опубликования описания 28.02.79 (51) М. Кл,н

G 11 С 11/40

Государственный комитет

СССР ое делам изабретений и втхрытий (53) УДК681.327.. 28 (088.8 ) (?2) Авторы изобретения

В. П, Сидоренко, С. И. Яровой, В. И. Невядомский, С. В. Курипенко, T. Г. Гусева и В. В. Оненько (71) Заявитель

{ 54) ПРОГРАММИРУЕМЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в полупостоянных запоминающих устройствах с электрической перезаписью информации.

Известен программируемый элемент памя ги, содержащий два МДП-транзистора и один запоминающий МНОГ1-транзистор (1l.

В этом элементе памяти используется шина выборки в качестве прогпаммирующего входа в режиме записи и в качестве адресного входа в режиме считывания, что усложняет управление элементом па мяти .

Известен другой программируемый элемент памяти, также содержащий два МДГ1транзистора и один МНОГ1-транзистор (2).

Однако данный элемент памяти имеет невысокую избирательность записи информации из-за потери порогового напряжения в нагрузочных транзисторах, что приводит к уменьшению напряжения в невыбранных элементах памяти. Увеличение питающего напряжения в режиме записи для улучшения избирательности приводит к повышению по- 2О требляемой мощности, а заземление шины питания в режиме стирания не обеспечивает передачу нулевого потенциала на стоки запоминающих МНОП-транзисторов, что снижает надежность из-за перенапряжений.-в переходах затвор-сток при передаче положительных импульсов.

Наиболее близким техническим решением к изобретению является программируемый элемент памяти, содержащий МНОП-транзистор, исток которого соединен со стоком первого МДП-транзистора, исток которого подключен к разрядной шине, затвор

МНОП-транзистора подключен к шине записи, а сток его соединен со стоком второго

МДП-транзистора, исток которого подключен к шине считывания, а затвор — к шине выборки и к затвору первого МДП-транзис1 тора, причем МДП-транзисторы выполнены с индуцированным каналом, при записи применяется режим прямого туннелирования, а при стирании — лавинная инжекция (3).

Однако этот элемент памяти имеет сложную систему адресации v, управления, так как в режиме записи необходимо коммутировать высоковольтные сигналы, а в режиме считывания — низковольтные. Следствием этого является увеличение мощности, потребляемой элементом памяти в режиме

649035

3 записи, и усложнение управляющей электроники.

Целью изобретения является уменьшение мощности, потребляемой элементом памяти, что ведет к улучшению избирательности записи информации.

Это достигается тем, что в программируемый элемент памяти введен третий

МДП-транзистор со встроенным каналом и шина питания, подключенная к стоку ".ðåòüåro МДГ1-транзистора со встроенным каналом, затвор и исток которого соединены со стоком

МНОП-транзистора.

На чертеже представлена электрическая схема программируемого элемента памяти.

Элемент памяти содержит МНОП-транзистор 1 (запоминаюший), первый 2 и второй 3 МДП-транзисторы и третий 4

МДП-транзистор со встроенным каналом, а также разрядную 5, считывания 6, выборки 7, записи 8 и питания 9 шины.

Элемент памяти работает следующим образом.

При стирании на шину питания 9 подают нулевой потенциал, а на шину записи 8— положительный импульс напряжения стирания до 30 В, что переводит МНОП-транзистор 1 в нулевое состояние с пороговым напряжением до минус 2 В.

При записи на. шину питания 9 подают нагряжение до минус 15 В, на шину выборки 7 — сигнал выборки, на разрядную шину 5 — значение записываемого числа, а на шину записи 8 — импульс напряжения записи до минус 30 В, что переводит МНОПтранзистор 1 при логическом нуле на разрядной шине 5 в единичное состояние с пороговым напряжением до минус 10 В.

При считывании на шину питания 9 подают напряжение питания до минус 9 В, на шину записи 8 — напряжение считывания до минус 6 В, на разрядную шину 5— нулевой потенциал, на шину выборки 7— напряжение выборки, что приводит к передаче записанного значения напряжения на шину считывания 6.

Если в элементе памяти записана логическая единица, "".о транзистор 1 не отпирается, и шина считывания заряжается через транзисторы 3 и 4 до потенциала логической единицы.

5 Если в элементе памяти записан логический нуль, то в результате протекания тока через открытые транзисторы 1 и 2 на стоке транзистора 1 устанавливается напряжение логического нуля, которое передается через !

О открытый транзистор 3 на шину считывания 6.

Введение третьего МДП-транзистора со встроенным каналом, представляющего собой генератор тока, величина которого практически не зависит от напряжения на стоке, обеспечивает уменьшение мощности, потребляемой элементом памяти за счет эффекта встроенного канала и токостабилизирующе. го соединения затвора с истоком.

Формула изобретения

2О Программируемый элемент памяти, содержаший МНОП-транзистор, исток которого соединен со стоком первого МДП-транзистора, исток которого подключен к разрядной шине, затвор МНОП-транзистора подключен к шине записи, а сток его соединен со стоком второго МДП-транзистора, исток которого подключен к шине считывания, а затвор — к шине выборки и к затвору первого МДП-транзистора, отличающийся тем, что, с целью уменьшения мощности, потребляемой элементом памяти, в него введен третий МДП-транзистор со встроенным каналом и шина питания, подключенная к стоку третьего МДП-транзистора со встроенным каналом, затвор и исток которого соединены со стоком МНОП-транзистора.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США № 3774177, кл. 340 — 173, 1973.

2. Авторское свидетельство СССР

4 № 458036, кл. G 11 С 11/40

3. «1ЕЕЕ G. of Solid State Circuits», v. SC — 10, 1975, ¹ 5, р. 288 — 293.

ЦНИИПИ Заказ 567/48 Тираж 680 Поднисное

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4