Запоминающее устройство

Запоминающее устройство

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ни 649044

Союз Советскнх

Соцнаннстнческнх

Рвспубпнк (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 270875 (21) 2163850/18-24 с присоединением заявки Pfyl2189143/18-24 (23) Приоритет— (5l) М. Кл.

G 11 С 29/00

Государственный комитет

СССР по делам изобретения и открытий

Опубликовано 250279.Бюллетен1 + (53) УДК 681. 327. 66 ! (088.8) Лата опубликования описания 25.02,79 (72) Авторы изобретения

В.К.Конопелько, В.В.Лосев и В.С.Борисов (7l) Заявитель

Минский радиотехнический институт (54) ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в электронной промышленности при изготовлении больших интегральных схем запоминающих устройств. о

Известны полупроводниковые интегральные запоминающие устройства с произвольной выборкой с разрядной организацией, которые содержат матрицу элементов памяти и схемы логи- )О ки обрамления, позволяющие производить обращение при записи и считывании информации только к одному любому элементу памяти матрицы (1) .

Это устройство имеет низкую надежность.

Наиболее близким к изобретению техническим решением является запоминающее устройство, содержащее дешифратор адреса слова, соединенный с адресными шинами матрицы элементов памяти, разрядные шины которой соединены с выходами первых вентилей и информационными входами блока считывания, управляющие входы которого подключены к выходам дешифратора адреса разряда и к первым входам первых вентилей, вторые входы .котоРых соединены с шиной записи, а третьи входы — с ши«ой управления, 30 первым входом выходного блока и входами обоих дешифратарав,и шину разрешения записи (2). Од«ако такое устройство будет приводить к ошибкам хранения информации при наличии дефектных элементов памяти, которые возникают из-за дефектов изготовления в процессе производства. Поэтому при производстве такие запоминающие устройства отбракавываются.

Целью изобретения является повышение надежности запоминающего устройства.

Достигается эта тем, что оно содержит дополнительные элементы памяти в каждом слове, блок коррекции ошибки, вторые вентили, два элемента И, инвертор, элемент ИЛИ и в каждом разряде последовательно соединенных два элемента 2И, входы первых элементов 2И подключены к разрядным шинам матрицы элементов памяти, выход первого элемента 2И соединен с первым входам блока коррекции ошибки, второй вход второго элемента 2И соединен с первым входам соответствующего первого вентиля и с вторым входам блока коррекции ошибки, выход второго элемента 2И соединен с вха649044

3 цом элемента ИЛИ, выход которого соединен с третьим входом блока коррекции ошибки и входом инвертора, выход которого соединен с четвертым входом блока коррекции ошибки и с первым входом первого элемента И, второй вход которого соединен с шиной разрешения записи и пятым входом блока коррекции ошибки, а выход — с четвертыми входами первых вентилей, разрядные шины цополни.тельных элементов памяти соединены 10 с выходами вторых вентилей и шестыми входами блока коррекции ошибки, выходы которого соединены с первыми входами вторых вентилей, выход второго элемента И соединен с вто- 15 рым входом выходного блока, первый вход второго элемента И соединен с выходом блока считывания, а второй вход — c выходом блока коррекции ошибки. Кроме того, блок коррек- 20 ции ошибки содержит элемент 2И и два элемента 2И-НЕ, первый вход первого элемента 2И-НЕ соединен с шестым входом блока коррекции ошибки, второй вход — с первыми входами второго эле- 25 мента 2И- .IE и элемента 2И и третьим входом блока коррекции ошибки, вторые входы второго элемента 2И-EI и элемента 2И соединены соответственно с пятым входом блока коррекции ошибки и 30 с шиной записи, а выходы элементов

2И-НЕ и элемента 2И соединены с соответствующими выходами блока коррекции ошибки. Помимо того, что блок коррекции ошибки содержит последовательно соединенные сумматоры по

mod 2, выходы которых и вход первого сумматора по mod 2 соединены с первыми элементами 2И, подключенными к входам элемента ИЛИ, выход которого соединен с первым входом второго элемента 2И и через первый инвертор с первым входом третьего элемента 2И, вторые входы которых соединены с первым входом четвертого элемента 2И, вь ходы четвертого и третьего э еме тов 45

2И соединены с вхопами элемента 2ИЛИ цве группы .лементов ЗИ,один из вхоцов элементов ЗИ первой группы подключен к выходу второго элемента 2И, а второй группы — к выходу 50 элемента 2 ИЛИ, выходы первых элементов ЗИ обеих групп соединены с элементом ЗИЛИ, вторые входы элементов ЗИ обеих групп подключены соответСтвенно к выходам второ о и третьего 5 инверторов,вход второго инвертора соединен с вторым входом четвертого элемента 2И и выходом пятого элемента 2И, подключенного к третьему входу первого элемента ЗИ первой группы, вход третьего инвертора соединен с выходом шестого элемента 2И, подключенногo к третьему входу первого элемента ЗИ второй группы, третьи

ВхОды ВтОрых элементОВ ЗИ ОбОих групп объединены. 65

Это позволяет производить исправление двух дефектных элементов памяти в каждом слове при наличии двух дополнительных элементов памяти.

На фиг.l дана блок-схема запоминающего устройства; на фиг.2 и 3схемы выполнения блока коррекции ошибки.

Запоминающее устройство содержит дешифратор адреса слова 1,соединенный с адресными шинами матрицы 2 элементов памяти, причем исправных элементов цамяти 3, дефектных элементов памяти 4 и дополнительных исправных элементов памяти 5, цефектных. элементов памяти 6. Разрядные шины 7 матрицы 2 соединены с выходами первых вентилей 8 и входами блока считывания 9. Управляющие входы 10 блока считывания 9 подключены к выходам дешифратора адреса разряда ll,è к первым входам первых вентилей. Вторые входы первых вентилей 8 соединены с шиной записи 12, а третьи входы — с шиной управления 13, первым входом выходного блока 14 и входами дешифраторов. В каждом разряде разрядные шины элементов памяти матрицы подключены к входам первого элемента 2И 15. Выход первого элемента 2И соединен с первым входом 16 блока коррекции ошибки 17 и с первым входом второго элемента

2И 18. Второй вход второго элемента

2И соединен с первым входом соответствующего вентиля 8 и с вторым входом блока коррекции ошибки. Выход второго элемента 2И соединен с входом элемента ИЛИ 19, выход которого подключен к третьему входу 20 блока коррекции ошибки 17 и входу инвертора 21. Выход инвертора соединен с четвертым входом 22 блока коррекции ошибки 17 и с первым входом первсго элемента И 23. Второй вход первого элемента Й соединен с шиной разрешения записи 24 и пятым входом блока коррекции ошибки. Выход первого элемента И соединен с четвертыми входами первых вентилей. Разряднье шины 25 дополнительных элементов памяти 5 и 6 соединены с выходами вторых вентилей 26 и шестыми входами блока коррекции ошибки. Выходь.

27 блока коррекции ошибки подключены к первым входам вторых вентилей. Выход второго элемента И 28 соединен с вторым входом выходного блока 14.

Первый вход второго элемента И соединен с выходом блока считывания, а второй вход — с выходом 29 блока коррекции ошибки. Выходом устройства является клемма 30.

На фиг.2 изображен блок коррекции ошибки для осуществления исправления Одного дефектного элемента памяти в каждом слове, который содержит элемент 2И 31, первый 32 и второй ЗЗ элементы 2И вЂ” НЕ, Выход

649044 первого элемента 2И-НЕ является выходом блока коррекции ошибки. Первый вход этого элемента соединен с шестым входом блока коррекции ошибки.

Второй вход первого элемента 2И вЂ” НЕ подключен к первым входам второго элемента 2И-НЕ и элемента 2И и 5 третьим входом блока коррекции ошиб ки. Вторые входы второго элемента

2И-НЕ и элемента 2И соединены соответственно с шиной записи 12,и с пятым нходом блока коррекции ошибки.

Выходы элемента 2И и нторого элемента 2И-НЕ являются выходами блока коррекции ошибки.

Устройство в режиме исправления одного дефектного элемента памяти работает следующим образом. При записи информации на устройство подаются сигналы по шинам разрешения записи 24, записи 12 и управления

13. При этом происходит возбуждение выходных шин дешифраторов 1 и 11 в соответствии с кодом адреса. Возбужденная шина дешифтора адреса слова 1 подключает элементы памяти матрицы

2 выбранного, слова к разрядным шинам 7 и сигналы о состояних элемен- 25 тов памяти выбранного слова поступают на входы элементов 2И 15, которые анализируют — находятся или нет в выбранной строке дефектные элементы памяти 4. При выборе де- З0 фектного элемента памяти 4 на обеих разрядных шинах будут логические 1, так как элемент отключен.

Это приводит к появлению на выходах элементов 2И 15 единичнь!х сигналов, которые поступают на первые входы элементов 2И 18. На вторые входы одного из элементов 2И

18 и на один из первых вентилей 8 поступает сигнал с одной из возбужденных шин дешифратора 11. Элементы 2И 18 анализируют — опрашивается дефектный элемент памяти 4 или исправный элемент памяти 3. Выбор дефектного элемента памяти 3 приводит к появлению на выходе элемен- 45 та 2И 18 единичного сигнала, который, проходя через элемент ИЛИ 19 и инвертор 21, поступает на элемент

И 23 и запрещает подачу сигнала разрешения записи 24 на первые венти- 50 ли 8. Кроме того, единичный сигнал с выхода элемента ИЛИ 19, поступая на третий вход блока коррекции, открывает элемент 2И 31 и элемент

2И-HE 33 для прохождения сигналов раз-55 решения записи и записи на второй вентиль 26. B том случае, если производится запись логической 1 в дефектный элемент памяти 4, т.е. его состояние согласуется с записываемой информацией, то н дополнительный элемент памяти 5 записывается логический 0, в противном случае логическая 1 . Если опрашиваемый элемент памяти исправен, то на выходе элемента 2И 18 будет нуле- 65 вой сигнал, который закроет элементы 2И 31 и 2И-НЕ ЗЗ блока коррекции ошибки 17. При этом второй вентиль

26 заперт и записи информации в дополнительный элемент памяти 5 не происходит. Кроме того, нулевой сигнал с в!-хода элемента ИЛИ 19, инвертируясь инвертором 21, откроет элемент И 23 для прохождения сигнала разрешения записи 24 на первые вентили 8, происходит запись информации в исправный элемент памяти 3 матрицы 2.

В режиме считывания сигналы по шинам записи 12 и шинам разрешения записи 24 отсутствуют. При этом вентили 8 и 26 заперты, а сигнал о состоянии элемента памяти матрицы 2 поступает с выхода блока считывания

9 на первый вход элемента И 28. На второй вход элемента И 28 подается сигнал с ныхода 29 блока коррекции ошибки 17. На выходе элемента 2И-НЕ

32 будет нулевой сигнал, если в дефектный элемент памяти 4 записывался нулевой символ, и единичный сигнал — в противном случае. Сигнал с выхода 29 блока коррекции ошибки, поступая на элемент И 28, производит исправление ошибки.

B случае, если опрашивается исправный элемент памяти 3, то нулевой сигнал на выходе элемента ИЛИ 19 установит на выходе 29 блока коррекции ошибки 17 единичный сигнал, который, поступив на элемент И 28, откроет

его rr o oKrreH r! cvãíàëà с исправного элемента памяти 3, снимаемого с выхода блока считывания 9. Ис-.правленный сигнал с выхода элемента И

28 через выходной блок 14 поступает ча выход 30 voòooéoòâà.

На фиг.З изображен блок коррекции ошибки для осушестнления исправления двух дефектных элементов памяти в каждом слове, который содержит для каждого основного разряда матрицы 2 первый элемент 2И 34 и сумматор по 1 дна 35.

Первый вход сумматора по модулю два соединен с первым входом 36 блока коррекции ошибки,а второй вход — с выходом сумматора по модулю два предыдущего разряда и первым входом элемента 2И 34. Второй вход элемента

2И соединен с вторым входом 37 блока коррекции ошибки. Выход элемента 2И соединен с входом элемента ИХ!И 38.

Выход элемента ИЛИ подключен к входу первого инвертора 39 и первому входу второго элемента 2И 40. Второй вход второго элемента 21! соединен с третьим входом 41 блока коррекции и с первыми входами третьего 42 и четвертого 43 элементов 2И. Третий элемент 2И 42 соединен вторым входом с выходом инвертора 39, а выходом — с первым входом элемента

2 ИЛИ 44..Второй вход элемента 2 ИЛИ

44 соединен с выходом -rerнс.ртorо элемента 2И 43. Для каждого дополнитель649044 ного разряда элементов памяти блок коррекции ошибки, кроме того, содержит пятый и шестой элементы 2И 45 и 47, второй и третий инверторы 47 и 48, группу элементов ЗИ 49 и 50.

Входы элементов 2И 45 и 46 подключены к шестым входам 51 блока коррек ции ошибки. Выходы элементов 2И соединены с входами инверторов 47 и 48, а у первого дополнительного разряда и с вторым входом четвертого элемента 2И 43. Выходы инверторов сое- Ю динены с вторыми входами первого и второго элементов ЗИ 49 и 50. Первые входы элементов ЗИ 49 и 50 соединены для первого дополнительного разряда элементов памяти с выходом вто- 18 рого элемента 2И 40, а для второго с выходом элемента 2ИЛИ 44. Третий вход вторых элементов ЗИ 50 соединен с пятым входом 52 блока коррекции ошибки, а выход 53 является выходом блока коррекции ошибки. Третий вход первого элемента ЗИ 49 соединен с шестым входом 51 блока коррекции ошибки. Выход первого элемента ЗИ 49 соединен с выходом второго элемента

ЗИЛИ 54. Третий вход элемента ЗИЛИ

54 соединен с четвертым входом 55 блока коррекции ошибки. Выход 56 элемента ЗИЛИ является выходом блока коррекции ошибки.

Работа устройства в режиме записи пр . коррекции двух дефектных элементов памяти в слове отличается от вышеописанной работы устройства тем, что сигналы с выходов элементов 2И

15, поступая на входы 36 цепочки 35 последовательно соединенных сумматоров по mod 2 35, сумьяруются и с вы" ходов кажцого сумматора 35 подаются на входы элемента 2N 34. Цепочки сумматоров 35 и элементов 2И 34 ана- 40 лизируют, имеется .ли слева от опра аиваемого дефектного элемента памяти еще один дефектный элемент памяти в опрашиваемой строке. Это приводит к появлению на выходе элемента 2И

34 единичного сигнала в случае отсутствия дефектного элемента памяти слева от опрашиваемого дефектного элемента памяти или нулевого сигнала в случае наличия дефектного элемента. Этот сигнал, проходя через элемент ИЛИ 38, поступает непосредственно на элемент 2И 40 и через инвертор 39 — на элемент 2И 42. Крома того, на вторые входы элементов 2И

40, 42 поступает единичный сигнал 55 третьего входа 41 блока коррекции ошибки, который открывает их, если опрашивается дефектный элемент памяти. Тогда единичный сигнал с выхода элемента ИЛИ 38, в случае от- 0 сутствия дефектного элемента памяти слева от опрашиваемого дефектного элемента памяти, поступая на элемент 2И 40, формирует на вых .де последнего единичный сигнал. Этот сигнал открывает элемент ЗИ 50 для

Сигнал с выхода 56, поступая н элемент И 28, производит исправле ние. В этом случае, если опрашива ся исправный элемент памяти, то н четвертом входе 22 и на выходе 29 блока коррекции ошибки будет един ный сигнал, который откроет элеме

И 28, не исправляя считываемого с вола с выхода блока считывания 9. нт им. прохождения сигнала разрешения записи (пятого входного 52 сигнала блока коррекции ошибки) на дополнительный управляющий вентиль первого дополнительного разряда элементов памяти, куда и заносится для хранения записываемая информация.

В том случае, если слева от опрашиваемого дефектного элемента памяти находится еще один дефектный элемент памяти, то на выходе элемента ИЛИ

38 будет нулевой сигнал, который, инвертируясь инвертором 39 и проходя через элемент 2И 42,формирует на выходе элемента 2ИЛИ 44 единичный сигнал.

Этот единичный сигнал откроет второй элемент ЗИ 50 для прохождения сигнала разрешения записи на дополнительный управляющий вентиль второ:.-о дополнительного разряда элементов памяти, куда и заносится для хранения записываемая информация..

Если в первом дополнительном разряде элементов памяти имеется дефектный элемент памяти и в него необходимо записать символ с дефектного элемента памяти матрицы, то на выходе элемента 2И 45 этого разряда будет единичный сигнал, который, проходя через открытый элемент 2И 43 и элемент 2ИЛИ 44 и поступая на второй элемент ЗИ 50, откроет его для прохождения сигнала разрешения записи на дополнительный управляющий вентиль второго дополнительного разряда элементов памяти. Одновременно единичный сигнал с выхода элемента 2И 45 первого дополнительного разряда элементов памяти,инвертируясь инверторогл 47,з кроет второй элемент ЗИ 50 этого разряда для прохождения сигнала разрешения записи на соответствующий дополнительный управляющий вентиль.

В режиме считывания работа устройства происходит следующим образом.

При опросе дефектного элемента памя ти матрицы формируются аналогичным образом, как при записи информации, единичные сигналы, которые открывают соответствующие элементы ЗИ 49 для прохождения сигналов, снимаемых с прямых разрядных шин дополнительных элементов памяти. Сигналы с выходов элементов ЗИ 49 и четвертого входа

55 подаются на входы элемента ЗИЛИ

54 и тогда на выходе 56 элемента

ЗИЛИ 54 будет нулевой сигнал, если в дефектный элемент памяти записывался нулевой символ, и единичный сигнал в противном случае.

649044

Формула изобретения

1. Эапоминающее устройство, содержащее дешифратор адреса слова, соединенный с адресными шинами матрицы элементов памяти, разрядные шины которой соединены с выходами первых вен- 5 тилей и информационными входами блока считывания, управляющие входы которого подключены к выходам дешифратора адреса разряда и к первым вхоцам первых вентилей, вторые входы которых соединены с шиной записи, а третьи входы — с шиной управления, первым входом выходного блока и входами дешифраторов, шину разрешения записи, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения надежности устройства, оно содержит дополнительные элементы памяти, блок коррекции ошибки, вторые вентили, два элемента И, инвертор, элемент ИЛИ и в каждом разряде два последовательно соеди-Я

Ненных элемента 2И, входы первых элементов 2И подключены к разрядным шинам матрицы элементов памяти, при этом выход первого элемента 2И соединен с первым входом блока коррекции ошибки, второй вход второго элемента 2И соединен с первым входом соответствующего первого вентиля и с вторым входом блока коррекции ошибки, выход второго элемента

2И соединен с входом элемента ИЛИ, выход которого соединен с третьим входом блока коррекции ошибки и входом интвертора, выход которого соединен с четвертым входом блока коррекции ошибки и с первым входом первого элемента И, второй вход которого соединен с шиной разрешения записи и пятым входом блока коррекции ошибки, а выход с четвертыми входами первых вентилей, разрядные 40 шины дополнительных элементов памяти соединены с выходами вторых вентилей и шестыми входами блока коррекции ошибки, выходы которого соединены с первыми входами вторых 45 вентилей, выход второго элемента И соединен с вторым входом выходного .блока, первый вход второго элемента И соединен с выходом блока считывания, а второй вход — с выходом 50 блока коррекции ошибки.

2. Устройство по п.1, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что блок коррекции ошибки содержит элемент 2И и два элемента 2И-НЕ, первый нход первого элемента 2И-HF,-соединен с шестым входом блока коррекции ошибки, второй вход — с первыми входами второго элемента 2И вЂ” HE и элемента 2И и третьим входом блока коррекции ошибки, вторые входы второго элемента 2И-НЕ и элемента 2И соединены соответственно с пятым входом олока коррекции ошибки и с шиной записи, а выходы элементов 2И-HE и элемента

2И соединены с соответствующими выходами блока коррекции сшибки.

3. Устройство по п.1, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что блок коррекции ошибки содержит последовательно соединенные сумматоры по mod 2, выходы которых и вход первого сумматора по той 2 соединены с первыми элементами 2И, подключенными ко входам элемента ИЛИ, выход которого соединен с первым входом второго элемента 2И и через первый инвертор с первым входом третьего элемента 2И, в †ор входы которых соединены с первым входом четвертого элемента 2И, выходы четвертого и третьего элементов 2И соединены с входами элемента 2ИЛИ, две группы элементов ЗИ, один из входов элементов ЗИ первой группы подключены к выходу второго элемента 2И, а второй группы — к входу элемента

2ИЛИ, выходы первых элементов ЗИ обеих групп соединены с элементом

ЗИЛИ, вторые входы элементов ЗИ обеих групп подключены соответственно к выходам второго и третьего инверторов, вход второго инвертора соединен с вторым входом четвертого элемента

2И и выходом пятого элемента 2И, подключенного к третьему входу первого элемента ЗИ первой группы, вход третьего инвертора соединен с выходом шестого элемента 2И, подключенного к третьему входу первого элемента ЗИ второй группы, третьи входы вторых элементов ЗИ обеих групп объединены .

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Старос Ф.Г. и Крайзмер Л.П.

Полупроводниковые интегральные запоминающие устройства. Л., Энергия, 1973, с.66-67.

2. Сб.статей Микроэлектроника под ред. Ф.В.Лукина. М., Сов.радио, 1972, вып.5, с.128-150.

649044 фи3 2

4!

Put 5

Составитель В.Конопелько

Техред М. Петко Корректор Л.Веселовская

Редактор Е.Гончар

Заказ 568/49 Тираж 680 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, )K-35, Раушская наб., д.4/5

Филиал ППП Патент, г.Ужгород, ул. Проектная, 4