Формирователь ступенчатого напряжения
Патент 649342
Авторы
Классы МПК
Формирователь ступенчатого напряжения
Иллюстрации
Реферат
ОП И Е
И3ОЬРЕТЕН ИЯ (и1 649342.
Сева Сеаатсних
С©е1нвлистмчесюд
Республик (61)Дополнительный к патенту— (22) Заявлено 27.08.76(213 2393334/18-21 (23) Приоритет — (32)— (5i) М. Кл.
Н 03 К 4/02
Гооударотеенный кометет
СССР ео делам кэооретеней и открытий (33)(31)—
Опубликовано 35.02.79Бюллетень №7
Дата опубликования описания 28,02 79 (53) Д1(621.374.
° 3 (088.8) Иностранец
Хироси Минакути (Япония ) (72) Автор изобретения
Иностранная фирма
Мацусита Елекгрик Инд. Ко Лгд, (Япония ) (71) Заявитель (54) ФОРМИРОВАТЕЛЬ СТУПЕНЧАТОГО HA ПРЯЖЕНИЯ
1
Изобретение относится к импульсной технике.
Известен формирователь ступенчатого напряжения, содержащий интегральную
RG-цепь, два операционных усилителя, комценсирующий транзистор, прячем к операциониым усилителям подключены источники порогового напряжении (1)
Недостатком такого формирователя является его сложность, Наиболее близким по технической сущности к изобретению является форма рователь ступенчатого напряжения, содержащий входной биполярный транзистор, база которого через резистор соединена с входной шиной, а коллектор через два последовательно включент - х рез . эра соединен с источником :., ния, выходной биполярный транзистор, база когорого соединена с эмигтером входного биполярного транзистора, коллектор чере8 резистор соединен с источником питания, а эмиттер соединен непосредствейно с обшей шиной и биполярный грайзистор противоположного упомянутым типа проводимости в цепи обра гной связи, база которого соединена с точкой соединения реэясторов в коллекторной цепи входного биполярного транзистора, а эмиттер соединен с источником питания ("2,1
Недостатком, sroro формиррвателя является большая потребляемая мощность.
Целью изобретения является уменьшение по гребляемой мощности.
Это достигается тем, что ь.формирователь ступенчатого напряжения, содер жаший транзистор, база которого через резистор соединена со входной шиной, а коллектор через два последовательно включенных резистора соединен с источником питания, выходной биполярный транзистор, база которого соединена с эмигтером входного биполярного гранзистора, коллектор . которого через ре» эистор соединен с источником питания, а эмиттер соединен непосредственно с обшей шиной и биполярный транзистор противоположного упомянутым типа п роводимосги в цепи обратной связи, база ко- торого соединена с точкой соединения резисторов в коллекторной цепи входно-го биполярного транзистора, а эмитгер соединен с источником питания, введен дополнительный биполярный транзистор, коллектор когорого соединен с эмиттером входного биполярного транзистора, эмитгер соединен с общей шиной, а база 6 через резистор соединена с коллектором биполярного транзистора в цепи обратной связи
На чертеже приведена принципиальная электрическая схема описываемого форми- Ы рователя.
Формирователь содержит входной биполярный транзистор 1, выходной биполяр-: ный транзистор 2, биполярный транзистор
3 противоположного типа проводимости, дополнительный биполярный транзистор 4, резисторы 5-9. Входной сигнал подан на входную шину 10. Выходной сигнал снимается с шины 11. (Источники питания на схеме не показаны)..
Принцип работы формирователя заключается в следующем.
При условии, что HB формирователь подано напряжение питания и что потенциал на входной шине 10 нулевой, все транзисторы 1 - 4 заперты, гак ч го потенциал на шине 11 равен напряжению питания.
Когда потенциал на входной шине 10 резко возрастает в момент t<, базовый
35 ток протекает через транзисторы 1 и 2, а в моменг $ начинает течь коллекторный ток Часть коллекторного гока транзистора 1 становится базовым током
40 транзистора 3 и в момент -,, возникает коллекгорный ток транзистора 3. В момент 6g коллекгорный ток приводит транзистор 4 к состоянию насыщения, гак что напряжение между эмигтером и
45,. коллектором становится практически нулевым и поэтому эмигтерный TQK гранэисгора 1 лротекаег по коллектору трап зистора 4, а не по базе транзистора 2.
В результате в момент t д- коллектор-. ный ток транзистора 2 становится нулевым после того, как исчезают нвосновные носители в его базовой части;
Интервал времени между моментами и t,g составляет обычно несколько микросекунд,. причем, чем выше усиление по току транзистора 2,3 и 4 или чем ниже их предельная IBcTQIB, тем дольше промежуток между и т. y . Этот интервал времени может меняться также с помощью изменения базового тока каждого из тр а нзис горов.
Формула изобретения
Формирователь ступенчатого напряжепия, содержащий входной биполярный транзистор, база которого через резистор соединена с входной шиной, а коллекгор через два поспедовагельно включенных резистора соединен с источником питания, выходной биполярный транзистор, база когорО1 соединена с эмитгером входного биполярного транзистора, коллектор через резистор соединен с источником питания, а эмиггер соединеь непосредственно с общей шиной и биполярный транзистор прогивоположного упомянутым типа проводимости в цепи обратной связи, база которого соединена с точкой соединения резисторов в коллекторной цепи входного биполярного транзистора, а эмиггер соединен с источником питания, î r л и ч а ю шийся тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности, в пего введен дополнительный биполярный транзистор, коллектор которого соединен с эмитгером входного биполярного транзистора, эмиттер соединен с общей шиной, а база через резистор соединена с коллектором биполярного транзистора в цепи обратной связи.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1. Заявка Франции % 2279263, кл. Н 03 К 4/02, 19.03.76.
2, Заявка Франции М 2251191, кл. Н 03 К 4/50, 11.06.75.
649342
Составитель В. Егорова
Редактор А, Бер Техред д циймет Корректор Е, Папи
Заказ 615/59 Тираж 1059 Подписное
БНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113О35, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП Патент, г Ужгород, уа Проектная, .4