Резистор

Резистор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ИЕ

Союз Советских

Социалистических

Республик

-(i ii -6514:20 (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 25.10.77(21) 2540433/18-21 с присоединением заявки №(51) М. Кл.

Н 01 С 7/00

Гооудвротвеииый комитет

ЕЕсО по делам изобретений и открытий (23) Приоритет

Опубликовано 05.03.79Бюллетень № 9 (53) УДК 621.316, ..8(088. 8) Дата опубликования описания 08,03.79 (72) Авторы изобретения

Я. М. Беккер и Б. Д. Платонов (71) Заявитель (54) РБ ЗИСТОР

Изобретение относится к конструированию и изготовлению высокостабильных резис горов, может быть использовано в линиях задержки.

Известен резистор, содержащий нанесенное на диэлектрическое основание электропроводящее покрытие в виде сплава нескольких металлов и контактные площадки I1J.

Этот резистор недостаточно термостоек.

Известен также резистор в виде нанесенного на диэлектрическую подложку электропроводящего покрытия и контактных площадок. В качестве материала контактных площадок использован arnoMHний (21.

Данный резистор наиболее близок к предлагаемому по технической сущности и достигаемому эффекту.

У этого резистора ограниченный диапазон сопротивлений.

Цель изобретения — расширение диапазона номиналов резистора.

Указанная цель достигается тем, что в резисгорерыполненйом. в виде нанесенного на диэлектрическую подложку электропроводящего покрытия и контактных плошадок, электропроводящее покрытие выполнено

5 из феррита.

Конструкция описываемого резистора изображена на чертеже.

Резистор содержит диэлектрическую подложку 1, например из ситалла, элек>В тропроводящее покрытие 2 из феррнта, обогащенного кислородом, например, (м ) Fe 0,, + Т ° KoHrax mre ппощадки 3 из алюминия и стабилизирующий переходной слой 4 из окисла алюмиь ния - АР Oз

Ферритовое покрытие (пленку) синтезируют на диэлектрической подложке из поликристаллических материалов, например, способом газотранспортных химичес ких реакций в парах соляной кислоты НСВ с небольшим содержанием воды» В зависимости от условий синтеза получают поликристаллические пленки с различ с У ...,, ;и« Мам .",Д, „. 651420 ф

Ю ВЕПЕ >аюкл иым удельным сопротивлением и создают Вследствие твердофазных прадасов, текстуру, обеспечивающую анизотропню протекающих в приконтактных зонах, электропроводности пленки. поверхностное сопротивление резистора

Сопротивление резистора Я обуслов- в делом стабилизируется. лено сопротивлением ферритного покрытия 3

Р, w сопротивлением контактных переходов Яп, т. еЯ R + R„.

Формула изобретения

-. 4

Составитель В. Куликов

Редактор В. Федотов Техред И. Асталош Корректор И. Ковальчук

Заказ 816l50 Тираж 922 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, >К-35, Раушская наб. д., 4/5

Филйал ППП Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Величина % может в зависимости от условий синтеза и последующей тех- 10 нологической обработки изменяться в !

ННроКоМ диапазоне (go десятков Мом).

Термостабилнзация сопротивления происходит за счет величины R,,которая превосходит R, . Повь|шение

R достигается путем образования в:

Эойе контактного перехода феррит-алюминий тонкого слоя окиси алюминия

)@ О ., Необходимым условием образоия 4С З яВляется получение феррито- и

Z 3 вой пленки, обогащенной кислородом, и возможность протекания твердофазовой окислительной реакиии между кислородом феррита и алюминием, Резистор, выполненный в виде нанесенного на диэлектрическую подложку электронроводящего покрытия и контактных площадок, о т л и ч а ю m и йс я тем, что, с пелью расширения диа» назона номиналов резистора, электропроводящее покрытие выполнено из феррита.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент СШД % 3833410, кл. 117-227, 1974, 2, Микроэлектроника. Теория, конструирование и производство. Под ред. Н, П, богородицкого М., «Сов, радио", 1966, с. 246-247,