Избирательный усилитель

Избирательный усилитель

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

«»651448 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 030177 (21) 2436838/18-09 с присоединением заявки № (23) Приоритет—

Опубликовано 0503,79.Бюллетень № 9

Дата опубликования описания 050379 (51) М. Кл.

Н 03Г 1/34

Н 03 Н 7/02

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 621.375. .126:621. .372.57 (088.8) (72) Авторы изобретения

Г.М.Аристархов, С.В.Вахрушев и В.С.Гуренко (71) Заявитель (54) ИЗБИРАТЕЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ

Изобретение относится к усилителям и может использоваться в радио- технической аппаратуре различного назначения, например в микроэлектронных радиоприемных устройствах.

Известен избирательный усилитель, содержащий усилительный каскад на двух транзисторах, включенных по дифференциальной схеме, с генератором тока в общей эмиттерной цепи и резисторами в коллекторных цепях транзисторов, к базе первого транзистора которого подключен источник входного сигнала, эмиттерный повторитель, вход которого соединен с коллектором второго транзистора усилительного каскада, и RC-структуру с двумя участками проводящего слоя, резистивный слой которой включен между выходом эмиттерного повторителя и базой второго транзистора усилительного каскада (1).

Однако в известном избирательном усилителе при отклонении отношения сопротивления резистивного слоя ВСструктуры R8 к сопротивлению нольрезистора Б от значения, необходимого для формирования нуля передачи, резко увеличивается произведение чувствительности добротности на требуемый для реализации заданной добротности коэффициент усиления, а это, в свою очередь, приводит к нестабильности частотной характеристики усилителя.

Целью изобретения является повышение стабильности частотной характеристики усилителя.

Для этого в избирательном усилителе, содержащем усилительный каскад на двух транзисторах включенных по дифференциальной схеме, с генератором тока в общей эмиттерной цепи и резисторами в коллекторных цепях тран зисторов, к базе первого транзистора которого подключен источник входного сигнала, эмиттерный повторитель, вход которого соединен с коллектором второго транзистора усилительного каскада, и RC-структуру с двумя участками проводящего слоя, резистивный слой которой включен между выходом эмиттерного повторителя и базой второго транзистора усилительного каскада, один из участков проводящего слоя RC-структуры подключен к выходу эмиттерного повторителя, а другой — к коллектору первого транзистора усилительного каскада.

651448

В соответствии со схемой фиг. 1 передаточную функцию, резонансного усилителя с коэффициентом усиления дифференциального каскада ф и с частотно-зависимыми цепями положительной обратной связи с коэффициентом передачи К„ (р) и отрицательной обратной связи с коэффициентом передачи

К (Р) можно записать в виде г ,О +,а с -гк„(р 1

С (4tP I

"+ФИ- (,б ы — добротность где

Формула изобретения

0о

Kz(p) = ц 1 K„(p) (g) 65

На фиг. 1 представлена принципиальная электрическая схема избирательного усилителя; на фиг. 2 — RC структура с продольным разрезом на ,проводящем слоеу на фиг. 3 — схематическое изображение RC-структуры.

Избирательный усилитель содержит

5 усилительный каскад на двух транзисторах 1,2, включенных по дифференциальной схеме, с генератором тока 3 в общей эмиттерной цепи и резисторами 4,5 в коллекторных цепях lO транзисторов. К базе первого транзистора 1 подключен источник входного сигнала. Вход эмиттерного повторителя б соединен с коллектором второго транзистора 2 усилительно- 15 го каскада. Усилитель содержит RCструктуру 7 с двумя участками 8,9 проводящего слоя, резистивный слой

10 которой включен между выходом эмиттерного повторителя б и базой 20 второго транзистора 2 усилительного каскада. Участок 9 проводящего слоя

RC-структуры подключен к выходу эмиттерного повторителя б, а участок 8к коллектору первого транзистора 1 усилительного каскада..

RC-структура 7 (см. фиг. 2) представляет собой трехслойную систему, выполненную по технологии интегральных схем, и содержит резистивный слой 10, диэлектрический слой 11 и проводящий слой, разделенный на участки 8,9 продольным разрезом.

Рассмотрим частотные свойства RCструктуры,, включенной в цепи положительной и отрицательной-обратной связи

Функция разреза f(х) проводящего слоя RC-структуры имеет вид

f (x> = (cos — x.-cos — x), 40

3 7

26 2Е где О 6 Pi c О,бб — коэффициент, — длина RC-структуры.

При подаче входного сигнала на участок 8 проводящего слоя,и при вы- 4 полнении условий короткого замыкания в конце и холостого хода в начале резистивного слоя передаточная функция RC-структуры имеет вид

0Vo

U (о) osP — P 50

U Юо т ()

u =u(e>-о р + — р+св

ñ о

5% где о 4йо 2 I cp0 3;

В,С вЂ” погонные сопротивление и ем- 55 кость RC-структуры длиной Я.

Тогда передаточная функция RCструктуры при подаче сигнала на участок 9 проводящего слоя и на конец резистивного слоя 10 при

60 х= Г (U-U (6) -U з„) и обеспечении усло1 вия короткого замыкания участка 8 запишется следующим образом

Подставляя (1) в (3), получим

1 (A/ И-,Яд,й. 1

Т(Р» „+ .0 2 uuo (P P + 0L )

+ р+Uu >

z полюса передаточной характеристики резонансного усилителя;

- центральная частота о 4 ср усилителя.

Из выражения для передаточной характеристики избирательного усилителя следует, что она является дробно-рациональной функцией частоты и характеризуется взаимной независимостью центральной частоты и добротности, а вследствие независимости центральной частоты от коэффициента усиления дифференциального каскада предложенный избирательный усилитель при прочих равных условиях имеет более высокую стабильность частоты по сравнению с известным.

Кроме того, при той же стабильности коэффициента усиления, что и в известной схеме, на предложенном усилителе можно реализовать более высокую добротность, или IIpH одной и той же добротности обеспечить более высокую ее стабильность.

Избирательный усилитель, содержащий усилительный каскад на двух транзисторах, включенных по дифференциальной схеме, с генератором тока в общей эмиттерной цепи и резисторами в коллекторных цепях транзисторов, к базе первого транзистора которого подключен источник входного сигнала, эмиттерный повторитель, вход которого соединен с коллектором второго транзистора усилительного каскада, и RC-структуру с двумя участками проводящего слоя, 651448

+Еп

Рыг.1 и д

Фиг. 3

Составитель Г.Челей

Техред Л. Алферова Корректор И. Муска

Тираж 1059 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035 МосКва, X-35 Разыская наб. д 4j5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Редактор И.Карпас

Заказ 865/62 резистивный слой которой включен между выходом эмиттерного повторителя и базой второго транзистора усилительного каскада, о т л и ч а— ю шийся тем, что, с целью повышения стабильности частотной харак ри й.Й у ДЯЯ Й Г и терист %=ус те, од н з участ= ков проводящего слоя RC-структуры подключен к выходу эмиттерного повторителя, а другой — к коллектору первого транзистора усилительного каскада.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Патент США Р 3436669, кл. 330-21, 1968.