Способ изготовления интегральных схем

Способ изготовления интегральных схем

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советеиик

Социалистичеооа

Республик (i i654198

Р .. с;: °, (61) Дополнительный к патенту (22) Заявлено 02.10.72 (21). 1724551/

/1 83307 6/2 6-2 5 (23) Приоритет - (32) 0 . 02.71 (5!) М. Кл, Н 01 4 27/02

Гааударставиный ааматат

СССР аа делам азабрвтаей

И OTKPblTNN (3!) 111956 (ЗЗЪ сшл (5З) УДЫ 621.382.. 002 (088. 8) Опубликовано25.03.79.Бюллетень № 11

Дата опубликования описания 28.03.79

Инос транеп дуглас Ли Пельтпер (сшл) (72) Автор изобретения

Иностранная фирма

"Файрчайлд Камера Энд Инструменто Корпорейшн (сшл) (71) Заявитель (54) СПОСОВ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

Изобретение относится к технологии полупроводниковых интегральных схем, в частности, к способу электрической изоляпии активных элементов биполярных интегральных схем. При этом изоляция элементов схемы осуществляется обратно смещенным р-п переходом. Однако плошадь поверхности кремниевой лластины, необходимая для размещения изолирующих зон между соседними ячейками полупроводникового материала, занимает большую часть всей поверхности кристалла. Зто в свою очередь уменьшает число устройств, которые могут быть размеше ны на пластине.

Проводники, нанесенные на изоляпию, находящуюся на поверхности пластины, могут обрываться на ступеньках из-за большой толщины маскирующего слоя окисла.

Использование известного способа изоляции ведет к увеличению паразитных емкостей транзистора, что снижает быстродействие схемы и т.д.

Ф

11ель изобретения - создание электрически изолированных участков полупроводникового слоя и уменьшения габаритов схемы. для этого полупроводниковый материал локально окисляют на глубину большую толщины эпитаксиального слоя до смыкания окисленных областей с изолирующим р-п переходом.

Для изготовления биполярного транзисщ тора по данной технологии предлагается следующая последовательность операпий.

Пластина кремния р-типа окисляется для создакия маскирующего окисла, затем проводится фотолитографическая об15 работка Л Оапод диффузию скрытого слоя; диффузия для создания 6 -типа скрытого слоя; снятие окисла и выращивание тонкого (менее 5 микрон) эпитаксиального слоя кремния р-типа; осаждение слоя

2Î ннтрнда кремния; фотолитографическая обработка Sj N4. травление эпнтакснальной пленки кремния, в местах незащншен ных нитридом кремния до половины толшины эпитаксиального слоя; окисление

Составитель <. Островская

Тэхред M. Петко Корректор П. макаревич

Редактор E. Гончар

Заказ 1349/48 Тираж 922 Подписное

UHHHfIH Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д, 4/5

Филиал ППП Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4 незашишенных нитридом кремния участков эпитаксиального слоя кремния. снятие нитрида кремния; окисное маскирование и диффузия. коллектора; окнсное маскирование и диффузия эмиттера; окисное маскирсвание и вскрытие контактов к эми теру, базе и коллектору и осажденне мьталлического слоя, фотолитография по металлу и вжигание.

Данная технология позволяет в одном технологическом процессе изготавливать, кроме и-р-и транзисторов, диоды, эпитаксиальные резисторы (5 ком/О ), базовые резисторы (600 ом/Е7 ), пересечения токоведуших шин и т.д. Кроме того предлагаемая технология позволяет улучшить целый ряд электрических характеристик приборов. Зоны окисной изоляции определяют боковое распространение

«оллекторов. В некоторых случаях сокращается общее число этапов маскирования, необходимых для изготовления интегральной схемы, снижается вероятность корот» кого замыкания эмиттерных и коллекторных областей при более плотной компановке электронов транзистора, уменьшается паразитная емкость и повышается пробивное напряжение боковых стенок изоляцни. дефекты фотошаблонов и фоторезиста оказывают меньшее влияние на выход годных приборов.

Предлагаемый способ может найти широкое применение при изготовлении обширного класса полупроводниковых приборов и интегральных схем.

Формула изобретения ю

Способ изготовления интегральных схем, включающий операции эпитаксиального наращивания легированного полупроводникового слоя на полупроводниковой под15 ложке, нанесения на поверхность эпитаксиальной пленки защитного от окисления покрытия, фотолитографии по этому покрытию, химического травления и термического окисления эпитаксиальной пленки

20 в местах удаления защитного покрытия, о т л и ч а ю ш и и с я тем, что, с целью создания электрически изолирован» ных участков полупроводникового. слоя

25 и уменьшения габаритов схемы полупро

1 водниковый материал локально окисляют на глубину большую толщины эпитаксиального слоя до смыкания окисленных обласътей,с изолирующим р-и переходом.