Сегнетокерамический материал с высокой диэлектрической проницаемостью

Сегнетокерамический материал с высокой диэлектрической проницаемостью

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик (и>654581 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 30.11.77 (21) 2549221/29-33 (51) М. Кл.

С 04 В 35/00 с присоединением заявки ¹

Государственный комитет

СССР оо делам нзобре1pHHH и открнтий (23) Приоритет (53) УДК 666. 655 (088.8) Опубликовано 30.03.79. Бюллетень ¹ 1 2

Дата опубликования описания 30.03..79 (72) Авторы изобретения

3,А.Мяльдун и B ..М.Варикаш (71) Заявитель (54) СЕГНЕТОКЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ С ВЫСОКОЙ

ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТЬЮ при следующем соотношении компонентов, вес.Ъ:

ВаТ О 83,2 — 90,6

Ва ЕЛО 3 8 — 16

>g N 06 0,8 — 1,4

Для получения описываемого материала приготавливают смесь компонентов в необходимых соотношениях из предварительно синтезированных спеков ВаТ1 О, Ва1гО.„и Мд НЬ 06.

Смесь спеков измельчают до удельной поверхности 5 — 7 10 см /r. Полу2 ченную массу пластифицируют известными методами. Формуют в изделия и о, обжигают при температуре 1340-1370 С в течение 1,5-3 ч.

Примеры конкретных составов предлагаемого материала и их свойства даны в таблице, Сегнетокерамический материал, имеющий состав, вес Ъ: BaTiО 85, Ва 1гО з 14, МЯ МЬ 0 l, характеризуется следующимй свойствами:

Диэлектрическая проницае-. мость Я 20000

Изобретение относится к керамическим материалам, используемым в электронной технике для изготовления электрических конденсаторов постоянной емкости.

Известны сегнетокерамические материалы с высокой диэлектрической проницаемостью на основе титана бария, применяемые в производстве керамических конденсаторов (lj.

Однако такие материалы не обладают достаточно высокими значениями диэлектрической проницаемости.

Наиболее близким к изобретению техническим решением является материал T-8000 на основе твердых раст— воров ВаТ О вЂ” BaZr0q (2).

Недостатком данного материала является невысокое значение диэлектрической проницаемости, которая находится в пределах 8000 †140.

Цель изобретения — повышение диэлектрической проницаемости, удельного объемного электрического сопротивления, снижение диэлектрических потерь °

Укаэанная цель достигается тем, что сегнетокерамический материал на основе твердых растворов ВаТ ОЗВа Zr0 дополнительно содержит lgN 30

Относительное изменение с о 85 при температуре +85 С, Ъ

Относительное изменение Е при температуре — 40 С, Ъ 90

654 581

Относительное изменение реверсивной E Ъ

О, 007

О, 002

Удельное объемное электрическое сопротивление, ГОм,M

7 10 5,2

4 10 6,0

5.10 6,3

90,6 8

86,9 12

83,2 16

22600

1,4

3,0

+50

0,4

+20

0,8

0,6

Формула изобретения

30.Сегнетокерамический материал с высокой диэлектрической проницаемостью на основе твердых растворов

ВаТ О>-ВаЕ Оз, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения диэлектрической проницаемости, удельного объемного электрического сопротивления, снижения диэлектрических потерь, он дополнительно соСоставитель H.Ôåëüäìàí

Техреду З.Фанта Корректор

С .Шекмар

Редактор T.Êóçüìèíà

Заказ 2302/214

Тираж 701 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035 Москва, Ж-35 Раушская. наб. д.4/5

Филиал ППП Патент, r.Óæãoðoä, ул.Проектная,4

Тангенс угла диэлектрических потерь при температуре 2 5+1 О С, Ъ

Тангенс угла диэлектрических потерь при температуре 85 3 С, Ъ

Влектричеокая «роя«ость, NB/M 5, 9

Предел прочности при ст»вЂ” тическом изгибе, МПа

Температурный коэффициент линейног î ра< ширения, 1/ С 10 8

Практическое применение предложенного материала позволит улучшить характеристики керамических конденсаторов сегнетоэлектрической группы. держит MgNt106 при следующем соотношении компонентов, вес.%:

Ват О, 83,2 — 90, 6

В аале, 8 — 16

МГИ Р, 0,8 — 1,4

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США Р 3345189, кл. 106-39, 1969.

2. Вопросы радиоэлектроники.

Сер. 3, вып.5, 1962, с. 21-26 °