Двухтактный магнито-транзисторный усилитель

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

)Й-1 6МОЬ4-ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 11.11,77 (21) 2543401/24-07 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 30.03,79. Бюллетень ¹ 12 (45) Дата опубликования описания 30.03.79 (51) М. Кл.-"

Н 03Г 9/00

Государственный комите) (53) УДК 621.318.435. .3(088.8) по делам изобретений и открытий (72) Автор изобретения

А. П. Инешин (71) Заявитель (54) Д В УХТА КТ Н Ы Й МАГ Н И ТО-ТРА Н 3 И СТО Р Н Ы Й

УСИЛ ИТЕЛЬ

Изобретение относится к усилителям для различных систем электроавтоматики.

Известен магнито-транзисторный усилитель, выполненный на двух сердечниках с рабочими обмотками, включенными последовательно с нагрузкой через два транзистора и вторичные отмотки трансформатора питания (1). Недостатком этого устройства явл яется невозможность реверса напр я>ксн ия и а Гp) 3 ки.

Наиболее близким по техническим средствам и достигаемым результатам является магнито-транзисторный усилитель, выполненный на двух сердечниках с рабочими обмотками, включенными последовательно с нагрузкой через два транзистора и вторичные обмотки трансформатора питания, и содержащий выпрямительный мост и источники напряжения смещения и управления (2). Недостатком этого устройства является сложность конструкции.

С целью упрощения конструкции в предложенном магнито-транзисторном усилителе использованы транзисторы разного типа проводимости, эмиттеры которых через нагрузку соединены с общей точкой обмоток трансформатора, а коллекторы — с зажимами постоянного тока выпрямительного моста, зажимы переменного тока которого икл)очены в цепь рабочих обмоток, причем источник напряжения управления включен между общей точкой эмиттеров и общей точкой источников напряжения смещения, подключенных к базам транзисторов.

На чертеже представлена схема магнитотранзисторного усилителя.

В установившемся режиме работы при нулевом сигнале управления транзисторы

1, 2 открыты действием источника напря)о жсния смещения 3. При этом в образующейся схеме дроссельного магнитного усилителя рабочие обмотки 4, 5 через транзп сторы 1, 2 связаны с нагрузкой 6.

)5 Напряжение источника управляющего сигнала 7 положительной полярности, складываясь с напряжением верхней половины источника смещения 3, продолжает удерживать транзистор 1 в открытом состоянии и, вычитаясь из напряжения нижней половины источника 3, переводит транзистор 2 в режим усиления. При этом транзистор 2 шунтируст вентили выпрямитсльного моста 8, осуществляющие самонасыщение сер25 дечников магнитного усилителя.

При отрицательной полярности управляющего сигнала в открытом насыщенном состоянии остается транзистор 2, а транзистор 1 по мере роста входного сигнала

30 запирается. ю

Формула изобретения

Двухтактный магнито-транзисторный усилитель, выполненный на двух сердечниках с рабочими обмотками, включенными последовательно с нагрузкой через два транзистора и вторичные обмотки трансформатора питания, и содержащий выпрямительный мост и источники напряжения смещения и управления, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью упрощения конструкции в нем использованы транзисторы разного типа проводимости, эмиттеры которых через нагрузку соединены с общей точкой обмоток трансформатора, а коллекторы — с зажимами постоянного тока выпрямитель655066 ного моста, зажимы переменного тока которого включены в цепь рабочих обмоток, причем источник напряжения управления включен между общей точкой эмиттеров и

5 общей точкой источников напряжения смещения, подключенных к базам транзисторов.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

10 1. Розенблат М. А. Магнитные усилители с самонасыщением. М,-Л., ГЭИ, 1963, с. 112, рис. 58а.

2. Розенблат М. А. Магнитные усилители с самонасыщением, М.-Л., ГЭИ, 1963, т. 112, 15 рис. 58в.

Составитель В. Литвиненко

Редактор В. Левятов Техред А. Камышникова Корректоры: Т. Добровольская и Л. Орлова

Заказ 1049/17 Изд. № 250 Тираж 1089 Подписное

НПО Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2