Сверхвысокочастотный п-манипулятор
Иллюстрации
Показать всеРеферат
О П И С" А Н И Е
ИЗОБРЕТЕНИЯ
Союз Соеетсимк
С©цмалмстнмескмк
Рвспубпнк (ii)658631 (61) Дополнительное к авт. свил-ву (22) ЗаявлЕно17. 10.75 (21) 2-182888/18-09 с присоединением эаявки № (23) Приоритет
Опубликовано25.04.79. Бюллетень № 15
Дата опубликования описания 28.04.79 г (Ы) М. Кл.
Н 01 Р 1/18
Гееударетееиивб комитет
СССР ее делам иэебретвиий и еткрмтик (53) УДК 62 1. 37 2 (088.8) (72) Авторы изобретения
О. Э. дворкин и Б. И. Козлов (71) Заявитель (54) СБЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ 5I -МАНИПУЛЯТОР
Изобретение относится к радиотехнике и может испопьзоваться в радиотехнических установках дпя быстрой комму» тации фазы высокочастотного сигнала.
Известен сверхвысокочастотный К-манипупятор, содержащий два попупровод% никовых диода, один из которых подключен к двум связанным между собой четвертьвопновым проводникам (11.
Однако известный сверхвысокочастот10 ный Ж -манипулятор обпадает бопьшими потерями и фазовыми ошибками.
Пепью изобретения явпяется уменьшение потерь и фазовых ошибок.
11пя достижения поставленной цепи в сверхвысокочастоl ный Я -манипулятор, содержащий два полупроводниковых диода, один из которых подключен к двум связанным между собой четвертьволновым проводникам, введены два допопнитепьных, связанных между собой четвертьвопновых проводнйка, причем начало первого четвертьволнового проводника является входом сверхвысокочастотного Г-манипупятора, а конец его через доспедоватепьно вкпюченный первый полупроводниковый диод соедиен с концом первого допопнитепьного четвврть-. вопнового проводника, начапо которого явпяется выходом сверхвысокочастотного
fi,-манипупятора; при этом концы вторых четвертьвопновьтх проводников заземлены, а их начапа соединены через параппепьно подкшоченный второй полупроводниковый диод.
На фиг. 3. приведена функциональная схема предпоженного устройства; на фиг. 2 приведены, т афики фазочастот ных характеристик прототипа в двух состояниях; на фиг. 3 приведены графики фазочастотных характеристик предложенного устройства в двух состояниях; на фиг. 4 приведены графики частотных характеристик потерь пропускания прототипа в двух состояниях; на фиг. 5 приведены графики частотных характеристик потерь пропускания предложенного устройства в двух состояниях.
658631
Сверхвысокочастотный К -манипулятор содЕржит два полупроводниковых диода 1 и 2, один из которых подключен к двум связанным между собой четвертьволновым проводникам 3 и 4, два дополнительных, связанных между собой четвертьволновых проводника 5 и 6, причем начало первого четвертьволнового проводника 3 является входом сверхвысокочастотного Я -манипулятора, а конец еГо через последовательно включенный первый полупроводниковый диод 1 соединен с концом первого дополнительного четвертьволнового проводника 5, начало которого является выходом сверхвысокочастотного K-манипулятора, при этом концы вторых четвертьволновых проводников 4 и 6 заземлены, а их начала соединены через параллельно вкшоченный второй полупроводниковый диод 2.
Сверхвысокочастотный Я -манипулятор работает следующим образом.
При нахождении нолупроводниковых диодов 1 и 2 в замкнутом состоянии (состояние 1) сигнал пройдет с входа сверхвысокочастотного Я-манипулятора на его выход через два связанных между собой четвертьвопновых проводника 3 и 4, последовательно включенный первый полупроводниковый диод 1 и два дололнительных связанных между собой четвертьволновых проводника 5 и 6. Сдвиг фазы при этом будет определяться выражением:
e u.
С где E- длина двух связанных между собой четвертьволновых проводника 3 и4 (5и6);
0U- частота;
С - скорость света.
При приведении полупроводниковых диодов 1 и 2 в разомкнутое состояние (состояние 2) сигнал проходит с входа сверхвысокочастоного Я-манипулятора на его выход через два связанных между собой четвертьволновых проводника 3 и 4, параллельно установленный полупроводниковый диод 2 и два дополнительных связанных между собой четвертьволновых проводника 5 и 6.
При этом сдвиг фазы определяется выражением: 2 (ой ос
Ч = 2avccos —. 1-() co96 (2) 91П8 LZ îå- Еоо
7. tub да с
Тогда скачок фазы при переключении полупроводниковых диодов 1 и 2 определится выражением
8UU
2 «(2
ЬЧ 2 2с(гссО9 «Сс 9 (Я и на центральной частоте диапазона ЬЧ=Ж
Как видно из графиков, приведенных на фиг. 2, максимальные фазовые ошибки у прототипа в полосе частот, равной октаве, составляет 20 градусов, Из графиков, приведенньж на фиг. 3, следует, что максимальные фазовые ошибки у предложенного сверхвысокочастотногo fl -манипулятора в полосе, равной октаве, равны 8 градусов.
Как видно из графиков частотных характеристик потерь, приведенных на фиг. 4 и 5, максимальные потери лропускания в диапазоне частот, равном октаве, у прототипа 12,4 дБ, а у предложенного сверхвысокочастотного fl -ма« нипулятора 1,5 дБ.
Таким образом, в диапазоне частот шириной в октаву достигается уменьшение фазовых ошибок более, чем в два раза, потерь пропускания более, чем на
1О дБ, и имеет место значительное уменьшение габаритов предложенного устройства по сравнению с прототипом.
Кроме того, по сравнению с широкополосными fL -Maíèèóèÿ Topàìè, имеющими волноводный выход, либо выход на изолированной двухпроводной линии, предложенное устройство имеет более широкую область применения, компактнее, имеет меньшие габариты проще, содержит всего два полупроводниковых диода, может использоваться в малогабаритной аппаратуре в составе полосковых моноблоков.
Формула изобретения
Сверхвысокочастотный Ю -манипулятор, содержащий два попупроводниковых диода, один из которых подключен к двум связанным между собой четвертьволновым проводникам, о и л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью уменьшения потерь и фазовых ошибок, введены два дополнительных, связанных .между собой четвертьволновых проводника, причем начало первого етвертьволнового проводника, является входом сверхвысоко ис/ тотного Ь -манипулятора, а конец er r>
<»Hf>31
Фuz. Р
Фиг. 7 через последовательно включенный первый полупроводниковый анод соединен с концом первого дополнительного четвертьволнового провоаника, начале которого является выходом сверхвысокочастоти т. и, -манипулятора; при этом концы вторых четвертьвопновых проводников заземлены, и их начала соединеиы черо.. параллельно включенный второй полупроводниковый диод.
Источники информации, принятые 80
З внимание ири экспертизе
1."1E E F- Тгсим смсФлоиэ оо М с о да е
Тйеог and ТесЬтс ues."И о, чоР. мтт-t8, р- 21-652 °
658631 й)ф
4 ив. Ф
95 йlю
Фиг.S
Составитель Е. Прозоровская
Редактор Л. Гельфшан Техред Э. Чужик Корректор М. Пожо
Заказ 2067/48 Тираж 922 П одписное
ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП "Патент", г. УжгоРод, Ул. Проектная, 4