Акустоэлектронный усилитель
Иллюстрации
Показать всеРеферат
Союэ Советских
Социалистических
Республик
ОП ИС
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДИТВЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свил-ву(22) Заявлено 23.09.75(21) 2174567/18-09 с присоединением заявки № (23) Приоритет
Опубликоваио25.04.79.Бюллетень ¹15
Дата опубликования описания 28.04.79 (51) М. Кл.
Н 03 f 21/OO
Гоеудн рртеенный номнтет
СССР пн денни нзебретеннй н еткрытнй (53) УДК 621.317 (088. 8) (72) Авторы изобретения
Ю. В. Гуляев, Л. М. Кмита, A. В, Медведь и B. Н. Федорец
Ордена Трудового Красного Знамени институт радиотехники и электроники АН СССР (71) Заявитель (54) АКУСТОЭЛжТРОННЫй УСИЛИТ Лт
Изобретение относится к радиотехнике.
Известен акустоэпектронный усилитель, состоящий из пьезоэлектрического звукопровода, на рабочей поверхности которого расположены входной и выходной эпектромеханические преобразователи и два гетеродинных преобразователя, между которыми расположена полупроводниковая среда, подключенная к источнику постоянного тока. 11.
Однако известный акустоэпектронный усилитель имеет спожную конструкцию и большую потребляемую мощность.
Цепь изобретения - упрощение конструкции при снижении потребляемой мощности.
Дпя этого в акустоэпектронном усипителе, состоящем из пьезоэпектрического звукопровода, на рабочей поверхности которого расположены входной и выходной эпектромеханические преобразователи и два гетеродинных преобразоватепя, между которыми расположена попупроводниковая среда, подключенная к источнику — .-{- ° ° {- ь — { {Л{ {{K{V {:".% ИМЯ
7В% "à{=.{{{{ ìü{{ 1
Д Н И Е < >658711 постоянного тока, гетеродинные преобразоватепи гальванически соединены между собой, а расстояние между ними равно ипи больше удвоенной длины гетеродин- ° ного преобразователя.
На фиг. 1 приведен первый вариант конструкции акустоэпектронного усилитепя; на фиг. 2 — второй вариант конструкции акустоэпектронного усилителя.
Акустоэпектронный усипитепь состоит из пьезоэлектрического звукопровода 1, на рабочей поверхности которого распопожены входной и выходной эпектромеханические преобразоватепи 2 и 3 и два гетеродинных преобразователя 4, между ко» торыми расположена попупроводниковая среда 5, подключенная к источнику постоянного тока 6, причем гетеродинные преобразоватепи 4 гапьванически соединены между собой, а расстояние между ними равно ипи больше удвоенной дпины гетеродинного преобразоватепя 4.
Акустоэпектронный усилитель работает следующим образом.
658711
Принцип действия акустоэлектронного усилителя основан на эффекте распределенного и супергетеродинного усилителя.
Мощная поверхностная акустическая волна образуется за счет самовозбуждения 5 генератора, образованного полупроводниковой средой 5 и двумя гетеродинными преобразователями 4, гальванически соединенными между собой. Гальваническое соединение гетеродинных преобразо- 1О вателей 4. обеспечивает положительную обратную связь, необходимую для самовозбуждения генератора. Положительная обратная связь достигается тем, что между гетеродинными преобразователями
4 укладывается целое число длин волн, то есть расстояние между гетеродинными преобразователями 4, по меньшей мере, равно удвоенной длине гетеродинного преобразователя 4 вдоль пьезоэлектрического звукопровода 1. Для осуществления самовозбуждения усиление в полупроводниковой среде 5 больше потерь преобразования гетеродинных преобразователей
4, что достигается выбором длины полупроводниковой среды 5.
В первом варианте конструкции акустоэлектронного усилителя, приведенном на фиг. 1, пьезоэлектрический звукопровод 1 выполнен из L И tl (3 (-среза.
Полупроводниковая среда 5 из 105Ь толщиной 600-800 А с алюминиевыми омическими контактами 7 отделена от пьезоэлектрического звукопровода 1 подслоем
O 35
SiO толщиной 300-400 А и закрыта сверху 310 толщиной л 1000 А, Входной, выходной и гетеродинные преобразователи
2, 3 и 4 - встречно штыревого типа из алюминия. Гальваническое соединение ге» теродинйых преобразователей 4 осуществлено алюминиевой полоской.
Особенностями второго варианта конструкции, приведенной на фиг. 2, является то, что пьезоэлектрический звукопровод 1 выполнен из сульфида кадмия с гексагональной осью перпендикулярной рабочей поверхности, а полупроводниковая среда 5 образуется подсветкой через щель
8 в непрозрачном экране 9.
Акустоэлектронный усилитель Iro сравнению с прототипом имеет более простую конструкцию и потребляет при этом меньшую мощность.
Формула изобретения
Акустоэлектронный усилитель, состоящий из пьезоэлектрического звукопровода, на рабочей поверхности которого расположены входной и выходной электромеханические преобразователи и два гетеродинных преобразователя, между которыми расположена полупроводниковая среда, подключенная к источнику постоянного тока, отличающийся тем,что,с целью упрощения конструкции при снижении потребляемой мощности, гетеродинные преобразователи гальванически соединены между собой, а расстояние между ними больше или равно удвоенной длине гетеродинного преобразователя.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1. Кмита А. М. и др. Письма в
ЖЭТФ», 1974, № 20, с. 453, 658711
CHem
Составитель A. Кузнецов
Техред О. Андрейко Корректор В. Синицкая
Редактор Л. Гельфман
Заказ 2074/52 Тираж 1059
UHHHHH Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„д. 4/5
Подписное
Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4