Способ выборочного стирания сигнала в бистабильной запоминающей электнонно-лучевой трубке

Способ выборочного стирания сигнала в бистабильной запоминающей электнонно-лучевой трубке

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Соаетсккк

Соцкалмсткческмк е вспубвкк

51) М. Кл.е

Н 04 N 3/16

Гееудерстееаве кемктет

СССР ее делам езебретанкк е еткрктке, 53) УДК62!.397 (088.8) Опубликовано 25.04.79. Бюллетень № 1

Дата опубликования описания 30.0 . 7Я (72) Авторы изобретения

В. А. Богаченко и А. A. Личманов (71) Заявитель (54) СПОСОБ ВЫБОРОЧНОГО СТИРАНИЯ СИГНАЛА

В БИСТАБИЛЬНОЙ ЗАПОМИНАЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОННОЛУЧЕВОЙ

ТРУБКЕ

Изобретение относится к радиотехнике и может использоваться в устройствах отображения информации.

Известен способ выборочного стирания сигнала в бистабильной запоминающей электроннолучевой трубке с видимым изображением путем облучения всей поверхности мишени расфокусированным воспроизводящим пучком электронов 111.

Однако в известном способе низкая точность выборочного стирания сигнала.

Цель изобретения — повышение точности выборочного стирания сигнала.

Для этого в способе выборочного стирания сигнала в бистабильной запоминающей электроннолучевой трубке с видимым изображением путем облучения всей поверхности мишени расфокусированным воспроизводящим пучком электронов, часть расфокусированного воспроизводящего пучка электронов фокусируют в выбранном участке мишени до пяти-десяти кратного увеличения плотности тока пучка по сравнению с его средней плотностью и подают на мишень отрицательный импульс с амплитудой, равной рабочему напряжению на коллекторе, длительностью,равной 5-50 мсек, и соотношением

2 между длительностями. переднего и заднего фронтов отрицательного импульса не менее

l:10.

На фиг. 1 представлено схематическое изображение устройства, реализующего предложенный способ; на фиг. 2 приведена кривая зависимости коэффициента вторичной электронной эмиссии с от энергии электронного пучка вгспроизводящего прожектора.

Сущность способа выборочного стирания

10 сигнала в бистабильной запоминающей электроннолучевой трубке с видимым изображением заключается в следующем.

Всю поверхность мишени облучают расфокусированным воспроизводящим пучком электронов, фокусируют на участке мишени, на котором производится выборочное стирание, часть расфокусированного воспроизводящего пучка электронов фокусируют в выбранном участке мишени до пяти-десяти кратного увеличения плотности тока пучка по р сравнению с его средней плотностью и подают на мишень или коллектор отрицательный импульс с амплитудой, равной рабочему напряжению на коллекторе. длительностью, равной 5-50 мсек, и соотношением между

658775 длительностями переднего и заднего фронтов отрицательного импульса не менее 1.10.

Устройство, реализующее предложенный способ, содержит бистабильную запоминающую электроннолучевую трубку I с отклоняющей системой 2 и внешнее фокусирующее устройство 3.

Бистабильная запоминающая электроннолучевая трубка 1 содержит стеклооболочку 4, мишень 5 с диэлектрической поверхностью 6, записывающий прожектор 7, воспроизводящий прожектор 8, экран 9, коллектор 10 19 и линзу коллимации 11.

Кроме того. на фиг. 1 показаны участок !

2 мишени 5, на котором происходит выборочное стирание сигнала, расфокусированный воспроизводящий пучок электронов 13, формируемыи воспроизводящим прожектоfS ром 8, и записывающий пучок электронов 14.

Вся диэлектрическая поверхность 6 мишени 5 облучается расфокусированным .воспроизводящим пучком электронов 13, и с помощью записывающего пучка электронов 14 gy создается на мишени 5 положительный потенциальный рельеф, соответствующий закону отклонения записывающего пучка электро нов 14 по диэлектрической поверхности 6 мишени 5. Выборочное стирание информации производится путем фокусировки части расфокусированного воспроизводящего пучка электронов 13 с помощью внешнего фокусирующего устройства 3, установленного перед экраном 9 напротив участка 12 мишени:

5, на котором необходимо произвести сти-, з© рание информации. Затем часть расфокусированного воспроизводящего пучка электронов 13 фокусируется дб пяти-десяти кратного увеличения плотности тока в плоскости мишени 5 по сравнению со средней плотностью воспроизводящего пучка 13, облучающего всю поверхность мишени 5.

Значительное увеличение плотности воспроизводящего пучка 13 на участке 12 ми. шени 5, на котором необходимо стереть ин. формацию, связано с тем, что время, не- @ обходимое для стирания записанного положительного рельефа воспроизводящим потоком электронов при энергии, соответствующей потенциалу, меньшему У„р1 (фиг. 2), обратно пропорционально плотности тока воспроизводящего пучка. Поэтому фокусировка части воспроизводящего пучка 13, а следовательно, значительное увеличение плотности тока электронов воспроизводящего прожектора 8 на участке 12 мишени 5, необходимо для того, чтобы для стирания Ю информации -на участке 12 мишени 5 потребовалось время, в несколько раз меньшее, чем для стирания информации на остальной поверхности мишени 5. Затем на мишень 5 (или коллектор 10) подается короткий (5-50 мсек) отрицательный импульс с амплитудой, равной рабочему напряжению коллектора 10 с крутым передним и пологим задним фронтами.

Использование такого импульса обуслав= ливается тем, что амплитуда импульса по абсолютной величине должна быть заведомо больше первого критического потенциала с учетом его разброса О р, «+ ЬУкр < (фиг. 2) по диэлектрической поверхности 6 мишени 5.

Поскольку рабочее напряжение коллектора

10 равно UQ 2U+p то учитывая разброс, U > по диэлектрической поверхности 6 мишеки 5, амплитуду импульса стирания целесообразно устанавливать равйой рабочему: напряжению коллектора. Задний фронт сти рающего импульса должен быть пологим:

В противном случае, за счет емкостной связи мишень-коллектор по окончании стирающего импульса с крутым задним фронтом произойдет перезаряд диэлектрической поверхности 6 мишени 5 до потенциала коллектора 10.

Если передний фронт импульса составляет более 10 /О от заднего, то трудно установить такую минимальную длительность им пульса, при которой произойдет стирание информации. Этим и обуславливается применение импульса с крутым передним фронтом.

Воспроизводящий поток" электронов начщ нает стирать информацию при условии, если положительный потенциальный рельеф, приблизительно равный потенциалу коллектора

10 Ув, соответствующий записанной информации, будет смещен за счет емкостей связи мишень 5 — диэлектрическая поверхность 6 с помощью отрицательного импульса, подаваемого на мишень 5 к потенциалу катода воспроизводящего прожектора 8. Стирание информации возможно и при условии подачи этого же отрицательного импульса на коллектор 10.

При осуществлении укаэанной последовательности действий и применении короткого (5-50 мсек) импульса записанный потенциальный рельеф на выбранном участке

)2 мишени 5 будет снижен до U «U a, а на всей остальной диэлектрической поверхности 6 мишени 5 до V )U g (фиг. 2).

По окончании действия импульса вос-, производящий пучок электронов 13 доведет потенциал М» на выбранном участке 12 мишени 5 до нулевого значения, а потенциал диэлектрической поверхности 6 мишени

5, на которой необходимо сохранить ранее, записанную информацию, восстановит до потенциала коллектора 10 Мв(фиг. 2). В результате будет произведено выборочное стирание информации.

Таким образом, предложенный спосоц позволяет контролировать точность установки воспроизводящего пучка электронов на заданном участке мишени и качества последовательного стирания записанной на мишени информации в виде отдельных цифр, знаков, графиков и одновременно наблюдать информацию, которая не подлежит выборочному стиранию.

658775 э

Формула изобретения

У ергит эяекаронрВ

Редактор Л. Гельфман

Закаэ 2083/56

ЦНИИПИ Госудврствеикого комитета СССР по делам изобретений и открытий

I! 3035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП <Патента, г. Ужгород. ул. Проектная, 4

Способ выборочного стирания сигнала в бистабильиой запомииающей электронно-. лучевой трубке с видимым изображением путем облучения всей поверхности мишени расфокусированным воспроизводящим пуч-! ком электронов, отличающийся тем, что, с целью повышеиия точности выборочного стираиия, часть расфокусированного воспроизводящего пучка электронов фокусируют в выбранном участке мишени до пяти-десяти б

3.

% ч

Ъм а ф

4 кратного увеличения плотности тока пучка по сравнению с его средией плотностью и подают иа мишень отрицательный импульс с амплитудой, равной рабочему напряжению иа коллекторе, длительностью, равной 5—

50 миллисекунд, и соотношением между длительностями переднего и заднего фронтов отрицательного импульса ие менее 1:10.

Источники информации, принятые во виимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

Мв 568982, кл. M 01 3 31/08, 1973.

Составитель В. Старостин

Техред О. Луговая Корректор E. Папп

Тираж 774 Подписное