Многоэлементный источник света
Иллюстрации
Показать всеРеферат
МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ ИСТОЧНИК СВЕТА, coflepKai'jjift герметизированный корпус, в ко^тором размещена керамическая подложка, кристаллы широкозонных полупроводниковых соединений с электролюминесцирующим р -п-переходом, расположенные на параллельных металлизированных полосках керамической платы и соединенные проволочньми выводами с проводниками, расположенными перпендикулярно ме-тя.плизированным полоскам керамической платы, о, т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью повышения onTi-t- 4ecKofi изоляции и ко}1трастности его излучения, на керамической плате между металлизированными полосками и проводниками установлена изоляционная плсчстина с сеткой конических отверстий, центр которых расположен на средней линии металлизированных полосок керамической платы и на поверхность стенок которых нанесено металлизированное отражаю1цее покрытие, а кристаллы широкозонных полупроводниковых соединений с злектролюминесцирую1цим р -р-переходом, расположенные на параллельных металлизированных полосках керамической платы, размещены в сквозных конических отверстиях изоляционной пластины.(ЛS Wг /J /г п05OiоСП Осо
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИН 1 !! H 01 L 31/12
0 Ш 7 2 012 !!
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 2523013/18-2! (22) 29.08.77 (46) 15.05.85. Бюл. К 18 (72) Т.А.Кротова, В.И.Павличенко, В.П.Сушков и В.К.Скарин (53) 621.396.6(088.8) (56) 1. Патент США !"- 3821616, кл. 357-29, опублик. 1972.
2. Каталог фирмы "monsanto", опублик. 1977. (54)(57) МНОГОЭЛЕМЕНТНЫЙ ИСТОЧНИК
СВЕТА, содержащий герметизированный корпус, в котором размещена керамическая подложка. кристаллы широкозонных полупроводниковых соединений с электролюминесцирующим P -n †переходом, расположенные на параллельных металлизированных полосках керамической платы и соединенные проволочными выводами с проводниками, расположенными перпендикулярно ме„„su„„ecosoc таллизированным полоскам керамической платы, и т л и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения оптической изоляции и контрас.тности его излучения, на керамической плате между металлизированными полосками и проводниками установлена изоляционная пластина с сеткой конических отверстии, центр которых расположен на средней линии металлизированных полос K керамической платы и на поверхность стенок которых нанесено металлизированное отражающее покрытие, а кристаллы широкозонных полупроводниковых coe;,инений с электролюминесцирующим p -!!-переходом, рас положенные на параллельных металлизированных полосках керамической платы, размещены в сквозных конических отверстиях изоляционной пластины.
660509
Составитель
Техред M. Надь
Редактор Л.Письман
Корректор о Билак
Заказ 2835/4 Тираж 679
ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Подписное
Филиал ППП "Патент"., г. Ужгород, ул. Проектная, 4
Изобретение относится к импульсной технике и может быть испольэовано в качестве источника света.
Известен многоэлементный источник света, содержащий несколько электролюминесцирующих р -и-переходов на одном полупроводниковом кристалле, размещенных на плате (1) . Недостаток этого источника заключается в наличии значительной опти- !О ческой засветки между элементами, Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является многоэлементный источник света, содержащий герметизированный 15 корпус, в котором размещена керамическая подложка, кристаллы широкозонных полупроводниковых соеди— нений с электролюминесцирующим p — ппереходом, расположенные на параллельных металлизированных полосках керамической платы и соединенные проволочными выводами с проводниками, расположенными перпендикулярно метаплизированным полоскам керамической платы (2j.
Однако этот элемент имеет недостаточную оптическую изоляцию и контрастность излучения.
Цель изобретения — повышение оптической изоляции и контрастности его излучения.
Для этого в многоэлементном источнике света, содержащем герметизированный корпус, в котором размещена керамическая подложка, кристаллы широкозонных полупроводниковых соединений с электролюминесцирующимp -П-переходом, расположенные на нараллельиых металлизированных
40 полосках керамической платы и соединенные проволочными выводами с проводниками, расположенными перпен— дикулярно металлиэированным полоскам керамической платы, на керамической плате между метаплиэированными полосками и проводниками установлена изоляционная пластина с сеткой сквозных конических отверстий, центр которых расположен»а средней линии металлизированных полосок керамической платы и на поверхность стенок которых нанесено металлизированное отражающее покрытие, а кристаллы широкозонных полупроводHHKoBblx соединений с электролюминесцирующим р -П-переходом, расположенные на параллельных металлизированных полосках керамической платы, размещены в сквозных конических отверстиях изоляционной пластины.
На чертеже приведена схема кон— струкции источника света.
Многоэлементный источник света содержит кристаллы 1, например, полупроводниковых соединений GaP размером 0,34 0,34 мм с электролюминесцирующим р -n-переходом и вы-! водами 2 и 3, размещенные в горизонтальном направлении на керамической плате 4 через слой токопроводящего клея 5 на металлизированных никелем и золотом полосках 6. Крис таллы l расположены в конических отверстиях 7 светорассеивающей пластмассовой пластины 8, соединенной герметизирующим компаучдом (клеем) 9 с керамической платой 4, Изнутри конические отверстия 7 пластины 8 имеют отражающее покрытие 10. На верх— ней наружной поверхности пластины 8 имеются размещенные вертикально ме таллизированные полоски 11, к которым присоединены золотой проволокой 12 (9 40 мкм) верхние выводы 2 кристаллов 1. Кристаллы 1 на плате 4 герме-. тизированы в монолитном пластмассовом корпусе 13.