Импульсный фотопреобразователь

Импульсный фотопреобразователь

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

AL FQI4%ho-E ° Aничеоиая

®чбл ете.

Союз Советских

Социалистических

Реслублнк

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву —— (22) Заявлено 01.04.77 (21) 2468550/18 — 21 с присоединением заявки №вЂ” (51) М. Кл.

Н 03 К 3/284 (23) Приоритет—

Гвсударстееииый квмитет

СССР по делам иэворетеиий и открытий

Опубликовано 05.05.79. Бюллетень № 17 (53) УДК 621,.374 (088.8) Дата опубликования описания 15.05.79.

В. П. Будянов, А. К. Гребнев, А. И. Кривоносов и В. Н. Прибульский (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) ИМПУЛЬСНЫЙ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в качестве преобразователя световых сигналов в элек-, трические.

Известен импульсный фотопреобразователь на основе мультивибратора в авто5 колебательном режиме, содержащии фотоколебательном режиме, содержащий фоторезисторы в базовых цепях транзисторов.

Недостатком известного устройства является ограниченный динамический диапазон преобразования (1).

Известен также импульсный фотопреобразователь, содержащий ключевой транзистор типа р — и — р, база которого через резистор подсоединена к коллектору ключевого транзистора типа п — р — и и через его коллекторный резистор к эмиттеру упомяну/ того ключевого транзистора типа р-п-р и к плюсовой клемме источника питания, минусовая клемма которого под- е соединена к эмиттеру упомянутого ключевого транзистора типа п — р — и, база которого подсоединена к одной из обкладок времязадающего конденсатора и через фоторезистор к плюсовой клемме источника питания, вторая обкладка упомянутого конденсатора подсоединена к общей точке, образованной соединением коллектдра упомянутого ключевого транзистора типа р — п — р и его нагрузки (транзистор типа и — р — и, работающий в режиме динамической нагрузки), эмиттер нагрузочного транзистора подсоединен к минусовой клемме, а его база через резистор подключена к плюсовой клемме источника питания. ю

Ф

Недостатком является ограниченныи динамический диапазон преобразования.

Цель изобретения — расширение динамического диапазона преобразований.

Для достижения поставленной цели в импульсный фотопреобразователь, содержащий ключевой транзистор типа р — n — р, база которого через резистор подсоединена к коллектору ключевого транзистора типа и — р — и и через его коллекторный резистор к эмиттеру уйомянутого ключевого трачзистора типа р — и — р и к плюсовой клемме источника питания, минусовая клемма которого подсоединена к эмиттеру упомянутого

661726 а ляются фотоприемниками к светового потока. преобразуемого

Устройство работает следующим образом.

При отсутствии запускающих импульсов схема находится в статическом состоянии, определяемом открытым состоянием обоих ключевых транзисторов 1 и 4. Времязадающий конденсатор 7 заряжен при этом до

10 уровня напряжения источника питания 6.

При подаче запускающего импульса происходит запирание транзисторов 1 и 4, что вызывает перезаряд конденсатора 7, который осуществляется через фоторезистор 8. Длительность перезаряда конденсатора 7 определяется сопротивлением фоторезистора 8, зависящим от уровня принимаемого им светового потока. Динамический диапазон преобразования схемы отличается от теоретически возможного диапазона из-за влияния коэффициента насыщения ключевых транзисторов 1 и 4 на длительность генерируемых импульсов. Введение дополнительного транзистора 12 и трех дополнительных фоторезисторов 3, 11 и 13, находящихся под воздействием того же светового потока, что

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема импульсного фотопреобразователя, который содержит ключевой транзистор 1 типа р — n — р, база которого через параллельно соединенные резистор 2 и третий дополнительный фоторезистор 3 подсоединена к коллектору ключевого транзистора 4 типа и — р — и, а через его 55 коллекторный резистор 5 подсоединена к эмиттеру ключевого транзистора 1 типа p — и — р и к плюсовой клемме источника питания 6, минусовая клемма которого подсоединена к эмиттеру ключевого транзистора 4 типа и — р — и, база которого подсоеди- 40 иена к одной из обкладок времязадающего конденсатора 7 и через фоторезистор 8 к плюсовой клемме источника питания 6, кол лектор ключевого транзистора 1 типа р — и — р соединен с коллектором нагрузочного транзистора 9 типа и — р — и и второй обкладкой времязадающего конденсатора 7, эмиттер нагрузочного транзистора 9 подсоединен к минусовой клемме источника питания 6, а его база через параллельно соединенные резистор 10 и второй дополнительный фоторезистор 11 подсоединена к плюсовой клемме источника питания 6, коллектор дополнительного транзистора 12 подсоединен к коллектору ключевого транзистора 4 типа и — р — n, эмиттер — к плюсовой клемме источника питания 6, а база через первый дополнительный фоторезистор 13 — к минусовой клемме источника питания 6, причем все фоторезисторы одновременно явФормула изобретения

- ключевого транзистора типа и — р — и, баз которого подсоединена к одной из обкладо времязадающего конденсатора и через основной фоторезистор к плюсовой клемме источника питания, а коллектор упомянутого ключевого транзистора типа р — и — р соединен со второй обкладкой времязадающего конденсатора и с коллектором нагрузочного типа n — р — п,эмиттер которого подсоединен к минусовой клемме источника питания, а база через резистор подсоединена к плюсовой клемме источника питания, введены дополнительные транзистор типа р — и — р и фоторезисторы, причем коллектор дополнительного транзистора типа р — n — р подсоединен к коллектору упомянутого ключевого транзистора типа и — р — и, его база через первый дополнительный фоторезистор подсоединена к минусовой клемме источника питания, плюсовая клемма которого подсоединена к эмиттеру дополнительного транзистора типа р — и — р и через второй дополнительный фоторезистор к базе упомянутого нагрузочного транзистора типа и — р — n, а третий дополнительный фоторезистор подсоединен параллельно базовому резистору упомянутого ключевого транзистора типа р-п-р, причем все фоторезисторы одновременно являются фотоприемниками преобразуемого светового потока. и основной фотоприемник 8, позволяет получить возможность автоматического поддержания коэффициента насыщения ключевых транзисторов 1 и 4 на постоянном уровне при изменении сопротивления фоторезистора 8 под воздействием воспринимаемого светового потока.

Импульсный фотопреобразователь, содержащий ключевой транзистор типа р — и — р, база которого через резистор подсоединена к коллектору ключевого транзистора типа и — р — и и через его коллекторный резистор к эмиттеру упомянутого ключевого транзистора типа р — и — р и к плюсовой клемме источника питания, минусовая клемма которого подсоединена к эмиттеру упомянутого ключсвого транзистора типа п — р — и, база которого подсоединена к одной из обкладок времязадающего конденсатора и через основной фоторезистор к плюсовой клемме источника питания, а коллектор упомянутого ключевого транзистора типа р — и — р соединен со второй обкладкой

Ьремязадающего конденсатора и с коллектором нагрузочного транзистора типа и — р — п, эмиттер которого подсоединен к минусовой клемме источника питания, а база через резистор подсоединена к плюсовой клемме источника питания, отличающийся тем, что, с целью расширения динамического диапазона преобразования, в него введены дополнительные транзистор типа р — и — р и фоторезисторы, причем коллектор дополнительно транзистора ти= па р — и — р подсоединен к коллектору упомянутого ключевого транзистора типа и — р — и, его база через первый дополнительный фоторезистор подсоединена к ми-. нусовой клемме источника питания, пл/осовая клемма которого подсоедйнена к эмит- " теру дополнительного транзистора типа р — и — р и через второй дополнительный

Составитель Г. Пешков

Техред О. Луговая Корректор М. Демчнк

Тираж 1059 Подписное

Редактор Д. Мепуришвили, Заказ 2506/61

ЦН И И П И Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал П П П «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4

661726

6 фоторезистор к базе упомянутого нагрузочного транзистора типа и — р — и, а третий дополнительный фоторезистор подсоединен параллельно базовому резистору упомянутого ключевого транзистора типа р — п — р, причем все фоторезисторы одновременно являются фотоприемниками преобразуемого . светового потока.