Динамический элемент
Иллюстрации
Показать всеРеферат
ОП ИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ ((((6629?1
Союз 4оаатеинк
Социалистицескнк
Реслублнн
1.-.-- - м i У,- (,.", г (51} М. Кл.
G 11 С 11/40
Н 03 К 3/286
К АВТРРСКОМУ СВИДЮЯЛЬСТВМ
Ф !,2:й/« йод (61) Дополнительное к авт. свил.ву(22) Заявлено 18.12.75(2!) 2199900/18-21 с присоединением заявки РЙ (®) Гееударвтввкквб каетет
СССР е лзлвм имбрвтеккй
II ОткРМткй (53) УДК 621.318. .57: 62 1. 374. . 3(088. 8) Приоритет
Опубликовано15.05.79.Бюллетень 3418
Дата опубликования описания 18.05,79
Д. В. Игумнов, И. С. Громов и В. H. Фролов (72) Авторы изобретения (Московский институт радиотехники, электронйки и автоматики1 (71) Заявитель (54) ДИНАМИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ.
Изобретение относится к импульсной технике, в частности к динамическим элементам памяти.
Известны динамические элементы, вы полненные на основе полупроводникового ключевого элемента, охваченного трансформаторной обратной связью (1) и (2).
Такие элементы не могут быть выполнены по интегральной технологии.
Ближайшим техническим решением к предлагаемому является динамический элемент, содержащий МДП-транзистор, включенный по схеме с общим истоком, и два конденсатора, первый из которых включен между затвором и истоком
МДП гранзистора, а второй - между сто ком МДП транзистора и источником переменного напряжения f 3j. Недостатком этого устройства является отсутствие функции запоминания входного сигнала.
Целью изобретения является расширение функциональных воэможностей за счет запоминания входного сигнала.
Указанная цель достигается тем, что затвор МДП-гранэистора динамического элемента подключен к подложке.
На чертеже представлена принципиальная электрическая схема устройства, выполненного согласно изобретению.
Устройство содержит МДП- транзистор 1, конденсаторы 2 и 3 и источник переменного напряжейия 4. тo
Первое устойчивое состояние устройства определяется нулевым напряжением на затворе, что соответствует открыто му состоянию МДП-транзистора (со встроенным каналом) и минимальному сопротз тивлению его канала при U „=О. В этом состоянии на выходе имеется напряжение, близкое к нулю (U -О), которое опре вык деляетея соотношением между сопротивлением канала и реактивным сопротивле,, нием емкости 3 на рабочей частоте. При 4алом сопротивлении канала МДП гран« зистора потребляемая мощность близка к Нулю.
662971
Составитель В. Выговский
Редактор Т. К3рчикова Техред М. Петко Корректор М. Вигула
Заказ 2707/52 Тираж 680 Подписное
UHHHI1H ?Ъсударствещ го комитета СССР по делам изобретеййй и от рытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал ППП Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4
Переход из первого устойчивого состояния во второе начинается с момента подачи на вход схемы напряжения отринательной полярности. При этом ток стока уменьшается (сопротивление канала возрастает) и при напряжении на входе большем, чем напряжение отсечки МДПтранзистора (ц > ц ) происходит пе реброс триггера во второе устойчивое состояниь. Ток, протекающий через р -n пeрexод сток - подложка, заряжает конденсатор 2, причем попярность выпрямленного напряжения соответствует полярности входного напряжения. После окончания" запускающего импульса это устойчивое состояние поддерживается сколь угодно долго (до прихода следующего импульса) благодаря постояйной
"подзарядке" конденсатора 2 через цепь сток - подложка МДП- транзистора от источника питания.
Таким образом, предлагаемое устройство позволяет комМутировать переменное напряжение с запоминанием входно го управляющего сигнала.
Формула изобретения
5 Динамический элемент, содержащий
МДПгранзистор, включенный по схеме с общим истоком, и два конденсатора, ь причем первый конденсатор включен между затвором и истоком МДП транзистора, э. подключенного стоком к источнику пере-менного напряжения, о т л и ч а ю щ и йся,тем,,что,,с целью расширения функциональных возможностей за счет запоминания входного сигнала, подложка МДП13 транзистора соединена с затвором.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1. Авторское свидетельство СССР
% 160372, кл. О 11 С 11/40, 1964, © .. 2. Авторское свидетельство СССР .
% 503365, кл. Н 03 К 3/286, 1976.
3. Патент США % 3872321, кл. Н 03 К 19/08, 18..03.75.