Динамический элемент

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ ((((6629?1

Союз 4оаатеинк

Социалистицескнк

Реслублнн

1.-.-- - м i У,- (,.", г (51} М. Кл.

G 11 С 11/40

Н 03 К 3/286

К АВТРРСКОМУ СВИДЮЯЛЬСТВМ

Ф !,2:й/« йод (61) Дополнительное к авт. свил.ву(22) Заявлено 18.12.75(2!) 2199900/18-21 с присоединением заявки РЙ (®) Гееударвтввкквб каетет

СССР е лзлвм имбрвтеккй

II ОткРМткй (53) УДК 621.318. .57: 62 1. 374. . 3(088. 8) Приоритет

Опубликовано15.05.79.Бюллетень 3418

Дата опубликования описания 18.05,79

Д. В. Игумнов, И. С. Громов и В. H. Фролов (72) Авторы изобретения (Московский институт радиотехники, электронйки и автоматики1 (71) Заявитель (54) ДИНАМИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ.

Изобретение относится к импульсной технике, в частности к динамическим элементам памяти.

Известны динамические элементы, вы полненные на основе полупроводникового ключевого элемента, охваченного трансформаторной обратной связью (1) и (2).

Такие элементы не могут быть выполнены по интегральной технологии.

Ближайшим техническим решением к предлагаемому является динамический элемент, содержащий МДП-транзистор, включенный по схеме с общим истоком, и два конденсатора, первый из которых включен между затвором и истоком

МДП гранзистора, а второй - между сто ком МДП транзистора и источником переменного напряжения f 3j. Недостатком этого устройства является отсутствие функции запоминания входного сигнала.

Целью изобретения является расширение функциональных воэможностей за счет запоминания входного сигнала.

Указанная цель достигается тем, что затвор МДП-гранэистора динамического элемента подключен к подложке.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема устройства, выполненного согласно изобретению.

Устройство содержит МДП- транзистор 1, конденсаторы 2 и 3 и источник переменного напряжейия 4. тo

Первое устойчивое состояние устройства определяется нулевым напряжением на затворе, что соответствует открыто му состоянию МДП-транзистора (со встроенным каналом) и минимальному сопротз тивлению его канала при U „=О. В этом состоянии на выходе имеется напряжение, близкое к нулю (U -О), которое опре вык деляетея соотношением между сопротивлением канала и реактивным сопротивле,, нием емкости 3 на рабочей частоте. При 4алом сопротивлении канала МДП гран« зистора потребляемая мощность близка к Нулю.

662971

Составитель В. Выговский

Редактор Т. К3рчикова Техред М. Петко Корректор М. Вигула

Заказ 2707/52 Тираж 680 Подписное

UHHHI1H ?Ъсударствещ го комитета СССР по делам изобретеййй и от рытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Переход из первого устойчивого состояния во второе начинается с момента подачи на вход схемы напряжения отринательной полярности. При этом ток стока уменьшается (сопротивление канала возрастает) и при напряжении на входе большем, чем напряжение отсечки МДПтранзистора (ц > ц ) происходит пе реброс триггера во второе устойчивое состояниь. Ток, протекающий через р -n пeрexод сток - подложка, заряжает конденсатор 2, причем попярность выпрямленного напряжения соответствует полярности входного напряжения. После окончания" запускающего импульса это устойчивое состояние поддерживается сколь угодно долго (до прихода следующего импульса) благодаря постояйной

"подзарядке" конденсатора 2 через цепь сток - подложка МДП- транзистора от источника питания.

Таким образом, предлагаемое устройство позволяет комМутировать переменное напряжение с запоминанием входно го управляющего сигнала.

Формула изобретения

5 Динамический элемент, содержащий

МДПгранзистор, включенный по схеме с общим истоком, и два конденсатора, ь причем первый конденсатор включен между затвором и истоком МДП транзистора, э. подключенного стоком к источнику пере-менного напряжения, о т л и ч а ю щ и йся,тем,,что,,с целью расширения функциональных возможностей за счет запоминания входного сигнала, подложка МДП13 транзистора соединена с затвором.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

% 160372, кл. О 11 С 11/40, 1964, © .. 2. Авторское свидетельство СССР .

% 503365, кл. Н 03 К 3/286, 1976.

3. Патент США % 3872321, кл. Н 03 К 19/08, 18..03.75.