Устройство для моделирования тиристора

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

оц 664162

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (6l) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 211277 (21) 2558727/18-24 с присоединением заявки М(23) ПриоритетОпубликоваио 25,05.79. Бюллетень N9 19

Дата опубликования описания 28.05.79

Союз Соеетскии

Социалистимескик

Республик (З1)М. К .

G G 7/48

Государственный комитет

СССР но делам изобретений и открытий (53) УДК 881. ЗЗЗ

{088.8) (72) Авторы

ИЗОбрвтЕНИя Ю.В. Лобанов, 3.N. Назаров, Б.А. Сабко н р.3. Шаяхметов (7i) ЗаявителЬ Уфимский авиационный институт имени Орджоникидзе (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ THPHCTOPA

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при моделировании и исследовании устройств, содержащих тиристоры.

Известно устройство для моделирования тиристора содержащее усилитель тока, в эмиттерную цепь выходного каскада которого включен кремниевый тиристор (1). Это устройство выполняет комплекс логических операций.

Недостатки .устройства заключаются в том, что возникает необходимость применения дополнительного источника питания для усилителей тока и большого количества элементов в устройстве, уменьшающего надежность работы модели.

Наиболее близким по технической сущности к изобретению является уст- 2О ройство для моделирования тиристора (2).

Оно состоит из первого и второго транзисторов различной проводимости, стабилизирующего резистора, который одним выводом подсоединен к базе второго транзистора с обратной проводимостью и к коллектору первого транзистора, база которого подсоединена к коллектору второго транзистора, причем второй вывод стабнлизирующего резистора подключен к эмиттеру второго транзистора.

К недостаткам устройства следует отнести прохождение управляющего сигнала в математическую модель исследуемой схемы. Это значительно снижает устойчивость модели и увеличивает погрешность моделирования.

Мала помехозащищенность схемы иэ-за бопЪшой чувствительности транзистора с обратной проводимостью. Большая величина порога срабатывания устройства из-за применения стабилизирующего.резистора уменьшает точность моделирования.

Цель изобретения — повышение точности моделирования.

Для достижения этого в устройство для моделирования тиристора, содержащее первый транзистор, коллектор которого соединен с базой второго транзистора и одним выводом стабилизирующего резистора, введены раэвязывающий диод и ограничительный резистор,; вывод которого подключен к базе второго транзистора, эмиттер которого соединен с базой первого транзистора, эмиттер которого подключен к катоду развязывающего ди664 3 бда, другой вывод стабилизирующего резистора соединен с катодом второго транзистора.

На чертеже дана принципиальная схема устройства для моделирования тиристора.

Устройство содержит транзистор 1, 5 база и коллектор которого соединены соответственно с эмиттером и базой транзистора 2 р-и-р типа, эмиттерс коллектором развязывавшего диода 3.

К базе транзистора 2 подключеиы огра"10 ничительный резистор 4 и стабилизирую- щий резистор 5.

Устройство для моделирования ти. ристора работает следующим образом.

Между транзисторами существует положительная обратная связь. При подаче тока управления увеличивается ток базы транзистора 2 о обратной проводимостью. 8 ссввоою ю ооччееррееддьь, увеличивается ток эмиттера и базовый ток транзистора 2, что увеличивает ток коллектора. Результатом является увеличение базового тока второго транзистора с обратной проводимостью, что приводит к лавинному процессу, который в конечном счете переводит транзисторы 1 и 2 в режим насыщения, соответствующий открытому состоянию моделируемого тиристора. После включения устройства запертое состояние восстанавливается только после того, как анодный ток.станет меньше некоторой критической величины — тока удержания. Стабилизирующий резистор

5 служит для стабилизации порога отпирания тиристора, зависящего от из- 35 менения температуры, однако это ведет к увеличению порога срабатывания, что снижает точность моделирования тиристора. Этот недостаток устраняется в устройстве, инверсным соедийе-, : 4О нием тракзистора1с обратной проводимостью 2. Ограничительный резистор 4 существенно кзменяет воэможность запуска устройства от случайного пара162 эитного сигнала на управляющем входе, а диод 3 предотвращает проникновение упранл лющи х сигналов в структурную схему.

Применение названных элементовс диода, резистора 4 и новая взаимосвязь элементов схемы выгодно отличает предлагаемое устройство для моделирования тиристора от .известных,. так как устраняет возможность прохождения управляющего сигнала в структурную схему модели исследуемого устройства. Кроме того, увеличивается помехоустойчивость к уменьшается порог отпирания устройства, что ведет к повыаенкю точности моделирования.

Формула изобретения

Устройство для моделирования тиркстора, содержащее первый транзис-. тор, коллектор которого соединен с базой второго транзистора и одним вы@ором стабилизирующего резистора, отличающееся тем, что, с целью повышения точности моделирования, в него вве .ены развяэывающкй диод и ограничительный резистор, вывод которого подключен к базе второго транзистора, эмиттер которого соединен с базой первого транзистора, эмиттер которого подключен к катоду развязывающего диода, другой вывод стабилизирующего резистора соединен с коллектором второго транзистора.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Витковский О.П. Моделирование вентильных преобразователей с гойменением электройных и физических аналогов, Известия вузов СССР. И, Энергетика, 1974, Р ll, с. 34.

2. Справочник по полупроводниковой электронике под ред. Ллойда

П. Хантера. N. Машиностроение, 1975, с. 412-416, рис. 7. 19.

ЦНИИПИ Заказ 3001/46

Тираж 779 Подписное

Фллкал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная,4