Узел крепления полупроводниковой пластины
Иллюстрации
Показать всеРеферат
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик пп664 (61) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заявлено 161075(2 ) 2181135/18-25с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет (53)М. Кл.2
Н 01 3 29/45
Государственный Ком нтет
СССР по делам нзобретеннй н открытий (53) УДК621, 385, .832(088.8}
Опубликовано 2 50 57 9. Бюллетень ¹1 9
Дата опубликования описания 25.0579 (72) Авторы изобретения
Ю.л.Концевой, П.В.Корнилов, С.П.Мирошникова и В.И.Пятышев (71) Заявитель сб (54) УЗЕЛ КРЕПЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОИ
ПЛАСТИНЫ
Изобретение относится к устройствам электронной техники и может бЫть использовано в оптоэлектронных приборах.
Известен узел крепления полупроводниковой пластины мишени видиконат содержащий крепежный фланец с прижимающими проводящими кольцами jig, Известен также другой узел крепления полупроводниковой пластины к мета- О ллическому основанию, содержащий композицию металлических слоев с припоем (21 .
Недостатком этого узла крепления полупроводниковой пластины является малая механическая прочность и относительно большая стрела прогиба тонких пластин.
Цель изобретения — повышение механической прочности и уменьшение стрелы прогиба тонких пластин.
Для этого в предлагаемом узле между композицией металлических сло- 25 ев и пластиной введены термокомпенсатор и дополнительная композицияметаллических слоев, причем толщина основания больше толщины пластины,но меньше толщины компенсатора. ЗО
На чертеже показан узел крепления полупроводниковой пластины к металлическому основанию.
Полупроводниковая пластина 1 кремния р-типа, легированная золотом или цинком, с одной стороны которой имеется полученный ионной имплантацией бора сильнолегированный контактный слой 2. На поверхности .кремниевой пластины со стороны сильнолегированного слоя вакуумным напылением нанесен слой 3 никеля, толщиной 0,8-;1мкм, который обеспечивает хорошую адгезию всей металлизации. Яа слой- никеля напылен слой 4 меди толщиной 1-:2 мкм для хорошей адгеэии серебряного слоя.
Серебряные покрытия 5 и 6 кремниевой пластины и термокомпенсатора, полученные гальваническим способом, раство" ряются в припое 7 индий-серебро и образует прочный паяный шов на основе твердого раствора индий-серебро.
Слой 8 меди обеспечивает адгезйю серебряного покрытия б к слою 9 никеля, нанесенному на кремниевый кольцеобразный термокомпенсатор 10.
Термокомпенсатор изготовлен из кремния, внешний "диаметр его равен диаметру полупроводниковой пластины, а внутрейний диаметр равен внутрен664239
Формула изобретения нему диаметру кольцевого основания; высота термокомпенсатора 0,2 см. Термокомпенсатор соединен с молибденовым основанием композицией металлических слоев, анаЛогичной той, которая соединяет полупроводниковую пластину с термокомпенсатором. На термокомпенсатор нанесены слоя никеля ll, меди 12, серебра 13, припоя 14ZnSb, серебра 15, меди 16 и никелевое покрытие 17 кольцевого мо-либденового основания 1 8. Высота мо. либденового основания 1 мм.
Предлагаемый узел креплейия полупроводниковой пластины к металличес кому основанию обеспечивает миниМальный прогиб (15 мкм) тонких 15 полупроводниковых пластин при сохранении устойчивости к термическим и механическим воздействиям и может быть использован при изготовлении мишени видиконов, что позволит получить более высокие телевизионные параметры.
Узел крепления полупроводниковой пластины к металлическому основанию, содержащий ряд металлических слоев с припоем, отличающийся тем, что, с целью повышения механической прочности и уменьшения стрелы прогиба, между композицией металлических слоев и пластиной введены термокомпенсатор и дополнительные металлические слои, причем толщина основания больше толщины пластины, но меньше толщины компенсатора.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1. Патент CUA 9 3398316
Кл. 313-66, 1958.
2. Заявка Р 2118092/25, кл. H Ol У 29/45, от 31.03.75, по которой принято решение о выдаче авторского свидетельства.
Э
Составитель В Белоконь
РЕдактор В.дибабес Òåõðå Э. Чужик Корректор И.Иуска
Заказ 3010/50 Тираж 922 . Подписное
vtgfNNttN Государственного комитета CCCP па делам изобретений и открытий
113035 Иосквад Ж-35 Раушокаянаб. д 4 5
Филиал ППП Патент, г.ужгород, ул.Проектная,4