Высокочастотный резистор

Высокочастотный резистор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

(и 664 с!МОПИСАНИЕ

Союз Соввтских

Соцмалмстм мескита

Республик

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЮТВЛЬСТВУ (6l) Дополнительное к авт. свил-ву (22) Заявлено 04.03.76 (21) 233136 8/18-09 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 25.05.7ЯБюллетень № 19 (51) М. Кл

Н 01 Р 3j24

ГавударетевнймХ комитет

СССР аа двлам извбрвтвквХ . и аткрытвй (53) УДК 621.372 (088. 8) Дата опубликования описания 28.05.79 (72) Авторы изобретения

Н, П. Богданова, Н. И. Германович, П. 3. Пазин и Ю. С. Петрейков (71) Заявитель (54) ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ РЕЗИСТОР

Изобретение относится к технике сверхвысоких (СВЧ) частот и может использоваться, в частности, в полосковых и мнкрополосковых устройствах.

Известен высокочастотный резистор, оодержаший диэлек рич ую подложку 5 с резистивной пленкой, .имеющей форму полукольца, к внутренней дуге которого присоединен проводник, а к внешнейконтакт для заземления(1).

Однако известный резистор характери- 1 зуется низкой рабочей мощностью, обусловленной неравномерным распределением плотности рассеиваемой мощности по поверхности реэистивной пленки.

Целью изобретения является повышение рабочей мощности.

Для этого в высокочастотном резисторе, содержащем диэлектрическую подложку с резистивной пленкой, имеющей форму полукольца, к внутренней дуге которого

?0 присоединен проводник, а к внешней « контакт для заземления, реэистивная пленка разделена по концентрическим дугам на участки с различным удельным поверхностным сопротивлением, величина которого возрастает в направлении от внутреннЕго участка к внешнему, например, пропорционально квадрату расстояния этих участков до центра дуг.

На фиг. 1 приведен предлагаемый резистор, общий вид; на фиг. 2 - график распределения плотности рассеяния мощности.

Высокочастотный резистор содержит т диэлектрическую подложку 1 с резистивной пленкой 2, имеющей форму полукольца, к внутренней дуге которого присоединен проводник 3, а к внешней - ижтакт 4 для заземления.Резистивная пленка 2 разделена по концентрическим дугам на участки 5 с рсзличным удельным поверхностным сопротивлением, величина которого возрастает в направлении от внутреннего участка 5 к внешнему пропорционально квадрату расстояния этих участков до центра дуг. гр г

Г1

3 66

Сопротивление предполагаемого резистора определяется по формуле

iн 1 Ъ2

R=@K. p Ü где 6 - угловой размер резнстнвной пленки 2;

Я . число участков 5 резнстнвной пленки 2; л - порядковый номер участка 5;

,и, r „ радиусы дуг, ограничивающих каждый, участок 5; ,Р„, удельное поверхностное со- противление резнстнвной пленки 2 на каждом участке 5.

При изменении величины удельного поверхностного сопротивления пропорционально квадрату расстояния участка 5 резистнвной пленки 2 до центра дуг, т.е.

„а Р л

Я = — Е ) Ь1

3g g nn?.

z

Благодаря этому сопротивлении участков 5 резистивной пленки 2 изменяются пропорциально плошади этих участков Я„,(= const). Таким образом, при п подаче мощности на предложенный рези-. стор обеспечивается большее ее рассеяние на участке с большим сопротивлением, имеющим к тому же и большую плошадь; в результате плотность рассеяния мощности Tt по поверхности резистивной пленки 2 получается достаточно равномерной (см. фиг. 2), а значение рабочей мощности - достаточно близким к допустимому..

Таким образом, предложенное выполненне резистивной пленки высокочастотно4250 4 го резистора в виде ряда участков с различным удельным поверхностным сопротивлением, возрастающим от внутреннего участка к внешнему, позволяет получить достаточно равномерное распределение рассеиваемой мощности по поверхности этой пленки, и, в итоге, увеличить уровень рабочей мощности резистора до величины, близкой к предельне допустимо 0 му значению. Это обеспечивает возможность выполнения предложенного резистора на достаточно высокую рабочую мощность при минимальной плошади резнстивной пленки и достаточно полном использовании (по рассеиваемой мощности) ее поверхности. Сокращение же габаритов резистора обеспечивает лучшее его согласование по входному сопротивлению.

З0

Формула изобретения

Высокочастотный резистор, содержащий диэлектрическую, подложку с резистивной пленкой, имеющей форму полу»

25 кольца, к внутренней дуге которого присоединен проводник, а к внешней — контакт для заземлении, о т л и ч а юш и и с я тем, что, с целью повышения рабочей мощности, резнстнвная пленка

30 разделена по концентрическим дугам на участки с различным удельным поверхностным сопротивлением, величина которого возрастает в направлении от внутреннего участка к внешнему, например, про3 порционально квадрату расстояния этих участков до центра дуг.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США % 3678417, 40 кл. 333-22, 1973.

ЦНИИПИ Заказ 3011/51

Ти р аж 922 Подпис н ое

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4