Способ диагностики повреждения нерва
Иллюстрации
Показать всеРеферат
Союз Советскив
Социалистических
Республик
<1665890 ???? rg (61) ???????????????????????????? ?? ??????. ????????-???? (??) ???????????????? 2 53. 076 (?1) 24 1 5086>
А 61 В 5/05
Государственный комитет
СССР по делам изобретений и открытий
Опубликовано 050679 5юллетень ¹ 21 (53) УДК615.475 (088.8) Дата опубликования описания 0506,79 (72) АвтОр изобретения
B. П. Берснев
Ленинградский ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский нейрохирургический институт им. проф. A.Ë. Поленова
I (71) Заявитель (54) СПОСОБ ДИАГНОСТИКИ ПОВРЕЖДЕНИЯ НЕРВА
Изобретение относится к медицине и может быть применено в клинической нейротравматологии.
Известен способ диагностики Повреждения нерва путем введения в два участка нерва микроэлектродов, раздражения одного участка нерва импульсным электричЕским током и регистрации на другом участке потенциалов деиствия fl).
Однако известный способ не позволяет определить степень повреждения в ходе нейрохирургической операции.
Целью изобретения является определение степени повреждения в ходе нейрохирургической операции.
Эта цель достигается тем, что микроэлектроды вводят с помощью .стериотаксического устройства поочередно в каждый пучок нерва выше и ниже места повреждения его, регистрируют потенциалы действия каждого из пучков и по количеству поврежденных пучков определяют степень . повреждения нерва.
Способ осуществляют следующим образом.
Нейрохирург надевает телескопические очки или проводит исследова -: ние под операционным микроскопом.
Под нерв дистальнее и проксимальнее его поврежденного участка подводят глубинную лампу для выявления пучков нерва неизмененной части по обе сто-; роны от места повреждения, которые видны в проходящем свете глубинной лампы и не видны на уровне поврежде ния нерва, ориентируют пучки по сосудам нерва. С помощью стереотаксического устройства вводят раздражающий и регистрирующий мультимикроэлектро ды по обе стороны от места поврежде ния на уровне наибольших изменений нерва по проекции пучка и через эпи- неврий и периневрий на одну и ту же глубину до появления потенциалов действия амплитудой 0,1- 1мВ,выявляют наличие проводимости пучка,- и электроды извлекают.
Стереотакоическим устройством изменяют положение мультимикроэлектродов поочередно по проекции других пучков и по окружности нерва. При наличии вызванных потенциалов действия циклы, повторяют над другими пучками. Выявляют исчезновение проводимости наружного пучка нерва по отсутствию вызванных потенциалов и вводят стереотаксическим устройст- вом вглубь нерва одновременно раз3 665 дражаЮции и регистрируюций мультимикроэлектроды на расстояние несколько большее диаметра наружного пучка к более глубокс расположенному пучку йо поперечнику нерва и производят исследование. Такие циклы повторяют ,цо вызывания потенциалов, и мультимикроэлектроды извлекают, или проходят поперечник нерва полностью при отсутствии потенциалов на всех уровнях исследования. По количеству поврежденных пучков определяют степень повреждения нерва.
Предлагаемый способ позволяет определить степень повреждения в ходе нейрохирургической операции.
Формула изобретения
Способ дигностики повреждения нерва путем введения в два участ890 4 ,ка нерва мнкроэлектродов, раздражения одного участка нерва электрическим--током и регистрации на другом участке потенциалов действия, о тл и ч а ю ц и и с я тем, что, с целью определения степени повреждения в ходе нейрохирургической операции, микроэлектроды вводят с помошью стереотаксического устройства поочередно в каждый пучок нерва выше и ниже места повреждения его, регистрируют потенциалы действия каждого из пучков и по количеству поврежденных пучков определяют степень повреждения неРва.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1. Нейрохирургия. Ред. В. A. Иустина. 1971, т. 4, с..159-163.
Составитель С. Малютина
Ре акто 0. Иванова Техред 3. Фанта КорректоР И. Муска
Заказ 3026/4 Тираж 671 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений н открытий
113035 Москва Ж-35 Ра шская наб. д. 4 5
Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4