Магнитная ячейка памяти

Магнитная ячейка памяти

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополни ельное к авт. саид-ву 9 520620 (2 ) Заявлено 0201.78 (21) 2566721/18-24 с присоединением заявки Но (23) Приоритет

Опубликовано 05.06.7Э. Бюллетень N9 21

Дата опубликования описания 080679

Союз Советских

Социалистических республик

< и 66658.2 (51)М. Кл.

G 11 С 11/14

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий (З) УАК 681. Ç27.66 (088 ° 8) (72) Авторы

ИЗОбрЕтЕНИя A.F.Æó÷êoâ, A.A,Êðóïñêèé, П.И.Набокин и Т.Г.Шмелева (71) Заявитель (54) МАГНИТНАЯ ЯЧЕЙКА IlANHTH

Изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники и может быть использовано при построении запоминающих устройств (Зу) .с произвольной выборкой.

По основному авт.св. 520620 известна магнитная ячейка памяти, содержащая как и предложенная пластину из магнитоодноосного материала с цилиндрическими магнитными доменами (ЦМД), на поверхности которой расположены токовые проводники управления и Г-образная ферромагнитная аппликация, причем токовые проводники управления расположены перпендикулярно сторонам Г-образной аппликации.

Недостатком известной магнитной ячейки памяти является невозможность осуществления нераэрушающего считывания информации.

Целью изобретения является расширение области применения известной магнитной ячейки памяти путем осуществления неразрушающего считывания информации.

Поставленная цель достигается путем того, что в предложенной магнитной ячейке памяти токовые проводники управления размещены с разных сторон Г-образ:ой ферромагнитноИ аппликации и выполнены с вырезами, расположенными у одного иэ концов Гобразной ферромагнитной аппликации.

На фиг.1 схематично изображена предложенная магнитная ячейка памя ти на фиг.2 — временная последовательность импульсов тока в проводниках при записи 1, считывании и стирании 1 °

Ячейка памяти содержит пластину

1 из магнитноодноосного материала с ЦМД 2, на поверхности которой расположены Г-образная.ферромагнитная аппликация 3 и токовые проводники управления 4 и 5, размещенные с разных сторон Г-образной аппликации и имеющие вырезы, расположенные у одного из концов этой аппли20 кации.

Элементы магнитной яч йки памяти должны быть расположены в следующем порядке в направлении, перпендикулярном плоскости чертежа: пластина

1 с ЦМД, проводник 5, аппликация

3, проводник 4. В этом случае при считывании токи в шинах намагничивают аппликации так, что их поля рассеяния не смещают ЦМД, стоящие в любом положении (0 или 1

666582

Формула изобретения

Яалж.ь /

C гитыдоние егт ороиие „г

Аг.z

Составитель Ю.Розенталь

Техред С.Мигай КорректорТ .Скворцова

Редактор Л.утехина

Заказ 3199/41 Тираж 680 Подписное

ЦнИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Е-35, Раушская наб.,д.4/5

Филиал ППП Патент, г.Ужгород, ул.Проектная,4 как в опрашиваемой ячейке, так и во всех других ячейках под шинами 4 и 5.

Ячейка памяти работает следующим образом.

В информационном состоянии (1 или 0 ) ЦМД 2 растягивается магйитным полем двух токов в шинах в полосовой домен б, часть которого находится поц аппликацией, а часть— в окне, образуемом вырезами в проводниках 4 и 5. Тогда после оптической индикации состояния ячейки и выключения токов полосовой домен . превращается в исходный в силу сохранения магнитостатической связи с аппликацией 3. Величины токов должны быть выбраны такими, чтобы только их сумма растягивала ЦМД 2 в полосовой домен б.

На фиг.2 показана временная последовательность импульсов тока 3 и Л

4 в шинах при записи 1, считыва нии и стирании 1 . Смещение ЦМД из положения O в 1 и обратно происходит под действием магнит- . ных полей рассеяния аппликации, намагничиваемой полем токовых проводников, а растягивание ЦМД вЂ” под действием поля самих проводников. Повториые импульсы обратной полярности при записи и стирании 1 служат для, возврата ЦМД в невыбранных ячейках в исходные положения.

Аналогичная структура ячейки памяти может быть предложена для ин дикации нулевого состояния ячейки, ja не единичного, как описано выше.

iB этом случае окно образуют около нижнего конца аппликации, соответствующего информационному О (фиг.1), а шины 4 и 5 в направлении, перпендикулярном плоскости чертежа, меняют местами.

Предложенная магнитная ячейка памяти с токовыми проводниками, служащими маской, и неразрушающим считыванием позволяет уменьшить число слоев при изготовлении накопителя методами интегральной технологии и, следовательно, увеличить процент выхода годных изделий упростить

15 и сократить по объему электронную часть ЗУ. При этом повьипается надежность работы ЗУ и его быстродействие.

Магнитная ячейка памяти по авт. св . Р 520620, о т л и ч а ю щ а яс я тем, что, с целью расширения области применения путем осуществления неразрушающего считывания информации, токовые проводники управления размещены с разных сторон Г-образной ферромагнитной аппликации .и выполнены с вырезами, расположен.ными у одного из концов Г-образной ферромагнитной аппликации.