Сегнетоэлектрический керамический материал

Сегнетоэлектрический керамический материал

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

) ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ и;- (C

<"1. 667526 (6$) Дополнительное и авт. свид-ву

{22j Заявлено 050877.(21) 2517765/29-33 с присоединением заявки М— (23) Приоритет

Опубликовано 1 06,79, Бюллетень М 22

Дата опубликования описания 1 06.79 (51)М, Кл.

С 04 В 35/00

Государственный комитет

СССР оо дедам изобретений и открытий (з) Уд б 66 . б 55 (088.8). ° (72) Авторы изобретения

Е.Г.Фесенко, Л.A.Ðåçíè÷åêêî, И.П.Раевский и О.И.Прокопало (71) Заявитель

Ростовский ордена Трудового Красного Знамени государственный университет (54 ) СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ

МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к технологии ,производства радиодеталей и может быть использовано при изготовлении керамических конденсаторов, работающих в условиях повышенных температур, до 200 С .

Известны сегнетоэлектрически е керамические титаносодержащие материалы с высокой диэлектрической проницаемостью, применяемые для изготовления конденсаторов (11.

Недостатками известных материалов являются высокие температуры спекания, узкий температурный интервал стабильности емкости (не шире 85-125 C) вы15 сокая плотность (S-5,8-6,5 г/см ) .

Наиболее близким техническим реше.ни ем к данному и з обретению явл яетс я материал на основе системы NaNbO>.

ВаТ10З (с содержанием NaNbO> до

50 мол. в) (2) .

Недост ат к ами и з в ест н ого мат ери ал а являются высокие значения температуры спекания, плотности, диэлектричес- ъ5 ких потерь, узкий рабочий интервал температур и высокая нестабильность емкости внутри этого интервала.

Целью изобретения является снижение температуры спекания, диэлектрических потерь, расширение рабочего интервала температур и повышение стабильности емкости в этом интервале при сохранении высоких значений диэлектрической проницаемости .

Цель достигается тем, что сегнетоэлектрическнй керамический материал, преимущественно для изготовления конденсаторов, включающий Т10й, Na 0, ЫЪ Оз дополнительно содержит

Biз Оз и К О при следующем соотношении компонентов, мол. в:

TiO 30, 4-36, 4

Ыаа О 30,4-36, 4

ЫЪ Оз 18,2-26,1

Biä Оз 4,5-6,55 к,о 4,5-6,55

На чертеже приведена температурная зависимость диэлектрической проницаемости с /Е, (цифры соответствуют составам в таблице) .

Сегнетокерамический конденсаторный материал представляет собой твердый раствор системы ЫаЫЪΠ—. К /

Вisgз Тi+

Синтез составов осуществляют по обычной керамической. технологии двухкратным обжи гом. Температуры синтеза Т - 800 С; Та — 850 С, продолжительности t, = tz = 5 ч.

66 752

Физические характеристики твердых ра (100-х) Na@bOg x(k В1) g T10g

4,64 30 1550 6,5 +9 +22 0,016 0,014 0,018 225 32

2 25 1075 4,69 35 1450 7

3 30 1070 4, 71 65 1400 +8

+7,5 +18,5 0,016 0,015 0,019 110 17

+10 +10,5 0,018 0,016 0,020 71 13

П р и и е ч а н и е. Электрические измерения проводились на частоте 1 кГц при величине измерительного псля 10-20 В/см поляризации.

Использовались образцы в Форме дисков диаметром 9-10 мм и толщиной 0,7-1,0 мм с вожженными при 750 С серебрянными электродами.

Формула из обретения следующем соотношении коммол. В:

30,4-36,4

30,4-36,4

18,2-26,1

4,5-6, 55

4,5-6,55

Источники информации, принятые вб внимание при экспертизе

1 . Патент США 9 2742370, кл . 106-39, 1956 .

2. Патент США. 9 264359, кл, 264-65, 1953.

OoñTàâèTель Н. Фельдман

Техред Л. Алферова Корректор A. Власенко

Редактор В.Трубченко

Заказ 3378/20 Тираж 701(Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Филиал ППП Патент, г,ужгород, ул.Проектная,4., ч .. (j (I ц . ;:, .л:, :" 3 йсходйымй "комйонентами являются окислы (NbgOg, TiO; BipO ;¹ 0 К„О) квалификации чса . Спекание производят методом горячего прессования по следующему режиму: температура

Сегнетоэлектрический керамический материал, преимущественно для и=-готовления конденсаторов, включающий

TiO, NaО, NbО „oтли чаю шийся тем, что, с целью снижения температуры спекания, диэлектрических потерь, расширения рабо:его интервала температур и повышения стабильности. емкости в р-бочем интервале при сохранении высоких значений диэлектрической проницаемости, он дополнительно содержит В1 Оз б 4

Та„- 1090 -; 1100 С, давление P ."-200 кг/см, время выдержки 2=40 мин.

Данны9 о физических характеристиках исследованных составов приведены в таблице. и К О при понентов, Т= Оа

Na,О

ИЬ,О

В1 0;

К О