Интегральная магнитная головка

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (и)669392 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 11.01.78 (21) 2568268)18 — 10 с присоединением заявки № (23) Приоритет—

Опубликовано 25.06.79. Бюллетень № 23

Дата опубликования описания 05.07.79 (51) М. Кл.

G 11 В 5/42

Гасударственный нвинтет

СССР па делам нэааретеннй н аткрытнй (53) УДК 534.852 (088.8) М. Б. Халецкий, Г. М. Глебов, А. Э. Иванов, А. А. Тихонов и В. Д. Ходжаев (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) ИНТЕГРАЛЬНАЯ МАГНИТНАЯ ГОЛОВКА

Изобретение относится к точному приборостроению, в частности к аппаратуре магнитной записи, и может быть использовано в тех ее направлениях, которые применяют динамические запоминающие устройства или производят магнитные головки к ним.

Известна интегральная магнитная головка (ИМГ), содержашая магнитопровод в виде тонких пленок, расположенных одна над другой, и обмотку, сформированную непосредственно на верхнем магнитопроводе (11. а

Такая конструкция из-за малого расстояния между параллельно расположенными один над другим магнитопроводами имеет низкий коэффициент шунтирования, что ведет к уменьшению КПД в режиме записи и потере амплитуды сигнала воспроизведения.

Наиболее близка к изобретению по технической сугцности и достигаемому результату интегральная магнитная головка, со- 20 держашая последовательно расположенные слои первой половины спирали электропроводяшей обмотки, первого изоляционного слоя, магнитопровода, второго изоляционного слоя и второй половины спирали электропроводяшей обмотки (2).

Недостатком данной конструкции является низкий коэффициент полезного действия головки вследствие того, что витки электрической обмотки находятся от магнитопроводов на расстоянии, существенно превышающем толшину магнитопровода (порядка в 2000 раз), из-за чего коэффициент потокосцепления значительно понижен.

Целью изобретения является повышение

КПД магнитной головкй.

Это достигается тем, что в интегральной магнитной головке, содержашей последовательно расположенные слои первой половины спирали электропроводяшей обмотки, первого изоляционного слоя, магнитопровода, второго изоляцибнного слоя и второй половины спирали электропроводяшей обмотки, изоляционные слои выполнены толщиной равной 0,25 — 5 толщины магнитопровода.

Напряженность индуцируемых магнитных потоков обратно пропорциональна квадрату расстояния до источника поля, поэтому основной магнитный поток записи или сигнал воспроизведения будет формироваться в слоях магнитопровод-обмотка.

669392

Формула изобретения

Составитель Л. Кондрыкинская

Техред О. Луговая Корректор Н. Стен

Тираж 680 Подписное

ЦН И И П И Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал П П П «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Редактор Т. Фадеева

Заказ 3667/42

На чертеже изображена предлагаемая

ИМ Г.

Она состоит из напыленных магнитопроводов 1 толщиной порядка 5 мкм, смещенных один относительно другого в плоскости подложки, и электрической обмотки 2. Для гальванической развязки между магнитопроводами 1 и обмоткой 2 размещены электроизоляционные слои 3 толщиной 1 мкм. Рабочий зазор выполнен в виде слоя проводника толщиной порядка 1 мкм, например, из меди, который гальванически связан с витками обмотки.

Принцип работы ИМГ заключается в следующем.

В режиме записи ток, проходящий по электрической обмотке 2, индуцирует в магнитопроводах 1 магнитный поток, который в результате повышенного коэффициента потокосцепления используется с малыми потерями. В зоне рабочего зазора поле рассеяния, индуцированное основным потоком магнитопровода, усиливается полем проводника в зазоре.

В режиме воспроизведения реализуется обратный процесс. Магнитные потоки, наводящие ЭДС в обмотках, рассеиваются значительно слабее, чем у известной головки из-за того, что расстояния магнитопроводобмотка сведены к минимуму порядка 0,25 от толщины магнитопровода. Экспериментальные исследования показали, что КПД головки увеличился в 1,5 раза.

Интегральная магнитная головка, содер10 жащая последовательно расположенные слои первой половины спирали электропроводящей обмотки, первого изоляционного слоя, магнитопровода, второго изоляционного слоя и второй половины спирали электis ропроводящей обмотки, отличающаяся тем, что, с целью повышения коэффициента полезного действия магнитной головки, изоляционные слои выполнены толщиной равной

0,25 — 5 толщины магнитопровода.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США Ко 3344237, кл. 340 †1, 1964.

2. Патент США Хо 3549825, кл. 179-100.2.

1967.