Электронный ключ

Электронный ключ

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЩ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ (i)) 675601

Союз Соввтсимк

Социалмсти месим к

Рес убп

К АВТОРСКОМУ СЗИДИТВЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт,,cw».sy— (22) ЗаивлЕио 27.О4.77(2Ц 248l408/18-21. с присоедиыеиием еаяекя М— (23) Приоритет

3 (И) И. Кл.

H 03 К 17/60

ГеаудаРатаеенне аютет

СССР аа делам аеабретееф а аткеытеЬ

Опубликоваио25,07.79,бюллетень №27 (5З) УЙК 621.372 (088.8),Оат» опубликования описания 28.07.79 (72) Автор изобретения

Ю. Б. Рогаткин (71) Заявитель! (54) ЭЛЕКТРОННЫЙ КЛЮЧ

Электронный ключ предназначен для использования в электроннык устройствах различного назначения, в частности в интегральных монолитных. схемах.

Известны электрические ключи с рвгу лируемой степенью насыщения ключевого э, транзистора, содержащие резисторы и диоды в цепи ограничения степени насы щения $1)

Общим недостатком этих устройств является нестабильность степени насыще ния ключевого транзистора, что снижает нагрузочную способность.

Известен также электронный ключ, со держащий входной эмиттерныф повторитель на транзисторе A-р-ттгипа проводимости, ; И эмиттер которого соединен с первым выводом первого резистора, ключевой трап зистор а-р-и-типа проводимости, амит тер которого соединен с общей шина, а через второй резистор - с базой В% ого транзистора, и цепь ограничения иасьпцв ния ключевого транзистора, состоящую из транзистора р-и- арпа проводимости, 2 коллектор которого соединен с общей шиной, база - с коллектором ключевого транзистора, выходом ключа и нагрузкой, а эмиттер транзистора р-и-р тити проводимости соединен с первым диодом, который включен в прямом направлении.

Недостатками этого уотройства являются низкие нагрузочная способность и

КГИ.

Бель изобретения - увеличение нагрузочной способности и Кпд.

Lha достижения этого в электронный ключ, содержащий входной эмиттерный повторитель на транзисторе и-р-ттгипа проходимости, эмиттер которого соединен с первым выводом первого резистора, ключевой транзистор YI-p-гт -гипа прово димости, эмиттер которого соединен с общей шиной, а через второй резисторс базой этого транзистора, и цепь ограничения насыщения ключевого транзистора; состоящую из транзистора р-и-р гнпа проводимости, коллектор которого соединен с общей шиной, база с коллекто;

Московский ордене Трудового Красного Знамени инжвнернофизичвский институт

675601

3 " — ром ключевого транзистора, выходом электронного ключа и нагрузкой," а эмит — тер транэисторар-и -р-ттипа проводимости соединен с первым диодом, который вклю чей в прямом направлении, дополнительно введены управляющий транзистор п-р-й»типа проводимости, второй диод и третий резистор, которйй включен между эмиттером и базой управляющего тран"зистора, прй1ем эмиттер управляющего транзистора соединен с базой ключевого транзистора, коллектор с шиной источ ника питания, а база -. со вторым выво дом первого резистора, второй диод включен между базой транзистора входного эмиттерного повторителя и первым диодом и имеет одинаковую с последним йолярность включения.

На чертеже представлена принципиальная схема электронного ключа.

Он содержит входную шину 1, транзистор 2 входного амиттерного повторителя, база которого соединена с шиной 1, t шину 3 источника питания, управляющий транзистор 4, коллектор которого соединен с шиной 3, резистор 5, включенный между эмиттером транзистора 2 и базой транзистора 4, резистор 6, включенный между базой и эмиттером транзистора 4, выходную шину 7, общую шину 8, ключевой транзистор 9, коллектор которого соединен с шиной 7, эмиттер с шиной

8, а база - с эмиттером транзистора 4, резистор 10, включенный между базой и эмиттером транзистора 9, транзистор 11, база которого соединена с шиной 7, а коллектор - с шиной 8, два соединенных последовательно диода 12, 13, включен-, ных между шиной 1 и эмиттером тран зистора 11.

Электронный ключ работает следующим образом.

П р и подаче на входную шину 1 управ ляющего сигнала тока отпираюшей цоляр ности открываются транзисторы 2, 4.и

9, причем потенциал коллектора транзистора 9 уменьшается по абсолютной вели- чине. Когда разность потенциалов между базой транзистора 2 и коллектором тран зистора 9 окажется достаточной, откры ваются транзистор 11 и диоды 12, при этом часть входного тока ответвляется через транзистор. 11 и диоды 12 в об щую шину 8, а ток базы транзистора 2 огранйчивается. Напряжение на -коллектор» но-базовом переходе транзистора 9 в момент насыщения определяется разия цей между суммой падений найряжейия на открытых диодах 12, и эмиттерноба

4 зовом переходе транзистора 11 с суммой

- падений напряжений на резисторе 5 и открытых эмиттерно-базовых переходах транзисторов 2 и 4, Таким образом, степень насыщения

- - ключевого транзистора 9 удается регулировать выбором соотношения величин сопротивления резисторов 5 и 6. Изме нение величины тока базы ключевого

10 транзистора 9 при изменении тока наг руэки приводит к изменению тока через транзистор 4, не меняя практически величин падений напряжений на резисторах

5 и 6, поэтому оказывается возможным !

5 задать максимальный ток через резисторы 5 и 6 меньшей величины, что приводит к увеличению КПД устройства при заданной нагрузочной способности.

Формула и э о б р е т е н и я

Электронный ключ, содержащий входной эмиттерный повторитель на транзисторе п-р-пгипа проводимости, эмиттер которого соединен с первым выходом первого резистора, ключевой транзистор й-р-rlгипа проводимости, эмиттер которого соединен с общей шиной, а через второй резистор с базой этого транзистора, и цепь ограничения насыщения ключевого транзистора, состояшую из транзисторар-и-р -типа проводимости, коллектор которого соединен с общей шиной, база - с коллектором ключевого транзистора, выходом электронного ключа и нагрузкой, а эмиттер транзистора р-п-р гила проводимости соединен с первым диодом, который включен в пря-. мом направлении, о т л и ч а ю щ и йур ся тем, что, с целью увеличения нагрузочкой способности и КГШ, допопнительно введены управляющий транзистор

" и-р-Я-типа проводимости, второй диод и третий резистор, который включен между эмиттером и базой управляющего транзистора, причем эмиттер управляющего тран зистора соединен с базой ключевого

" транзистора, коллектор - с шиной источ ника питания, а база - со вторым выво дом первого резистора, второй диод вклю -- чен между базой транзистора входного эмиттерного повторителя и первым дио» . дом и имеет одинаковую с последним полчрность включения.

Источники информации принятые Во внимание цри экспертизе

1 Каталог ИМ о с Bpmicg glgtt;

М Икесомi Integrated 64 суй,вел t, 1973, р. 3- 7.

675601

Составитель В. Нефедов

Редактор Н. Разумова Техред М Келемеш Корректор В. Синицкая

Заказ 4343/50 Тираж 1059 Подписное

UHHHHH Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35„Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4