Способ подготовки проводников под пайку
Иллюстрации
Показать всеРеферат
б
7784I (iö6 опиалиие
ИЗОБРЕТЕНИЯ
Союз боветских
Соииалистических
Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 29.07.74 (21) 2050655/22-02 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет (43) Опубликовано 05.08.79. Бюллетень № 29 (45) Дата опубликования описания 05.08.79 (51) М. Кл.в
В 23 К 1/20
С 23 С 1/04
Гасударственный комитет (53) УДК 621.793.52:
: 669.65 4 (088.8) по делам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения
В. Г. Мухин, А. С. Левицкий и В. А. Лобенцов (71) Заявитель (54) СПОСОБ ПОДГОТОВКИ ПРОВОДНИКОВ ПОД ПАЙКУ
Изобретение относится к пайке металлических изделий легкоплавкими припоями, в частности к подготовке изделий под пайку, и может быть использовано в радиоэлектронике при изготовлении микросхем, пайке керамических оснований с проводниками, содержащими драгоценные металлы, например серебро и т. п.
Наиболее близким по технической сущности к предложенному изобретению является способ подготовки проводников под пайку, включающий создание на поверхности барьерного оловосодержащего слоя и слоя легкоплавкого припоя для пайки последовательным погружением проводников в соответствующие расплав (1). При таком способе при подготовке коммутационных проводников на основе меди под пайку барьерный слой, ограничивающий растворение материала проводников в легкоплавком припое для пайки, создают погружением в оловосвинцовый расплав, содержащий не менее 90 мас. свинца, при температуре
350 †4 С.
Основным недостатком известного способа является сравнительно высокая растворимость проводников, содержащих драгоценные металлы, в частности серебро, в легкоплавких припоях для пайки, например, в олове, ПОС-61 и т. п.
Целью изобретения является ограничение растворимости серебросодержащих проводников в расплаве припоя для пайки.
Поставленная цель достигается тем, что барьерный слой создают путем погружения в расплав олова или его сплава со свинцом, дополнительно содержащем 18 — 32 мас. % кадмия.
Для подготовки серебросодержащих проводников под пайку на их поверхности создают барьерный олово-кадмиевый или олово-свинец-кадмиевый слой и слой легкоплавкого припоя, например из ПОС-61 или олова, путем последовательного погружения проводников в соответствующие расплавы, причем последняя операция может осуществляться в широких интервалах режимов: изменение температуры допускается от 150 до 350 С, время погружения — от 2 0 до 60 сек и более.
Пример 1. Коммутационные проводники, изготовленные методом сеткографии из серебряно-палладиевой пасты, на керамическом основании микросхемы погружают в расплав ПОСК-50 (содержание кадмия
18 мас. %), нагретый до 180 — 200 С и выдерживают в течение 20 сек. При этом на поверхности проводников формируется барьерный слой. Затем основание с проводЗО никами погружают в расплав припоя
677841
Составитель А. Рычагов
Техред Н. Строганова
Корректор В. Петрова
Редактор Е. Братчикова
Заказ 2005/9 Изд. № 5 Тираж 1222 Подписное
НПО «Поиск» Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
ПОС-61, нагретый до 210 — 240 С, выдерживают в течение 2 — 7 сек и плавно извлекают из припоя. Получают качественное покрытие под последующую пайку. Растворения проводников и растрескивания пластин 5 не наблюдалось при трехкратном погружении пластин в расплав припоя ПОС-61, нагретого до 240 С, при выдержке в течение
5 час. В то же время при использовании барьерного слоя из сплава олово — свинец 10 с содержанием последнего 90 /о масс (по известному способу), полученного погружением в соответствующий расплав, нагретый до 340 С, и выдержкой в нем в течение
20 сек, приводит к растворению проводни- 15 ков после выдержки в припое для пайки
ПОС-61 при 240 С в течение 1 — 2 мин.
Пример 2. Ферритовые пластины с серебросодержащими проводящими покрытиями подготавливают под пайку, как в 20 примере 1, но барьерный слой создают погружением в расплав олово — кадмий с содержанием последнего 32 мас. %, нагретый до 210 С. Получают качественное покрытие под пайку. При сопоставительном испыта- 25 нии, как это описано в примере 1, установлено, что растворения проводников и растрескивания пластин не наблюдалось при подготовке их по предложенному способу, в то время как осуществление процесса под- 30 готовки по известному способу приводит не только к растворению материала проводников, но и к растрескиванию пластин.
Из приведенных примеров следует, что предложенный способ обладает техникоэкономическими преимуществами по сравнению с существующим способом, в частности позволяет значительно снизить растворимость сер ебросодержащих проводников в припое для пайки, расширить температурный интервал нанесения последнего и диапазон допустимого пребывания в нем. Это существенно облегчает проведение последующих сборочных операций микросхем.
Формула изобретения
Способ подготовки проводников под пайку, включающий создание на поверхности барьерного оловосодержащего слоя и слоя легкоплавкого припоя для пайки последовательным погружением проводников в соответствующие расплавы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения растворения серебросодержащих проводников в расплаве припоя для пайки, барьерный слой создают путем погружения в расплав олова или его сплава со свинцом, дополнительно содержащем 18 — 32 мас. O кадмия.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1. Патент ГДР Мв 83287, кл. 49h 1/02, 1971.