Высокочастотная дифракционная решетка

Высокочастотная дифракционная решетка

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН Ия .К АВТОРСКОМУ СВИДЮТИЛЬСТВУ. Союз Советских

Соцмаимстмчесюе

Республик

„„678442 (6)) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) ЗаявлЕио 20.04.77 (2))2479! 36/18-10 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет—

G 02 В 5/18

ГащАарстввяный moaned

СССР аа делам пэввретенпй и открытий

Опубликовано 05.08.79. Бюллетень № 29 (53) УДК

535.853.31 (088 8) Дата опубликования описания 05.08.79

Н. M. Балясников, С. А. Стрежнев, А, Ф. Баранов и В. П. Петров (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) ВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ДИФРАКЦИОННАЯ РЕШЕТКА

Изобретение относится к технологии изготов;мния дифракционных решеток с расширенной бластью концентрации дифрагированного излучения.

Известны дифракционные решетки, получаемые накаткой полиэтиленовой пленки (1). 5 г

Известны также низкочастотные дифракционнйе решетки с расширенной областью концентрации дифрагированного решеткой излучения и способы их изготовления (2). Способы изготовления решеток сводятся к нанесению на стеклянную подложку путем напыления в вакууме слоя пластичного материала, например . алюминия. В алюьяниевом слое алмазным рез-

1вэм путем пластической деформации формируется штрих, причем резец перемещается в направлении рабочей грани штриха, вследствие чего рабочая грань штриха деформируется и профиль ее . представляет ломаную линию.

Недостаток способа заключается в том, что он практически не обеспечивает изготовления решетки с требуемым профилем штриха, таккак в результате деформации кромка и прилегающая к ней часть рабочей грани штриха.

2 получаются шероховатыми (с зазубринами, заусенцами), что приводит к значительному увеличению рассеяния света решеткой, вследствие RI o невозможно получать решетку удовлетворительного качества. Кроме того, решетки, изготовленные данным способом, имеют незначительное расширение области концентрации излучения. Известен способ, при котором на стеклянную подложку наносится также слой пластичного материала (3). Путем пластической деформации материала алмазным резцом формируется штрих. При обратном ходе резцовой кареьки резец деформирует гребень пприха (вершину), в результате чего рабочая грань имеет две отражающие плоскости. Этот способ трудно реализовать для нарезания высокочастотных решеток (600-2400 штр/мм), так как трудно ориентировать резец на гребень, вследствие чего отражающие плоскости, образованные при обратном ходе резца, не в фазе как между собой, так и с отражающими плоскостями, образованными при прямом ходе резца, поэтому решетка не пригодна для спектроскопических целей.

678442

Целью изобретения является изготовление высокочастотных решеток с расширенной областью концентрации дифрагированного решеткой излучения, Указанная цель достигаеття тем, что над слоем пластичного материала размещено не ме нее двух дополнительных слоев из пластичных материалов, причем модули упругости всех слоев от слоя к слою изменяются монотонно, На фиг. 1 представлена решетка, выполнен- 10 ная на пластичных слоях с увеличивающимся модулем упругости; на фиг. 2 — то же, с уменьшающимся модулем упругости.

На стеклянную. подложку 1 вакуумным на пылением наносят подслой 2 хрома, который «5 йеобходим для увеличения адгезии к стеклу последующего слоя. Затем вакуумным напылением наносят слой пластичного материала 3, например алюминия. После этого наносят вакууМным«напылением последующие дополнитель- 20

- ейные слби пластичных материалов с увеличйвающил+ ся модулем у«тругости, например слой 4 . меди, а затем слой 5 никеля. Устанавливают заготовку на делительную машину и производят нарезание штрихов решетки алмазным рез- 25 цом мЕтодом пластической деформац««и матери«йа всех-слоев за исключением подслоя хрома.

Поскольку модули упругостй слоев возрастают, начиная от подложки, то они пластически дефорМируются на разную величину, а именно: 30 тлои с меньшим модулем упругости деформируются больше, вследсгвие чего часть грани штриха, образованная слоем с меньшим модулем упрутости, будет иметь меньший угол наклона к поверхности подложки, чем часть грани по- 35 следующего слоя, имеющего больший модуль упрутости, и т.д. В этом случае профиль рабочей грани штриха будет иметь ломаную вогнутую кривую линию и решетка будет иметь расширенную область концентрации дифрагиро- 40 ванного излучения в длинноволновую область спектра. Для увеличения дифрагированного

4 решеткой излучения решетку, после нарезания цггрихов, покрывают слоем, повышающим отражение в заданной области спектра.

С целью получения решетки с расширенной; областью концентрации дифрагированного излучения в коротковолновую область спектра пластичные.слои наносят на стеклянную подложку 1 с уменьшающимся модулем упругости,начй ная от подложки, например, никель, медь, алюминий. Затем нарезают штрихи решетки алмазным резцом путем пластической деформации всех сйоев. В этом случае из-за различной величины деформации слоев профиль рабочей грани 6 штриха будет иметь ломаную выпуклую кривую линию и решетка будет дифрагировать излучение с расширением области концентрации в коротковолновую область спектра.

На чертеже поэ, 7 — вогнутая рабочая грань штриха.

Формула изобретения

Высокочастотная дифракционная решетка, содержащая подложку с нанесенными на нее вдгезионным подслоем и слоем пластичного материала, в котором выполнены параллельные друг другу штрихи, отличающаяся тем, что, с це««ью расширения области концентрации дифрагируемого излучения, над слоем пластичного материала размещено не менее двух дополнительных слоев из пластичных материалов, причем модули упругости материалов всех слоев от слоя к слою изменяются монотонно.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Борисевич Н. А, и др. Инфракрасные фильтры. Минск, 1971, с. 62 — 64, 2. ИатеннтСША N 3045532, кл. 88 — 14, )964.

3. "Оптико- механическая промышленность", 957, Р 4, с. 56 — 60.

Л844

Фиг;

Составитель В Ванторин

Тех ред;СМигай, Корректор А. Власенко

Редактор Л, Тюрина

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул.проектная, 4

Заказ 4554/36 Тираж 588 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5