Генератор наносекундных импульсов

Генератор наносекундных импульсов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Соввтсккх

Социалист нивских

Респубпмк

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22} Заявлеио23. 06.77 (21) 25 00964/18-21 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликоваио15.08.79. Бюллетень №30, «680154 (51) М. Кл

Н 03 К 3/336

Государственный комитет

СССР ео делам иэабретений и открытий (53) УДК621.373 (088.8) Дата опубликования описания 17.08.79 (72) Авторы изобретения

В. Г. Пикулик и А. Е. Пискунов

Белорусский ордена Трудового Красного Знамени государственный университет им. В. И. Ленина (71) Заявитель (64) ГЕНЕРАТОР НАНОСЕКУНДНЫХ ИМПУЛЬСОВ

Изобретение относится к технике формирования импульсов наносекундной длительности и может быть использовано в различных устроиствах.

Известны релаксационные генераторы импульсов, содержащие транзистор, работа- и юший в лавинном режиме (11.

Известен также релаксационный генератор импульсов, содержащий транзистор, который работает в лавинном режиме,RC цепочку динамического смешения и зак троченную линию задержки в цепи эмитте-ра транзистора (2).

Недостатком иэвесгных устройств яв ляется большое время переэаряда хронируюшего конденсатора в известном генераторе, а также удлиненный задний фронт формируемых импульсов, ограничивающий верхний предел частоты их следования.

Кроме того, в известном генераторе отсутствует регулирование частоты следова20 ния импульсов.

Целью изобретения является повышение верхнего предела частоты следования импульсов при широком диапазоне ее регулирования.

Поставленная цель достигается тем, что в генераторе наносекундных импульсов, содержащем транзистор в лавинном режиме, короткозамкнутую линию задержки, параллельную BC цепочку динамического смешения, токсзадающий резистор, разделительный конденсатор и нагрузку, в котором коллектор транзистора соединен через токозадающий резистор с клеммой источника питания, а через последовательно соединенные разделительный конденсатор и нагрузку- с общей шиной, база транзистора присдединена к обшей шине, а его эмиттер через цепочку динамического смешения - к одному из электродов линии задержки на ее разомкнутом конце, второ@электрод которой соединен с обшей шиной, в цепь базы транзистора последовательно включена катушка индуктивности, а линия задержки выполнена в виде несимметричной полосковой линии с перемещающейся эакорачивающеи перемычкой.

680154

На чертеже представлена принципиальная схема генератора наносекундных импульсов.

Генератор содержит транзистор 1, работающий в лавинном режиме, параллель- s но соединенчп е резистор 2 и конденсатор

3, образующие цепочку динамического смешения, короткозамкнутую полосковую линию задержки 4 с перемещающейся закорачиваюшей перемычкой для регулирования 10 электрической длины линии, катушку индуктивности 5, включенную в цепь базы тран зистора 1, разделительный конденсатор 6, нагрузку 7 и токозадаюший резистор 8.

Центральный электрод линии с ее разомкнутого конца через цепочку 2, 3 динамического смешения присоединен к эмиттеру транзистора 1, à ее наружные электроды соединены с обшей шиной; коллектор тран» зистора присоединен через токозадаюший резистор 8 к потенциальной клемме источника питания и через последовательно соединенные разделительный конденсатор и нагрузку - к обшей шине генератора.

Работа генератора наносекундных импульсов происходит следующим образом.

После включения источника питания разделительный конденсатор 6 заряжается до напряжения пробоя. Ток через транзистор лавинообразно нарастает, создавая на цепочке 2, 3 динамического смешения напряжение, запирающее змиттерный переход.

С помощью контура, образованного индуктивностью катушки 5 и емкостью коллекторного перехода, в нагрузке формирует- 5 ся короткий импульс тока симметричной формы, описываемый выражением. = — (1-соъ29г, ), )щ t 5 где 3щ - амплитуда -.îêà, 40

ФМ Ев - длительность импульса 1:и !

1 предельная частота транэкстот . ра, при которои 1, а время заключено в пределах О 4, V c. Ь

При формировании импульса тока в нагрузке на разомкнутый конец линии задержки поступает импульс напряжения отрицательной полярности. Этот импульс, отразившись от закороченного конца линии задержки с изменением полярности, появляется на разомкнутом конце линии через время, равное 2, где Г - время задержки линии. Отразившийся импульс отпирает эмиттерный переход транзистора, в котором вновь начинается лавинообразное на" растание тока, эалирание эмиттерного перехода и описанный выше процесс повтсг ряе жя, Перемещая захорачиваюшую перемычку вдоль линии задержки, можно изменкгь частоту следования импульсов в широких пределах.

Введение в цепь базы транзистора катушки, индуктивность которой образует с емкостью коллекторного перехода RC контур, позволило получить в нагрузке импульс тока с фронтами малой длительно< ти, что позволило повысить верхний пр дел частоты следования импульсов..

При использовании транзистора ГГ313 и линии задержки длиной 60 см были получены импульсы с длительностью по ос нованию 1,5 нс и регулированием част<>ты следования в пределах 100... 350MI ц. формула изобретения

Генератор наносекундных импульсов, содержаший транзистор в лавинном режиме, короткозамкнутую линию задержки, параллельную RC цепочку динамического смещенйя, токозадающий резистор, разделительныи конденсатор и нагрузку, причем ко лектор транзистора соединен через ток< задающим резистор с клеммой источника питания, а через последовательно соеди ненные разделительный конденсатор и нагрузку - с обшей шиной, база транзистора присоединена к обшей шине, а его эмиттер .через цепочку динамического смещенияк одному иэ электродов линии задержки на ее разомкнутом конце, второй электрод которой соединен с обшей шиной, о т и ич а ю ш и и с я тем, что, с целью ловышения верхнего предела частоты следова-. ния импульсов при широком диапазоне ее регулирования, в цепь базы транзистора последовательно включена катушка индуктивности, а линия задержки выполнена в виде несимметричной полосковой линии с перемещающейся закорачивающей перемычкой.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Дьяконов В. П. Лавинное транзисторы и их применение в импульсных устройствах, М., "Советское радио, 1973, с. 118.

2. Авторское свидетельство СССР м 155827, кл. Н 03 К 3/335,,1963.

680154

Составитель В. Мастяев

Редактор Н; Коган Техред О. Андрейко Корректор С. Шехмар

Заказ 4В10 5S Тираж 1060 Поддисное

БНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Mocxsa, Ж 35, Раушская наб., д, 4/5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4