Устройство для дифференцированного гальванопокрытия оснований микросхем

Устройство для дифференцированного гальванопокрытия оснований микросхем

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е п11680351

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ сок1а Соеетских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 20.12.77 (21) 2558987/18-21 с присоединением заявки № (23) Приоритет (51);1,1 Кл з

С 25D 17/16

Государственный комитет (43) Опубликовано 07.05.82. Бюллетень ¹ 17 (531 УДК 621,793.06 (088.8) по делам изобретений и отк-;ытчч (45) Дата опубликования описания 07.05.82 (72) Автор изобретения

H. А. Бондюров (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ

ГАЛ ЬВАНОПОКРЫТИЯ

Изобретение касается на11есеш1я гальванических покрытий на изделия электронной техники и может быть использовано для нанесения золота на основания интегральных микросхем.

При изготовлении микросхем монтаж ведется золотой проволокой методом термокомпрессии, для чего контактные площадки выводов оснований микросхем покрыва1отo5I c II1eM зо11ота. T3K35I >ho толщина покрытия трсбуется и па внутренней стороне донышка для посадки кристалла на эвтетику, Известно устройство для локального покрытия металлами, в котором участки оснований микросхем, не подлежащие покрытию (технологическая рамка), зажаты (закрыты) меткду двумя прокладками (типа резины), а на остальную часть золото осаждается одинаковой толщины.

С обеих сторон детали укладываются перфорированные аноды из листового золота.

Отдельные ячейки собираются в пакеты, уплотняемые с торцов жесткими подушкаM H (1 )

Основными недостатками этого устройства являются сложность конструкции для большого количества оснований, низкая производительность при загрузке-выгрузке

ДИФФЕРЕНЦИРОВАННОГО

ОСНОВАНИЙ МИКРОСХЕМ:, 7

1,", ):= ;;

2 и большие потери золота прп пзготовлепп11 перфорированных анодов.

По сравнению с гальванопокрытием оснований в барабанах устройство дает небольшую экономию золота, так как на участки, не зажатыс прокладками, золото наносится одинаковой толщины. Однако для создания надежных контактных соединений достаточно иметь требуемую для этого тол1п Ill lill) IIOIITII5I TO, I ISO II:I ко11т;1кт11ых II 10 щадках, а на остальных частях в 4- — 0 раз меньше, т. е. 1 — 1,5 мкм.

Известно устройство для дифференцированного гальванопокрытия оСнований мик15 росхем, которое состоит из погружаемой в электролит металлической кассеты с гнездами для укладки оснований микросхем и металлической крышки с угольными электродами, количество которых соответствует

20 количеству обрабатываемых деталей и которые при закрытии кассеты находятся против каждой детали на определенном расстоянии (2).

В процессе электролиза против электро25 дов на деталях покрытие получается толще, чем на остальных частях детали (дифференцированное покрытие).

Это устройство в массовом производстве также не прпмеш1мо, так как имеет незпазо 1птел1 нуlo с мкость кассет, следовательно, Ь80351 низкую производительность покрытия, и кроме того, незначительную разницу в толщине покрытия «видимых» и «невидимых» угольными электродами поверхностей, тем более определенного участка «видимой» стороны ввиду большого рассеивания электрического поля от большого количества анодов, что может дать также незначительную экономию золота, а также «засорение» электролита угольными электродами (науглероживапие), что влияет на качество покрытия.

Цель изобретения — повышение производительности и качества покрытия — достигается тем, что в устройстве для дифференцированного гальванопокрытия оснований микросхем корпус выполнен в виде полого цилиндра из изоляционного материала, в основаниях которого выполнены отверстия для электролита, гнезда выпол- 20 иены в виде отверстий, размеры и форма которых соответствуют размерам oclloflaний микросхем с максимальной толщиной покрытия, а анод выполнен в виде стержня, размещенного в полости цилиндра и уста- 25 новленного по оси цилиндра, причем контактные и крепежные элементы выполнены в виде проволочных колец, охватывающих корпус и поджатых цилиндрическими пружинами, а отверстия в основаниях цилинд-,о ра выполнены регулируемыми по величине их сечения.

На чертеже изображено устройство для дифференцированного гальванопокрытпя оснований микросхем. 35

Оно содержит корпус 1, изготовленный из изоляционного материала, например тсрмостойкого оргстекла или полистирола

ПСМ, в виде полого цилиндра. Перемычками 2 и штырьками 3 по периметру корпус.l п1 образованы ряды гнезд для оснований микросхем. В середине каждого гнезда имеются отверстия 4, размеры If форма которых соответствует размерам оснований микросхем с максимальной толщиной покрытия. 45

На наружной поверхности корпуса 1»о рядам отверстий размещены контак1пые и крепежные элементы в виде проволочных колец 5. Сверху кольца 5 поджаты цилиндрическими пружинами б. 1(ольца 5 и Ilpy- 51) жины б соединены с катодом 7. Основания

8 устройства выполнены с двойным дном с отверстиями 9. Поворотом подвижной части дна можно регулировать сечение отверстий 9. Внутри корпуса по оси цилиндра 55 установлен анод 10, соединенный с контактом 11.

Устройство работает следующим образом. Основания микросхем 12 ободком внутрь вставляются в гнезда, образованные 60 перемычками 2 и штырьками 3 против отверстий 4 под пружины 6. При этом осноHB IIII прижим а1отcsl ободKoill I(проволочKOJlbLI>> 5, B pE3 > IbTBTC OC>, IlICCTB,ISICтся контакт ободка с катодо:1 t, а посредством пружин б катод 7 соединяется с дном и контактными рамками оснований 8. Устройство подключается к источнику тока и погружается в ванну с электролитом. По окончании гальванопокрытия пружинки

«расстегиваются» и основания высыпаются в корзинку для дальнейшей обработки.

Описываемое устройство обеспечивает зна1ительную экономию золота за счет того, ITQ на «невидимых» анодом участках оснований толщина покрытия в 4 — 6 раз меньше, чем на «видимых», площадь которых в 4 раза меньше че vf «невидимых», качество покрытия за счет чистоты электролита и надежности контактов улучшается, а также из-за размещения всех оснований на одинаковом расстоянии от анода, что обеспечивает стабилы1ую толщину покрытия.

Возможность OIIIOIIpe»lcIIIIOII обработки большого числа оснований (1500 — 2000 штук) повышает производительность работы устройства.

Формула изобретения

1. Устройство для,f1lfpIIpepcfflffspoffalfffol о гальванопокрытия оснований микросхем, содерхкащее корпус с п1сздами для размещения оснований микросхем, анод, катод, контактные и крепе>кные элементы, отл и1 а 1о щ е с с я тем, что, с целью повышения производительности и качества покрытия, корпус выполнен в виде полого цилиндра из изоляционного материала, в основаниях которого выполнены отверстия для электролита, гнезда выполнены в виде отверстий, размеры и форма которых соответствуют размерам оснований микросхем с макси>>1аЛЬПО11 To IITfHIIOÉ IIOI>PI>ITIISI, полиси в и1де стержня, размещенного в полости цилиндра и установлс1шого по оси цили11дра, при 1см контактные и крепежные элементы выполнены в виде проволочных колец, охватывающих корпус и поджатых цff;Ilflupflчески.,ш пружинами.

2. Устрой; .во по и. 1, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью регулирования толщины

1IOrCP»ITIISl, ОТБСРС! >111 В OcllaaallffaX ЦИЛИНДра выполнены регулируемыми по величине их сечения.

Исто шики информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Авторское свидетельство СССР

X 487164, кл. С 25D 17/00, 1972.

2. Пате1гг Японии Хо 27268, кл. 99(5) С21, 1964.

680351

Составитель Л. Прокопенко

Техред А. Камышникова Корректор 3. Тарасова

Редактор П. Горькова

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 713/12 Изд. М 151 Тира>к 687 Подписное

НПО «Поиск» Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5