Стекло

Стекло

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

I опислнй.r.

ЙЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

; 68ЬМ9

Союз Севетскик

Соарвалистическии

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 240378 (21)2593840/29-33 (51) М. Кл.2

С 03 С 3/14 с присоединением заявки Мо

Государственный комитет

СССР по деяам изобретений и открытий (23) Приоритет— (53) УДН666.112..92(088.8) Опубликовано 250879 Бюллетень Но 31

Дате опубликования описания 250879 (72) Авторы изобретения

B. Д. Халилев, Н. Б. Князян и В. И. Вахрамеев (71) Заяв ель аявитель

Ленинградский ордена Трудового Красного Знамени технологический институт (54 ) СТЕКЛО

36-4 5

18-25

l8-24

5-18

2-9

1 7

Изобретение относится к составам стекол, используемых в электронной промышленности, в частности, для герметизации и склейки полупроводниковых приборов, изготовляемых на основе арсенида галлия.

Известен состав стекла, имеющего низкую температуру плавления и используемого для влагонепроницаемого покрытия деталей в электронике, содержащий следующие компоненты, мол.%! PbF> 17,5-30,0; 8ZO>

35,0-45,0; ZnO 27,5-42,5 (1).

Стекло синтезируется из борной кислоты, фторида свинца и окиси цинка. Шихту смешивают н спекают при температуре 800-1000 С. Готовое стекло выливают в воду, получают фритту, затем ее сушат, измельчают. Наносимый раствор (эмаль) получают смешиванием стекла с органическим растворителем и органической связкой.

Раствор наносят методом печати или из пульверизатора при температуре спаивания (440-570 С).

Недостатком данного способа является низкая химическая. устойчивость и малое электрическое сопротивление.

Наиболее близким к изобретению является состав стекла, содержащий

37-63 вес.% PbFzi 7-12 вес ° % ZnO< 12"

15 вес.% ВзОв 10-15 вес.% CdO u

3-5, вес.% Абс з (2) .

Это стекло йе проявляет признаков кристаллизации в широком интервале температур.

Недостатком этого состава является невысокое удельное электрическое сопротивление, так при температуре 150 С оно составляет (1 2то

1,4) ° 10 ом ° ñì и повышенный КТР (10 6- 112 ) ° 10 1/град.

Цель изобретения — повышение . удельного электрического сопротивления и снижение коэффициента термического расширения.

Это достигается тем, что стекло, включающее В О, ZnO, Cd0, РЫ ., АСР., дополнительно содержит МпО при следующем соотношении компонентов, мол.%:

2 Ъ

ZnO

CdO

PbFz

AeF

Мп0

681009

22,5

0,5

4,0

0,4 вес. %

2 мол. %

30,4 19,0

29,4

17,4

3,4

40,0

5,5

21 Ро

20,5

2,5

10,5

26,9 16,5 вес.%

3 мол.% вес.%

4 мол.%

25,5

1,7

24,9

4,5

37,5 19 0

24,7 14,6

38,5 19,0

24,4 14,1

20,0

4,0

12,0

7,5

24,3

2,7

27,8

5,9

19 0

5 5

15,0

33,5

3,0 вес.%

22,2

3 5

2,3

462й5,0

450*5,0

42015,0

73,3+3,0

76,9+3,0

78,2+3,0

81,5+3,0

1,0 10

2,5 10 1,2 10

1,25 10

6,5 10

8,5 10

1 1. 101

1,6 10

0,8 1013

0,4 ° 10

405+5,0

445+5,0

395+5,0

3802 5, 0

0 95 ° 1010

435+5,0

Формула изобретения

Тираж 556 Подписное

ЦНИИПИ Заказ 5007/21

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная,4

Данные стекла синтезируют в корунцовых тиглях в электрической пе" чи при температуре до 1000 С в течение 30-40 мин. Исходными реактивами служат реактивы марки 4 и Х4.

Выработку стекла производят на холодную металлическую плиту. Далее стекло перетирают в порошок, из которого приготавливают сметанообраэяую суспенэию, используемую в качестве растворителФ воды. Далее эту массу наносят на изготовленный элемент и обжигают в электрическо 1 печи при температуре 350-370 С в течение 3-5 мин. Стекло расплавляется, ровным слоем герметизирует

Стекло, включающее B O ZnO, CdO, РЬГ (AfГ, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения удельного электрического сопротивления и снижения коэффициента термического расширения, оно дополнительно содержит Мп0 при следующем соотношении компонентов, мол.%:

2 3

36-4 5

ZnO 18-25 рабочий узел элемента, образуя при этом вакуум плотный, прочный спай с арсенидом галлия.

В табл.l приведены составы предла.гаемого стекла, содержащие компо кенты в мол.% и вес.%.

В табл. 2 пРиведены свойства составов предлагаемого стекла.

Предлагаемые стекла легко синтезируются по существующим технолоtO гическим режимам, значительно более устойчивы к кристаллизации, легко образуют прочные вакуумплотные спаи при температуре 450-470 С последующей герметизацией.

Т а б л и ц а 1

CdO 18-24

Р Га 5-18

АЮГ 2-9

NnO 1-7

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент Японии 9 3467, кл. 21 A 296, 1971.

2. Заявка Р 2554142/33, 60 кл. С 03 С 3/18, 1977, по которой принято решение о выдаче авторского свидетельства.