Устройство управления силовым магнитно-транзисторным ключом

Устройство управления силовым магнитно-транзисторным ключом

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

683022 форматора 8 и резистор 15. Кроме того, устройство может содер>кать дополнительные обмотки 1б и 17 трансформатора тока и резистор 18 для уменьшения тока через > транзистор 5, организации положительного смещения силового транзистора 1 и размагнитгивания трансформатора 2 тока. В исходном состоянии напряжение на обмотках

7 и 14 трансформатора 8 имеют полярность, показанную значками без кружков. От обмотки 14 через резистор 15 протекает ток положительного смещения, который приот: рываст силовой транзистор 1.

Через силовой транзистор 1 начинает протекать ток .нагрузки, который через трансформатор тока 2 подается на вход силового транзистора 1. Этот ток открыва T силовой транзистор 1.

После изменения полярности напряже,ния на обмотке 7 трансформатора 8 (поляр ность указана значками с кружками), через резистор 1> открывается транзистор 5.

По цепи транзистор 5, диод 10 и базоколлекторный переход силового транзистора 1 начинает протекать ток от обмотки 7 трансформатора 8.

При этом происходит активное рассасывание неосновных,носителей в базе силово"о транзистора 1, так как этот ток течет в запирающем направлении — из базы силового транзистора 1.

Величина тока зависит только от параметров цепи — величины напряжения на обмотке 7, величины импеданса цепи и т. д.

Увеличивая напряжение, обмотки 7, можно увеличивать ток запирания и, следовательно, уменьшать время рассасывания,неосновных носителей, что в конечном счете приводит к уменьшению времени запирания си- 40 лового транзистора.

По сле заканчивания режима рассасывания,HEOcHOIBIIblx носителей транзистор начинает переходить в режим отсечки. Напря>кение базо-коллекторного перехода силово- 45 го транзистора 1 увеличивается. Когда это папря>кение,начинает превышать напря>кение обмотки 7, диод 10 смещается в обратном направлении и цепь рассасывания нсосновных носителей прерывается.

После прерывания тока,в цепи рассасывания ток вторичной обмотки 4 трансформатора тока 2 протекает через транзистор 5 и диод б.

После перехода силового транзистора 1 в режим отсечки открытый транзистор 5 и

6 служат для защиты от ложного включения силового транзистора 1.

Размагничивание сердечни ка токового трансформатора 2 производится от обмот- 60 ки 14 трансформатора 8 (от этой же обмотки производится положительное см"- щ-ение силового транзистора 1) .

Положительное смещение силового транзистора 1 и размагничивание сердеч,ника токового трансформатора 2 может производиться и другим ооразом, например, подключением специальной обмотки

17 токового трансформатора 2 через резистор 18 к обмотке 7 трансформатора 8.

Обмотка 17, кроме этого, уменьшает ток в цели рассасьпвания неосновных,носителей в базе силового транзистора 1.

Таким образом, предложенное устройство поэволяет резко снизить время рассасывания неосновных носителей в базе силового транзистора, что позволяет использовать предложенное устройство в высокочастотных схемах.

Формула изобретения

Устройство управления силовым магнитно-транзисторным ключом, содержащее трансформатор задающего генератора, пер вый вывод первой вторичной обмотки которого через обратно. включенный диод подключсн к коллектору силового транзистора, к базо-эмиттерному переходу которого подключена через резистор вторая вторичная обмотка трансформатора задающего генератора, о тл и ч а ющ ее с я тем, что, с целью расширения диапазона раоочих частот, введены дополнительные трансформатор тока, транзистор и диод, причем эмиттер дополнительного транзистора и анод диода подключены ко второму:выводу первой вторичной обмотки грансформатора задающего генератора, коллектор дополнительного транзистора соединен с базой, а катод дополнительного диода — с эмиттером силового транзистора, база дополнительного транзистора через резистор соединена с первым вьгводом вторичной обмотки трансформатора задающего генератора, одна обмотка трансформатора тока подключена к переходу эмиттер — база силового транзистора, а вторая — включена последовательно в цепь нагрмзки.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе;

1. Авторское свидетельство СССР

¹ 357б77, кл. Н 03 K 17/б0, 25.01.71.

2. Специальные элементы запоминающих устройств ЭВМ на полупроводниковых приборах. Проектирование и расчет. Г1од рсд. Е. И. Гальперина и А. 10. Гордонова, М.: Сов -ское радио, 1971, с. 190.

683022

Составитель А. Багян

Техред А. Камышникова

Кзррек ор С. Файл

Редактор О. Степина

Тип. Харьк. фил. пред. «Патент» лаказ 757/964 Изд. № 481 Тираж 1060 Подписное

НПО «Поиск» Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5