Мультивибратор
Иллюстрации
Показать всеРеферат
с ае". на я
1 . мь тф н» «е).
ОП И
ИЗОБРЕТЕНИЯ
Союз Советских
Социалистических
Рвсвублик
<„,684722
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 11Р6.76 (21) 2370694/18-21 с присоедммением замаки Н9 (23) Приоритет (1)М. К .
Н 03 K 3/28
Госуязрстеениый коиктст
СССР
Ао А@зои кзоорот якй м открытнй
Опубликовано 05.09.79. Бюллетень Но 33
Дата опубликования описания 0509.79 (53) УДК 621 з7з. 3 (088 .8 ) (72) Авторы изобретения
В.П.Майборода и Л.Н.Кузьмин (71) Заявитель (54) МУЛЬТИВИБРАТОР
Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано при проектировании различных устройств для генерирования прямоугольных импульсов, частота которых плавно регулируется в широких пределах с помощью одного реэистивного эле мента.
Известен мультивибратор, содержащий два усилительных каскада, включенных по схеме с общим змиттером с разделенной коллекторной нагрузкой, коллекторы транзисторов которых соединены с одной обкладкой вращающих конденсаторов через 15 встречно-параллельно соединенные диод и базо-эмиттерный переход вторых транзисторов, коллекторы которых соединены с шиной источника питания, вторые обкладки времяэадающих кон- 20 денсаторов соединены между собой через два встречно включенных диода, место соединения которых соединено через времязадающий резистор с шиной источника питания, и диоды 1).
Однако этот мультивибратор имеет недостаточный диапазон регулируемых частот, так как для достижения базовым током пороговой, величины, достаточной для начала регенерации схемы, 30 через времязадающий резистор потребуется ток, превьв ающий как минимум вдвое пороговое значение, что является результатом протекания этого тока по диодныс и баэовьм цепям обеих плеч. Увеличение порового тока приводит к уменьшению максимальной величины сопротивления времяэадающего резистора и соответственно к ограничению нижнего предела частоты колебаний. Кроме того нижний предел ограничивается дополнительным шунтированием времязадающего резистора зарядными диодами в полупериоде релаксации.
Цель изобретения — расширение диапазона регулируемых частот.
Данная цель достигается тем, что в мультивибратор, содержащий два усилительных каскада, включенных по схеме с общим эмиттером с разделенной коллекторной нагрузкой, коллекторы транзисторов которых соединены с одной обкладкой времязадающих конденсаторов через встречно-параллельно соединенные диод и базо-эмиттерный переход вторых транзисторов, коллекторы которых соединены с шиной источника питания, вторые обкладки времязадающих
684722
25 к онде нса торов соединены между собой через дна встреч о включенных диода, место соединения которых соединено через времязадающий резистор с шиной источника питания, и диоды, введены конденсаторы и резисторы,причем вторая обкладка каждого времяэа— дающего конденсатора соединена с базой транзистора противоположного плеча через последовательно соединенные диод и дополнительный резистор, зашунтированный дополнительным конденсатором, одна обклад— ка которого соединена с общей шиной через дополнительный резистор, с местом соединения коллекторной нагрузки противоположного плеча усилительного каскада через дополнительный конденсатор, а через резистор — с коллектором транзистора этого усилительного каскада, вторая обкладка этого конденсатора соединена с общей шиной через диод„ а через дополнительный резистор — с эмиттером второго транзистора противоположного плеча.
На чертеже принедена схема мультинибратора.
Мультивибратор содержит усилительный каскад на транзисторах 1 и 2, включенных по схеме с об|цим эмиттером, с коллекторными нагрузками
s виде пар резисторов 3,4 и 5 6 соответственно, транзисторы 7 и 8. диоды 9-16, нремязадающие конденсаторы 17 и 18, конденсаторы 19-22, времязадающий резистор 23, резисторы
24-31 и шину 32 источника питания, соединенную с коллекторами транэис— торов 7 и 8 непосредственно, а с катодами диодов 9 и 10 через резистор 23, коллектор транзистора 1 через последовательную цепочку, состоящую из встречно-параллельно включенных диода 13 и баэо-эмиттерного перехода транзистора 7, резисторов 25 и 27, соединен с базой транзистора 2, коллектор которого через последовательную цепочку, состоящую иэ встречно-параллельно включенных диода 14 и базо-эмиттерного перехода транзистора 8, реэис— торов 24 и 26, соединен с базой транзистора 1, связанной с базой транзистора 2 через последовательно включенные конденсатор 19, прямо включенные диоды 11 и 9, встречно им включенные диоды 10 и 12 и конденсатор 20, общая точка которого с базой транзистора 2 через резистор
29 соединена с общей шиной, через резистор 30 - с коллектором транзистора 1, а через конденсатор 21 с общей точкой резисторов 3 и 4, общая точка конденсатора 20 и резисторов 25 и 27 через диод 16 соединена с общей шиной, связанной через диод
1 5 с общей точкой резисторон 24 и 26 и конденсатора 19, база транзистора
l5
35>
60 б5
1 через реэис", ор 28 соединена с общей шиной, через конденсатор 22 с общей точкой резисторов 5 и f>, а через рези .тор 3! — с коллектором транэисора 2, а эмиттеры т1.анзисторон 7 и 8 соответственно через кон— денсаторы 18 и 17 соединены с анодами диодов 10 и 9.
Мультинибратор работает следующим образом. Пусть транзистор 2 и диоды 9,11 и 12 закрыты. Конденсатор 18 переэаряжается по цепи через времяэадаюшнй резистор 23, диод 13 и коллек торно-эмнттерный переход открытого транзистора 1 . .Потенциал общей точки конденсатора 18 и диодов
16 н 12 положителен и уменьшается, стремясь по экспоненте потенциалу шины 32. При цостижении током н базовой цепи транзистора 2 порогового з начени я, на чина етс я переброс схемы н противоположное состояние. До момента переброса диод 11 остается надежно запертым напряжением на коммутирующем диоде 1 5, смещенном н прямом направлении током, протекающим по резистору 24. По этой причине до момента переброса часть тока, протекающего через резистор
23 после отпирания диода 12 поступает практически только в базовую цепь закрытого ранее транзистора
2. Следует отметить, что введение н обратную связь нелинейных диодных цепей затягинает по времени процесс опрокидывания сх ы, в результате чего могут нарушиться не— обходимые условия регенерации. Чтобы не допустить этого, обычно вводятся дополнительные коллекторно-базовые сн язи. B мультивибраторе регенера— ции начинается с помощью ускоряющих конденсаторов 21 и 22, поддерживаетсч в последующий промежуток времени посредстном резисторов 30 и 31 дополнительной обратной cBязи и заканчивается по цепям нремязадающих конденсаторов 17 и 18. После переброса транзистор 2 открывается и подде ржин а ется в отк рытом состоянии токами, протекакмцими через резисторы 27 н 30. При этом степень насыщения транзистора 2 н течение последующей релаксации изменяется незначительно из-эа стабилизирующего по напряжению действия открытого диода 16, а также благодаря перераспределению тока, открывающеro диод 16, между резистором 25 и конденсатором 18 по мере его заряда.
Быстрый заряд конденсатора 18 через диоды 16 и 12 с помощью транзистора
7, а также отсутствие черезмерного насыщения отк рытых тра н з ис торов
1 и 2 расширяется верхний предел частоты автоколебаний.
Формула изобретения
Мультивибратор, содержащнй,дна усилительных каскада, включенных лп 1; 2
57 fл
Составитель В.Турченков
Редактор П.Мепуришвили Техред З.Фанта Корректор E.Ïàïï
Заказ 5305/53 Тираж 1060 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4 5 пиал ПП11 Патент, г.ужгород, ул. Проектная, 4 по схеме с общим эмитте1>ом с разделенной коплекторной нагрузкой, коллекторыы тра н з ис торов которых соединены с одной обкладкой в рем я за— дающих конденсаторов через встречнопараллельно соединенные диод и баэоэмиттерный переход вторых транзисторов, коллекторы которых соединены с шиной источника питания, вторые обкладки времяэадающих конденса— торов соединены между с:обай через два встречно включенных диода, место соединения которых соединено через времязадающий резистор с шиной источника питания, и диоды, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона регулируемых частот, в него введены конденсаторы и резисторы, причем вторая обкладка каждого времяэадающего конденсатора соединена с базой транзистора противоположного плеча через по(ледовательно соединенные диод и дополнительный резистор, зашунтированный дополнительным конденсатором, одна о кладка которого соединена с общей шиной через дополнительный резистор, с местом сое5 динения коллекторной нагрузки противоположного плеча усилительного каскада через дополнительный конден— сатор, а через резистор — с коллек— тором транзистора этого усилитель-!
0 ного каскада, вторая обкладка этого конденсатора соединена с общей шиной через диод, а через дополнительный резистор — с эмиттером второго транзистора противоположного плеча.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1. 11пота C.JI. Мультивибраторы с динамическим насыщением транзисторов Наука и техника, 20
1977, стр.бб, рис. 2.16.