Шихта для изготовления керамических конденсаторов

Шихта для изготовления керамических конденсаторов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

< 687043 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 2404.78 (21) 2623320/29-33 с присоединением заявки М (23) Приоритет (51) М. Кл.2

С 04 В 35/00

Государственннй комитет

СССР по делам изобретений н открытий (53) УДК 666.655 (088 .8) Опубликовано 2509.79. Бюллетеиь Йо 35

Дата опубликования описания250979 (72) Авторы

ИЗОбрЕТЕИИЯ В.Е. Пепеляев и В.В. Самойлов (73) Заявитель (54 ) ШИХТА ДЛЯ ИЭГОТОВЛЕНИЯ КЕРАМИЧЕСКИХ КОНДЕНСАТОРОВ

Изобретение относится к керамическим материалам, используемым в электронной технике для изготовления электрических конденсаторов постоянной емкос ти .

Известны сегнетокерамические материалы с высокими значениями диэлектрических свойств на основе твердых растворов ВаТ10л — BaSnOg

CaTiOy; BaT1+- РЬЯп03 ВаТ1ОЗ

Вавка (1) °

Однако такие материалы имеют недостаточно высокую термостойкость.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому результату является материал типа Т-8000 на основе твердых растворов титаната-цирконата бария с добавками оксидов цинка и висмута (2),20

Однако данные материалы обладают недостаточно высокой термостойкостью, электрической прочностью и воспроизводимостью диэлектрических свойств, что ограничивает использование этих материалов в массовом производстве керамических конденсаторов.

Цель изобретения — повышение тер мостойкости, электрической прочности и воспроизводимости диэлектрических свойств конденсаторов.

Это достигается тем, что шихта для изготовления керамических конденсаторов, содержащая ВаТ10е, BaZr0 и добавки ZnO u BipOg дополнительно содержит мелкодисперсный А8 при следующем соотношении компонентов, вес.%:

BaTiO 81,3-87,175 вазго3 12,0-15,0

ZnO 0 5-1,1

В1зОз 0,3-0,6

Мелкодисперсный АР, Для получения данного материала приготавливают смесь в необходимых соотношениях из предварительно синтезированных известными способами спеков BaT10l BaZrOg с добавками

ZnO, Bi O и мелкодисперсного металлического Af. Смесь спеков с добавками измельчают до удельной поверхности 5000-7000 см"/г. Полученную массу пластифицируют известными. способами, формуют в изделия н о обжигают при 1300-1400 С в течение

1 — 3 ч.

687043

В1 О

Мелкодисперсный М

0,6 0,45 0,3

0,25

2,0 1,01 2 0,25.

81,3 84,238 87,175

15,0 13,5 12,0

1,1 0,8 0,5

ВаТХОр

Ва Zro

ZnO

13000 в 790014700 10100

1325015120

Тангенс угла диэлектрических потерь, tg 10

0,72-1, 03 0,83-1., 12 0,94-1, 32 1,05-1 67

Удельное объемное со-, противление, Низ 10 ом см

2,9 .-3,4 3,8-4,4

2,9-3,5 0,85-1,14

Электрическая прочность

Епр,, кв/мм

5,4-6,2

124-137

5,5-6,3

98-118

4,9-5,7

113-130

4,3-5,3

76-105

Термостойкость Ь Т, С

Составитель Н.Фельдман

Редактор С.Суркова Техред . М.Петко Корректор Г.Решетник

Заказ 5651/22 Тираж 702 Подписное

ЦНИИПИ Гс .Ударственного комитета СССР по делам изобретений н открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, г.ужгород, ул.Проектная,4

Конкретными примерами являются следующие составы, вес.%:

Сост ав 1 Сост ав 2 Сост ав 3 диэлектрическая, прони- 12860цаемость Е, при 20 С 14520

При этом разброс значений диэлектрической проницаемости не превышает 3(6,5%, для удельного объемного сопротивления и электрической прочности он составляет 7-8%, а для тангенса угла диэлектрических потерь 15-16,5% (в сравнении с 12%, 10% и 23% раэ- Я броса тех же параметров у известного материала) . ормула изобретейия, 40

Шихта для изготовления керамических конденсаторов, содержащая BaTi+, BaZrO> и добавки Zno и Bipo, о т л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения термостойкости, электСвойства предлагаемых и известных материалов приведены в таблице. рической прочности и воспроизводимости диэлектрических свойств конденсаторов, она дополнительно содержит мелкодисперсный М при следующем соотношении компонентов, вес.%:

BaTi05 81,3-87,175

ВаЕгОЗ 12,0-15,0

ZnO 0,5-1,1

BiqOg 0,3-0,6

Мелкодисперсный AP. 0,025-2,0.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США Ю 3.345.189, кл. 106-39, опублнк. 1968.

2. Вопросы радиоэлектроники, сер. 3, вып. 5, 1962, с. 21-26.