Керамический конденсаторный материал

Керамический конденсаторный материал

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е! 168848О

ИЗО БР ЕТЕ Н И Я

Союз Советских

Социалистических

Ресоублнк

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 18.05.78 (21) 2617957/29-33 с 1присое1динением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (43) Опубликовано 30.09.79. Бюллетень № 30 (45) Дата опубликования описания 01.10.79 (51) М. Кл.- С 04 В 35/00

Государственный квинтет по делам изобретений и открытнй (53) УДК 6 ::1.319.4 (088.8) (72) А!вторы изобретения

В. В, Кол-1ин, И. К. Михайлова и E. M. Балашова (71) Заявитель (54) КЕРАМИЧЕСККЙ КОИДЕИСАТОРНЫЙ МАТЕРИАЛ

Изобрстсние относится к диэлектрическим материалам на основе ок !слов бария, титана, кальция, цирконпя, олова с добавKBivIII различных окислов, используемых для изготовления керамических конденсаторов.

Известен керамический материал на основе окислов бария, кальция, титана, циркония, олова с добавками окислов висмута и окислов редкоземельных металлов, mlcloщий при значениях диэлектрической проницаемости (е) от 1500 до 8500 диэлектрические потери (tg б) 0,01 — 0,02 и температуру спекания 1360 — 1430 (1).

Наиболее близок к предлагаемому матсриал, который содержит компоненты в следующих количествах, вес. О/О.

Такой материал имеет при 25 С е не менее 4500, изменение е в интервале темпе- ЗС

2,5 — 2,8

31,.2 — 31,5

СаО

Т10, СаО

Т1О

ZrO2

SnO, В1 0з

Sm>O

SiO2

NgO

Мп О, ВаО

2,8 — 3,1

30,3 — 30,4

0,6 — 1,3

6,5 — 7,5

0,2 — 0,5

0,1 — 0,3

0,3 в 1,0

0,2 — 0,3

0,1 — 0,3

Остальное (2). ратур от 5 до 85"" С не превышает 15 — 10," .

TBi{ e:-1с i IB дпэ. iсктр1!" ссх Iх !Inòñ рь tg ll не более 0,01. Температура обж:I;B изделий

1;з данного материала 1360 †-!30 С.

Известньш материал разрабат и для ни"кополь! пых кондснсаторов, пмсст высокос зпачсllпе та!{! сНсВ i TëB д11элс! Трнчсскпlх потерь, что затрудняет его применение для из. отсвлсния высоковольтных ко«дснсаторов. Температура обжига изделий и1з такого мат"pIIB;IB выше 1360 С, что исключает возможность оожи а заготовок высоковолътI1»ix конденсаторов дискового типа диамет ом 60- — 5 л1л! и To;nil,IIliîé 10 — 12 л1л в электрических печах с силитовыми нагревателями.

Цель изобретения — снижение тангенс;. угла диэлектрических потерь и температуры спекания.

Достигают это тем, что предлагаемый керамический конденсаторный материал, включающий ВаО, СаО, TiO, ZTO2, SnO

Sm;O3, BiзОз, SiO и Nn 03 или NgO дополнительно содержит STO, при следующем соотношении компонентов, вес. о8ол30

0,5 в 1,2

5,8 — 6,8

5,8 — 6,8

0,1 — 0,,3

1,8 2,4

0,3 — 0,9

0,2 — 0,3

3,9 — 0,9

Остальное

Уг02

SnO2

SnO2

Sm2O3

В!203 о102

Мп2О3 или MgO

SrO

ВаО

Таблица !

Состав, вес, Компоненты

Приготовление материала производят следующим образом. Готовят шихты из спеков двух составов путем смешивания и

:томола окислов, взятых:в указанных соотшениях.

Таблица 2

Шихта состава I, вес. % оо» о а о

о оЛ

«) «> о

Ю

Р:(SrO

TiO2

В 1203

39,0 — 412,2

40,4 — 40,6

16,5 — 19,0 аО

l»

ea

"Й

М

F" о

2р Состав материала, вес. %,О о

°, о

И-Шихта состава 2, вес. %

3000 0,001

2350 0,001

2600 0,0009

58,5 — 59,0

2,8 — 3,1

30,3 — 30,4

0,6 — 1,3

6,5 — 7,5

0,2 — 0,5

0,1 — 0,3

0,3 в 1,0

10l 2

10"

132 .) 1430

450 1

0,01

По прототипу

Формула изобретения

Керамический конденсаторный материал, содержащий ВаО, СаО, Ti02, Zr02, Sn02, 35 Sm203, В!203, Si02 и Мп203 илнМДО, о тл ич а ю шийся тем, что, с целью снижения тангенса угла диэлектрических потерь и температуры спекания, он дополнительно содержит SrO при следующем соотношении

40 компоне.нтов, вес. %:

Синтез шихты первого состава осуществляют при 1100 — 1150 С в течение 2 ч, синтез шихты вто1рого состава производят прн

1280 — 1300 С в течение 2 ч.

Из полученных спеков путем помола н смешения с добавками окислов марганца или магния готовят материал при следующем соотношении компонентов,,вес.

Состав 1 10,0

Состав .2 90,0

Мп2О3 0,2 — 0,3 (сверх 100% ) или Мп0 0,2 — 0,3 (сверх 1QQ%) Офор.мление образцов и заготовок конденсаторов производят методом полусухого прессования. Обжиг образцов и изделий в зависимости от их размеров производят при 1260 — 1350 С.

50 или MgO

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Лвторское свидетельство СССР

¹ 438628, кл. С 04 В 35/00, 1972.

2. Лвторское свидетельство СССР № 585139, кл, С 04 В 35/00, 1976 (прототип).

По данной технологии потовят образцы из трех материалов. Состав образцов приведен в табл. 1, а свойства их — в табл. 2.

Заказ 86?/1069 Изд, ¹ 543 Тираж 706

Тип. Харви. фил. пред. «Г1атент»

НПО «Поиск»

Подписное

ВаО

СаО

TiO2

ZrO2

SnO, В!203

S и!203

3102

TiO, ZrO, ВаО

SãO

Si 0., СаО

SnO,, Bi,O, SmO

Мп20, X8O

СгО

TiO2

ZrO2

Sn0, Sn0, Sm-03

В! 03

Si0, МП203

SrO

ВаО

31,2

0,6

52,0

3,9

0,4

2,8

6,7

2,1

О,!

0,2

31,2

0,5

52,1

4,3

0,4

2,7

6,7

1,8

О,l

0,2 г

r4

Х,О

v + о о

» o

И а э с«

«7

Ж

«о о.а - о = к

И у о о

C Ъ о» о ч ю о бЪ ( (»

2,5 — 2,8

31.2 — 31,5

0,5 в 1,2

5,.8 — 6,8

5,8 — 6,8

0,1 — 0,,3

1,8 — 2,4

0,3 — 0,9

0,2 — 0,3

3,9 — 0,9

Остальное

31,2

0,5

52,1

4,3

0,3

2,6

6,7

1,8

0,2

0,2