Мультивибратор

Мультивибратор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

:;!ли I (!!! 68898I

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 26.06.78 (21) 2633364/18-21 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 30.09.79. Бюллетень № 36 (45) Дата опубликования описания 30.09.79 (51) М. Кл.

Н ОЗК 3/282

Государственный комитет (53) УДК 621.373.52 (088.8) по делам изобретений отнрытий (72) Лвтор изобретения (71) Заявитель

3. И. Викутан

Научно-исследовательский и конструкторско-технологический институт городского хозяйства (54) МУЛЬТИВИБРАТОР

Изобретение относится к области импульсной техники и может применяться в автоматических и телемеханических устройствах.

Применяемые в устройствах автоматики и телемеханики мультивибраторы на транзисторах с емкостными базово-коллекторными связями имеют тот недостаток, что не исключена возможность срыва колебаний либо незапуска в автоколебательный режим при включении питания. Особенно затруднен запуск мультивибратора, если после включения источника напряжение питания нарастает медленно и если времязадающие конденсаторы относительно велики.

Известны мультивибраторы, содержащие транзисторы, последовательно с базовыми резисторами которых включены транзисторные ключи, управляемые сигналами с коллекторов противоположных транзисторов (1).

Такие мультивибраторы достаточно надежны, но сложны.

Известны мультивибраторы на двух транзисторах одинаковой проводимости с емкостными коллекторно-базовыми связями и времязадающими резисторами в базовых цепях (2).

Недостатком мультивибратора является необходимость точного подбора величины дополнительной нагрузки. С одной стороны это сопротивление не должно быть малым, чтобы не вызвать повреждения транзистора, а с другой — опо не должно быть большим, чтобы его подключение действительно выводило транзистор из насыщения. Учитывая большой диапазон разброса коэффициента усиления транзисторов и его

1О температурную зависимость, можно сделать вывод о необходимости учета всех факторов, в том числе и эксплуатационных, прп расчете дополнительно подключаемой нагрузки.

), Цель изобретения — исключение режима жесткого самовозбуждения.

Для достижения указанной цели в мультивибратор на двух транзисторах одинаковой проводимости с емкостными коллектор20 но-базовыми связями и времязадающими резисторами в базовых цепях, введен дополнительный транзистор противоположного типа проводимости, коллектор которого подключен к коллектору первого транзи25 стора, база через ограничивающий резистор подключена к коллектору второго транзистора, а эмиттер — к общей точке двух последовательно включенных времязадающих резисторов в цепи базы первого

30 транзистора.

688981

На чертеже представлена принципиальная схема устройства.

Мультивибратор собран по классической схеме двухтранзисторного мультивибратора с емкостными коллекторно-базовыми связями. Коллектор первого транзистора 1 соединен с нагрузочным резистором 2 и через конденсатор 3 подключен к базе второго транзистора 4, коллектор которого подключен к своему нагрузочному резистору 5 и через конденсатор 6 — к базе первого транзистора 1. Базовое сопротивление транзистора 1 состоит из двух резисторов 7 и 8, а базовое сопротивление транзистора 4 — из одного резистора 9. Кол- 15 лектор дополнительного п — р — n-транзистора 10 подключен к коллектору первого транзистора 1, а его база через ограничивающий резистор 11 — к коллектору второго транзистора 4. Эмиттер дополнитель- 20 ного транзистора 10 подсоединен к общей точке резисторов 7 и 8.

В нормальном режиме транзисторы 1 и

4 поочередно закрываются и открываются, и влияние транзистора 10 практически не 2> ощущается. В момент открытия транзистора 1 конденсатор 3 начинает разряжаться на резистор 9, а через конденсатор 6 протекает ток заряда, являющийся током базы транзистора 1. Ток заряда течет по рези- зо стору 5 и подключенной параллельно цепочке: резистор 11 — переход база— эмиттер транзистора 10 — резистор 7.Транзистор 10 при этом открывается, устанавливая глубокую обратную связь в усилите- д ле на транзисторе 1, которая, однако, не выводит его из насыщения благодаря шунтирующему действию резистора 5.

С прекращением протекания зарядного тока через конденсатор 6 транзистор 10 о закрывается, а транзистор 1 продолжает удерживаться в насыщении благодаря цепочке из резисторов 7 и 8.

Во время открывания транзистора 4 импульсы разряда конденсатора 6 удерживают транзистор 10 в закрытом состоянии.

При срыве колебаний оба транзистора 1 и 4 оказываются открытыми. В этом случае образуется цепь протекания базового тока транзистора 10, транзистор 4 — резистор

11 — переход эмиттер †ба транзистора

10 — резистор 7. А благодаря открытому состоянию транзистора 1 образуется также и цепь протекания коллекторного тока транзистора 10, в результате чего усилитель на транзисторе 1 оказывается охваченным глубокой отрицательной обратной связью, выводящей его из режима насыщения, что приводит к возникновению автоколебательного режима работы мультивибратора.

ФOPMiла зобретения

Мультивибратор на двух транзисторах одинаковой проводимости с емкостными коллекторно-базовыми связями и времязадающими резисторами в базовых цепях, отличающийся тем, что, с целью исключения режима жесткого самовозбуждения, в него введен дополнительный транзистор противоположного типа проводимости, коллектор которого подключен к коллектору первого транзистора, база через ограничивающий резистор подключена к коллектору второго транзистора, а эмиттер — к общей точке двух последовательно включенных времязадающих резисторов в цепи базы первого транзистора.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент Японии № 51 — 48938, кл. НОЗК

3/282, 2. Авторское свидетельство СССР № 322847, кл. Н ОЗК 3/82, 11.04.71 (прототип) .

688981

Составитель В. Бугров

Техред А. Галахова

Редактор Е. Караулова

Корректор Л. Орлова

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 2353/3 Изд. Ме 579 Тираж 1060 Подписное

IHO «Поиск» Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытии

113035, Москва 5Ê-35, Раушская наб., д. 4/5