Способ определения адгезии пленки к подложке
Патент 689411
Авторы
Классы МПК
Способ определения адгезии пленки к подложке
Реферат
(19)SU(11)689411(13)A1(51) МПК 6 G01N19/04(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина:
(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ АДГЕЗИИ ПЛЕНКИ К ПОДЛОЖКЕ
Изобретение относится к области испытания материалов, а именно, к способам определения адгезии пленки к подложке. Известен способ определения адгезии пленки к подложке, заключающийся в том, что к плите прикладывают усилие отрыва, по величине которого судят об адгезионных свойствах. Недостатком этого способа является низкая точность, так как он не позволяет определить фактическую неконтактирующую площадь пленки с подложкой. Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому результату является способ определения адгезии пленки к подложке, заключающийся в том, что к пленке прикладывают отслаивающее усилие, а об адгезионных свойствах судят по наличию неконтактирующей площади. Недостатком этого способа является низкая точность определения адгезии фоторезистивных пленок. Целью изобретения является повышение точности определения адгезии фоторезистивных пленок. Указанная цель достигается тем, что поверхность пленки подвергают ионному легированию, подложку с пленкой нагревают, а об адгезионных свойствах судят по наличию вздутий пленки. При этом легирование осуществляют ионами фосфора с энергией 100-200 кэВ и дозой легирования 100-500 мкКл/см2, а также ионами бора или сурьмы. Способ осуществляется следующим образом. Поверхность фоторезистивной пленки подвергают ионному легированию ионами фосфора, бора или сурьмы с энергией 100-200 кэВ на установке ионной имплатации. Доза легирования составляет 100-500 мкКл/см2. В результате ионного легирования происходит затягивание микропор фоторезистивной пленки она становится влаго- и газонепроницаемой. После осуществления ионного легирования подложку с пленкой нагревают в термостате до температуры 100-200оС. Под влаго- и газонепроницаемой фоторезистивной пленкой при нагреве происходит разложение и испарение продуктов загрязнения подложки и на участках с плохой адгезией образуются вздутия пленки, по которым судят об адгезионных свойствах фоторезистивной пленки.
Формула изобретения
1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ АДГЕЗИИ ПЛЕНКИ К ПОДЛОЖКЕ, заключающийся в том, что к пленке прикладывают отслаивающее усилие, а об адгезионных свойствах судят по наличию неконтактирующей площади, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения адгезии фоторезистивных пленок, поверхность пленки подвергают ионному легированию, подложку с пленкой нагревают, а об адгезионных свойствах судят по наличию вздутой пленки. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что легирование осуществляют ионами фосфора с энергией 100 200 кэВ и дозой легирования 100 500 мкКл/см2. 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что легирование осуществляют ионами бора. 4. Способ по п.1, отличающийся тем, что легирование осуществляют ионами сурьмы.