Способ удаления фоторезистивного покрытия с подложки

Способ удаления фоторезистивного покрытия с подложки

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Оп ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

< >702243 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 26.12.77 (21)255g634(23 04 с присоединением заявки М(23) Приоритет(5l)M. Кл, 9 03 С 1/68

Гвсударстееннь@ нбинтет

СССР на делам нзабрвтеннй н атнрь тнй

Опубликовано 05,12.79. Бюллетень %45 (53) УДК 771 5 (088.8) Дата опубликования описания 10,1д 79

В. К, Гусев, Ф, В, Урьяш, И. Л, Анисимов. и С. Н, Владимиров (72) Авторы изобретения (7l) Заявитель (54) СПОСОБ,УДАЛЕНИ Я ФОТОРЕЗИСТИВНОГО

ПОКРЫТИЯ С ПОДЛОЖКИ

Изобретение относится к способам удаления фоторезистивных покрытий с подложек и может быть использовано в полупроводниковой и полиграфической цромьппленности.

Известен способ удаления фоторезистивного покрытия с подложки путем термообработки подложки в инфракрасной пе чи при 300-320оС в токе окислительного газа (кислород или воздух) в течение.

30 мин. Скорость нагрева подложки не указана jI)

Недостатком известного способа является низкая производительность процесса, обусловленная длительностью термообработки подложки.

Белью изобретения является повышение производительности процесса.

Поставленная цель достигается тем, что в способе удаления фоторезистивного покрытия с подложек путем термообрабоч. ки подложки в инфракрасной печи при

300-320оС в трке окислительного газа

2 термообработку подложки проводят со скоростью нагрева 20-30 град.

Использование предлагаемого способа позволит повысить производительность процесса удаления фоторезистивного покрытия с подложек примерно в 50 раз, так как время термообработки сокращается до 10-15 с.

Обрабатываемые подложки с фоторезистивным покрытием помещают в рабочую камеру, в которой создают разрежение, а затем поддерживают давление окислительйого газа (воздух) не менее 0,1 атм.

Нагрев образцов осуществляют от инфракрасного излучателя марки

<Н-.220-1000-5 с воздухоохлаждаемым экраном при создании на транспортирующем устройстве равномерного поля нагреha длиною 60 мм.

Образцы, помещенные на транспортирующее устройство, проходят зону нагрева с постоянной скоростью, причем замеЧено,- что максимальная температура достигается при подходе образца к выходу з 7022 иа аоны нагрева (наблюдения через специальное окно в рабочей камере).

Температуру аамеряют хромель-копеле вой термопарой, подпирающей образец снизу и перемещающейся вместе с образцом.

Температуру на образцах задают путем изменения скорости движения образцов и расстояния их от излучателя.

Пример 1.:Фоторезистивный слой иа фоторезиста ФН-11 (фоторезист на основе цнклокаучука, очувствленного биазидами) толщиной до 3 мкй удаляют с подложек - выводных рамок интегральных. схем йз ковара и никеля толщиной 0,2 мм.!5

При расстоянии от нагревателя до образца 2 см и скорости движения образца

24 см/мин время прохождения через вону нагрева 15 с„максимальная температура 300оС. Скорость нагрева 20 грац/с.

Фоторезист дален полностью.

При расстоянии от нагревателя до образца 1 см и скорости движения образца

36 см/мйн! образец проходит через вону нагрева за 10 с, максимальная температура 300 С, Скорость нагрева 30 грд/с.

Фоторезист удален полностью.

Пример 2. Фоторезистивный слой из фоторезиста ФП-ЗЯЗ (фоторезист на основе фенолформальдеги чой смоей и о-хинондиазида) толщиной 1 мкм удаляют с тех же подложек, что и в примере 1.

При расстоянии от нагревателя до образца 2 см и скорости движения образца

24 см/мин образец проходит через зону нагрева за 15 с, максимальная темпера43 4 тура 320оС. Скорость нагрева 21,4 град/с,,Фоторезист удален полностью.

Пример 3. Образцы фоторезистивного слоя фотореаиста ФН-11 толщиной

3 мкм удаляют с отрезка ленты лакофольгового диэлектрика марки ФйИ-А иа никеля и ковара.

Нагревают образцы с помощью лампы

КГ-220-1000-5 до температуры 305+

5оС, изменяя скорость нагрева от 1 до

ЗО град/с и время нагрева.

При скорости нагрева 1,5, 1 О, 15, 20, 25 и 30 град/с время выдержки при

305 +. 5оС до полного удаления фотореаиста 300, 240, 120, 60, О, 0 и Ос, полное время термообработки 600,300, 150,80,15,12 и 10 с соответственно.

По предварительным расчетам трудоемкость обработки на операции удаления фотореаиста для одной рамки снизится в

10 раа, а себестоимость на 20%.

Формула изобретения

Способ удаления фоторезистивного покрытия с подложки путем термообработки подложки в инфракрасной печи прн 300

320оС в токе окислительного raaa о т— л и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения производительности процесса термообработку подложки проводят со скоростью нагрева 20-30 град/с.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1 Авторское свидетельство СССР

¹ 35.2252, кл. 6 03 С 1/68, олублик.

1970 (прототип).

Составитель А. Круглов

Редактор Т. Шарганова ТехредЛ. Алферова КорректорЮ. Макаренко

Заказ 7578/39 . Тираж 548 Подписное

ЦНИИПИ Государственного. комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4