Амплитудный детектор
Иллюстрации
Показать всеРеферат
Союз Советских
Социалистических
Респубиик ()702484 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (51) М. Ил.2 (22) Заявлено 16.1277 (21) 2555392/18-09
I с присоеяинеиием заявки ¹
Н 03 П 1/14
Государственный комитет
СССР но делам изобретений н отквытнй (23) Приоритет(53) УДК621.376 (088,8) Опубликовано 05.1 279. Бюллетень №45
Дата опубликования описания 051279
f (72) Авторы изобретения
I
H.B.Poýîâ, Н,П,Вознесенский и Ю,A,Êîíñòàíòèíoâ (71) Заявитель (54) АМПЛИТУДНЫЙ ДЕТЕКТОР
Изобретение относится к радиоэлектронике.
Известен амплитудный детектор, содержащий детектирующий транзистор с резистором нагрузки в цепи коллектора, база которого соединена с источником входного сигнала,компенсирующий транзистор и резисторный делитель напряжения (11.
Однако в этом детекторе разброс параметров транзисторов влияет на чувствительность схемы, Кроме того, у него недостаточно стабильный режим работы.
Цель изобретения — уменьшение влияния разброса параметров транзис-. торов на чувствительность детектбра, а также повышение стабильности режима работы, Для этого в амплитудный детектор,. содержащий детектирующнй транзистор с резистором нагрузки в цепи кбллек- тора, база которого соединена с источником входного сигнала, компенсирующий транзистор и резисторный делитель напряжения, введен источийк смещения, подключенный через резистор к эмиттеру компенсирующего транзистора при этом база компенсирующего транзистора соединена с общей
2 шиной, коллектор - с шиной источни ка питания, реэисторный делнтель напряжения включен между эмиттером компенсирующего транзйстора и общей шиной, а его отвод соединен с эмиттером детектирующего* транзйстора.
На фиг,1 представлена принципиальная электрическая схема амплитудного детектора; на фиг, 2 - входная характеристика транзистора с общей базой и нагрузочная прямая, определяемая сопротивлением резистора.
Амплитудный детектор содержит резисторы 1, 2, конденсатор 3, резистор 4, делитель напряжения на резисторах 5,6,, детектирующий тран зистор 7, резистор 8 нагрузки, компенсирующий транзистор 9, конденсатор 10, источник смещения и источник питания (на чертеже не показаны), Устройство работает следующим образом.
Входной сигнал поступает на базу транзистора 7, Если амплитуда сигнала превышает напряжение П .т,этот транзистор открывается и в его коллекторной цепи сигнал детектируется." Сопротивлением резистора 1 устанавливается эмиттерный ток транзистора
ЗО 9 и, следовательно, напряжение на
702484
Составитель Q,Kàáàðÿõî
Техред Н.Ковалева Корректор Н.Веселовская
Редактор Б,Федотов
Заказ 7607/52 Тираж 1060 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал 1TITI1 Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4 его эмиттерном переходе (фиг.2) .Это напряжение через делитель напряжения (резисторы 5, 6) поступает на эмиттер транзистора 7. Для транзистора 7 указанное напряжение является открывающим, за счет чего частично компенсируется напряжение Ugq транзистора 7, и чувствительность детектора повышается. Чувствительность регулируют изменением коэффициента деления делителя напряжения (резисторы
5, 6), Технико-экономическая эффективность амплитудного детектора заключается в уменьшении влияния разброса параметров транзисторов на чувствительность детектора и повышении стабильности режима работы.
Формула изобретения
Амплитудный детектор, содержащий
20 детектирующий транзистор с резистором .нагрузки в цепи коллектора, база которого соединена с источником входного сигнала, компенсирующий транзистор и резисторный делитель напряжения, отличающийся тем, что, с целью уменьшения влияния разброса параметров транзисторов на чувствительность детектора и повышения стабильности режима работы, в схему введен источник смещения, подключенный через резистор к эмиттеру компенсирующего транзистора, при этом база компенсирующего транзистора соединена с общей шиной, коллектор — c шиной источника питания, резисторный делитель напряжения включен между эмиттером компенсирующего транзистора и общей шиной, а
ei о отвод соединен с эмиттером детектирующего транзистора.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе .
1, Патент CtdA Р 3742262, кл. 307-310, опублик, 1971 (прототип)