Фотопреобразователь

Фотопреобразователь

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ен" не-та р, асцая

ОП И Е

Союз Советских

Социалистических

Республик оц702490

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ, Ж г/(61) Дополнительное к авт. сеид-ву (22) Заявлено050477; (21) 2470628у18 21 (я)М. Кл,2 с присоединением заявки Ио (23) Приоритет—

Н 03 К 3/284

Государственный комитет

СССР но делам изобретений и открытий

ОпубликоваНО 051279. Бюллетень Йо 45

Дата опубликования описания 05.12.79 (53) УДК 821.374 (088.8) (72) Авторы изобретения

В П Вудянpg р К ° 1 ребнев А.И.КРивоносов и В,Н.Прибульский (71) Заявитель (54) ФО1ОПРЕОБРАЗОВА1ЕЛЬ

Изобретение касается контрольноизмерительной техники и может использоваться s системах регулирования, использующих устройства, преобразую" щие световые сигналы в электрические.

Известна схема мультивибратора, содержащего транзисторы, резисторы, конденсаторы и диод, обеспечивающего преобразование неэлектрических величин в электрический сигнал (1).

Недостатком схемы является малая температурная стабильность и наделЬность ограничейный динамический диапазон преобразования.

Известен фотопреобразователь, содержащий, транзисторы, резисторы, . времязадающий конденсатор и фоторезистор (2) .

Недостатком этой схемы является низкая температурная стабильность преобразования уровня светового

1 сигнала в длительность генерируе- мь х импульсов.

Цель изобретения - увеличение температурной стабильности преобразованияя.

Для этого в Фотопреобразователь,: содержащий ключевой транэистор типа р-п-р, база которого через резистор ,подсоединена к коллектору ключевого транзистора типа п-р-и и через его коллекторный резистор подсоединена к эмиттеру ключевого транзистора типа р-и-р и к плюсовой клемме источника питания, минусовая клейма которого подсбединена к эмиттеру ключевого транзистора типа п-р-п, база которого подсоединена к одной иэ обкладок времязадающего конденсатора и через фотоприемник: (фоторезистор) подключена к плюсовой клемме источника питания, коллектор ключевого транзистора типа р-п-р подсоединена к коллектору нагруэочного транзистора типа п-р-п, эмиттер которого подсоединен к минусовой клемме источника питания, а его база через резистор подсоединена к плюсовой клемме источника питания, введе- ны дополнительные транзисторы, резисторы и кондеисатор, причем база ключевого транзистора типа п-р-и подсоединена к эмиттеру транзистора типа п-р-п, включенного по схеме с оторваннйм коллектором, база которого через дополнительный конденсатор подключена ко второй обкладке времяэадающего конденсатора и к кол-. лекторам двух дополнительнйх транзисторов типа р-п-р и п-р-п, эмиттеры

702490 которых подсоединены к точке соединения колЛекторов ключевого транзис тора типа р-п =р и нагруэочного транзистора типа п-р-п, база дополнительного транзистора типа р-п-р через первый дополнительный резиотор подсое- 5 динена к минусовой клемме источника питания, а база дополнительного транзистора типа и-р-п через второй дополнительный резистор — к плюсовой клемме источника питания..

- На чертеже представлена принципиальная схема фотопреобразователя.

Он содержит ключевой транзистор — -1 типа р-п-р, база которого чере»э резистор 2 подсоединена к коллектоРу-"ключевого транзистора 3 типа и-р-и и через его коллекторный ре- зистор 4 подсоединена к эмиттеру уйомянутого кдючевого транзистора

1 типа р-п-р и к плюсовой клемме источника питания 5, минусовая клемма которого нодсоединена к эмиттеру . ключевого транзйстора 3 типа ?r-р-п, база koTopo»ro подсоединена к одной иэ обкладок времяэадающего конденсатора б и через фотоприемник (фоторезистор) 7 подсоединена к пЛюсовой .клемме источника питания 5, коллек— т ор ключевого транзистора 1 типа: р -п-p подсоединен.к колектору нагрузочного транзистора 8 типа п-p-п, 30 эмиттер которого подсоединен к минусовой клемме источника питания 5, а его база через резистор 9 подсое-. ди»йена к плюсовой клемме источника питания 5, база ключевого транзистора 3 типа п-"p-п подсоедийена к эмиттеру допблнитепьного:транзйстора . .10 типа п-р-п, включенного по схеме ,с оторванным коллектором, база кото:рого через дополнительный конденса- 40 .тор 11 подсоединейа ко,второй обклад- ке времязадающего конденсатора б и к коллекторам двух дополнительных транзисторов 12 и 14 типа р-п-р ""и, п-р-п, эмиттеры которых подсоедийены 45 к точке соединения коллекторо«й »ключе- вого транзистора 1 типа р-п-р -и нагрузочного транзистора 8 типа п =р -п, база дополнительного транзистора 12

«типа р-п-р через первый допо»лнит»ель-, 5p нйй резистор 13 подсоединена к минусовой клемме источника питания 5, 1 а база дойолнительного транзистора типа п-р-п "14 через второй дополнительный резистор 15 - к плюсовой клемме источника питания.

Устройство работает Следующим обр азбм. "

При отсутствии запускающих имйульсов схема находится в статическом состоянии, определяемом открытым состоянием обоих ключевых трензисто- ров 1, 3. Времязадающий конденсатор, б заряжен при этом уровне до уровня

:напряжения источника питания 5. При подаче запускающего импульса поло-- — т— жительной полярности в точку соеди« нения коллектора транзистора 3 и резистора 4 происходит запирание транзисторов 1,3, что вызывает переэаряд конденсатора б, который осуществляется через фотоприемник (фотореэистор)

7; причем Длительность перезаряда конденсатора 6 определяется сопротивлением фотореэистора 7, зависящим от уровня принимаемого им светового потока. Конденсатор 11 вначале заряжен до напряжения на времязадающем конденсаторе 6. При перезаряде кон)денсатора 6 напряжение,на его обкладках" начйнает,уменьшаться, что Приводит к запиранию змиттерного перехода транзйстора 10, включенного по схеме с оторванным коллектором, структура проводимости которого од-". ноти«пна с ключевым транзистором 3.

Это "позволяет компенсировать влиянйе базового тока запертого ключе"вого транзистора 3 на длительность генерируемых импУльсов. Транзистор

12 включен нормально по цепи заряда конденсатора б и инверсно по цепи

его перезаряда, а транзистор 14 вклйчен нормально по цепи перезаряда и инверсно по цепи заряда. Введение в схему указанных транзисторов также позволяет, повысить температурную

cTабильность схемы за счет конпенсации величины обратных коллекторных токов транзисторов 1, 3.

Экономический эффект от внедрения предложеннбго устройства достигается эа счет аппаратурного упрощения системы в целом.

Формула изобретения

Фотопреобразователь, содержащий ключевой транзистор типа р-п-р, база которого через резистор подсоединена к коллектору ключевого транзистора типа п-р-п и через его коллекторный резистор подсоединена к эмиттеру ключевого транзистора р-п-р и к плюсовой клемме источника питания, минусовая клемма которого подсоедине-, на к эмиттеру ключевого транзистора тийа п-р- п, база которого подсоединена к одной иэ обкладок времяэадающего конденсатора и через фотоприемник (фотореэистор) подсоединена к плюсовой клемме источника питания, коллектор ключевого транзистора типа р-п-р подсоединен к коллектору на; грузочного" 1Фанзистора типа п-р-п, эмиттер которого подсоединен к минусовой клемме источника питания, а его база через резистор подсоединена к плюсовой клемме источника питания, отличающийся тем, что, с целью увеличения температурной стабильности, в фотопреобраэователь вве дены дополнительные транзисторы, резисторы и конденсатор, причем база

702490

Составитель Г,Пешков

Техред Н.Ковалева Корректор, Я.Веселовская

Редактор B.Ñàïèðøòåéí

Заказ 7607/52 Тираж 1060 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Фи ",иал ППП Патент, r. ужгородг кл. Проектная, 4 ключевого транзистора типа п-р п подсоединена к эмиттеру транзистора типа п-р-п, включенного по схеме с оторванным катодом, база которого через дополнительный конденсатор подсоединена ко второй обкладке времяэадающего конденсатора и к коллекторам двух дополнительных

:транзисторов типа р-п-р и п-р-п, эмиттеры которых подсоединены к точке соединения коллекторов ключевого транзистора типа р-и-р и нагрузочного транзистора типа п-р-п, /( база йополнительного транзистора типа р-п-р через первый дополнительный резистор подсоедииена к минусовой клемме источника питания, а база дополнительного транзистора типа п-р-п через второй дополнительный

5 резистор - к плюсовой клемме источника пйтания.

Источники информации, принятые во внймание при экспертизе

1. Фролкин В.Г. ИмпульсныЕ уст ройства, 1974, с,221.

2. Яковлев В.Н. Импульсные гене-, раторы на транзисторах. 1968, с.108,