Способ определения параметров электронов в приповерхностных слоях вырожденных полупроводников

Способ определения параметров электронов в приповерхностных слоях вырожденных полупроводников

Реферат

 

Способ определения параметров электронов в приповерхностных слоях вырожденных полупроводников, включающий освещение исследуемого образца и эталона - невырожденного полупроводника - монохроматическим поляризованным светом, измерение эллипсометрических параметров образца _л и эьалона _o на крае полосы собственного поглощения, определение длины волны света _m, соответствующей минимальному значению эллипсометрического параметра _л образца, отличающийся тем, что, с целью увеличения точности и расширения пределов измерения параметров электронов, параметры _л и _o измеряют при изменении длины волны света и находят длину волны ₁, меньшую _m, но наибольшую из удовлетворяющих условию равенства параметров _л и _o, затем измеряют параметры при других углах падения на двух или более длинах волн _j в интервале ₁< _j< _m, находят минимальные значения параметров _л и _o, расчетным путем определяют эффективную массу и концентрацию электронов.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что параметр _л измеряют на длине волны в интервале _{o m}, где _o - красная граница полосы собственного поглощения эталона, при угле падения, равном углу наибольшей поляризации, и по известным значениям концентрации и эффективной массы электронов расчетным путем определяют их подвижность.