Высокотемпературная приставка к рентгеновскому дифрактометру

Высокотемпературная приставка к рентгеновскому дифрактометру

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О НИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик 706756

Н АВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 10.07.78 (21) 2641930/18-25 (5! )М. Кл .

G 01 N 23/20 с присоединением заявки М (23) Приоритет

ВеударстввннЫ1 квмнтвт

СССР ао 11влвм нввврвтеннй.-и втнрытнй

Опубликовано 30.12.79 Бюллетень М 48

Дата опубликования описания 30.12.79 (53) УДК 621.386 (088.8) С. М. Дейно, Ю. Г. Мясйиков и Ю. Н. Финкельштейн (72) Автори изобретения (71) Заявитель (54) ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ ПРИСТАВКА К РЕНТГЕНОВСКОМУ

ДИФРАКТОМЕТРУ

Изобретение относится к области ренттеновского приборостроения и, в частности, к устройствам для проведения испытаний в различных температурных условиях.

Известна высокотемпературная приставка к дифрактометру УРС-50 И для съемки поликристаллических образцов (I ), содержащая водоохлаждаемый вакуумный корпус, систему откачки, нагреватель, держатель образца и тепловые экраны, выполненные из листового молибдена.

Известна также приставка для высокотемпературных дифрактометрических исследований (21, содержащая встроенный орбитронный гетерои15 онный насос, жестко закрепленный на корпусе камеры, позволяющий длительное время поддерживать вакуум вйутри корпуса после отключения системы откачки.

Ближайщим техническим решением является

20 высокотемпературная приставка к рентгеновско- му дифрактометру содержащая охлаждаемый вакуумный корпус и смонтированнь1е в нем держатель образца, нагреватель, систему тепло2 вых экранов и газопоглотительное устройство (3).

Недостаток приставки состои в том, что в динамическом режиме работы действительное давление вблизи поверхности образца оказывается значительно выше измеряемого несмотря на наличие газопоглотительного устройства.

Вследствие этого точность измерений может быть невысокой, а получаемые результаты недостаточно достоверными.

Цель изобретения - повышение точности высокотемпературных рентгеновских исследований.

Поставленная цель достигается тем, что в высокотемпературной приставке к рентгеновскому дифрактометру, содержащей охлаждаемый вакуумный корпус и смонтированные в нем держатель образца, нагреватель, систему тепловых экранов и газопоглотительное устройство, последнее выполнено в виде серии окружающих нагреватель и помещенный в нем образец, расположенных друг за другом тепловых экранов из различных материалов, обладающих наибольшей сорбционной способностью при температуре, устанавлива3 706756 4 ющейся в позиции размещения соответствующе- улучшенный вакуум непосредственно вблизи го экрайа. исследуемого образца, Замена, например, обычно

На чертеже показана высокотемпературная используемых молибденовых экранов на систему приставка, из танталовых (2 ближних к нагревателю) и

Приставка содержит вакуумный корпус 1, ниобиевых. (все остальные) улучшает разрежедержатель 2 образца и йагреватель 3. Нагрева- ние на порядок (от 10 до 10 мм рт.ст., 4 "5 тель" окружен комплектом цилийдрическйх 4, при работе в интервале температур 800-1500 С. верхних 5 и нижних 6 плоских экранов, кото- При этом газологлотительное действие экрарые могут быть a mîëíåíû иэ различных соче- " нов оказывается достаточным для подцержания такий материалов. С помощью вакуумпровода 7 )p и течение 60 мин давления внутри приставки внутренний объем приставки связан с системой не менее Зх10 мм, рт.ст. при полном отклю отКачки. чении ее от внешней системы откачки.

При проведении высокотемперйтурйых иссле дований, наивыСшую температуру Имеет" экран, расположенный непосредственно вблизи нагре- . f5 Ф о р м у л а и з о б р е т е н и и вателя," а затем от экрайа к экрану"температура последовательно снижается, достигая зна- Высокотемпературная приставка к рентгенов-.

4ейий, близких к Ыомйатйым ; на" водоохлйжда-" . Скому дифрактометру, содержащая охлаждаемый емом корпусе приставки. ТейловыЕ зкрань|, рас- вакуумный корйус и смонтированные в нем положенные вбййзи нагревателя, выполнены из gp держатель образца, нагреватель, систему тепловых

" " матерйЫ16в" с максимальной сорбционной способ- . экранов и газопоглотительное устройство, о тростью при более- высоких темйературах;-й эк- "".. "л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью повыранй, удаленные от нагревателя - с наибольшей .шеиия точности высокотемпературных рентгеСорбционйой способностью при более йизкйх " : "новских исследований, газопоглотительное усттемпературах. - :. -" -:- "::- " " . 2s ройство выйолнено в виде серии окружающих

В зависимостй от йнтервала темпе11 агуф, при - нагреватель и помещенный в нем держатель которых предполагается проведенйе йсс11ефова- - образца распбложенных друг за другом тепло- . ний, йодбирают оптимальное сочетание "материа- " вых экранов из различных материалов, облаков тепловых экранов, обеспечивающее наиболь-: - дающих наибольшей сорбционной способностью ший сорбционный эффект, : gp при температуре, устанавливающейся в позиции

Материалом для экранов может ciip6ij i "тан - " размещенйя соответствующего экрана. тал, обладающий высокой адсорбционной спо:: Источники информации, собностью при температурах от 700 до 1200 С,, принятые во внимание при экспертизе а при более низких температурах - ииобйй::. 1. Хейкер Д, М., Зевин Л. С. Ренттенов(400-900 С). Могут также использоваться"Зкра- 3 cicui дифраЫгометрия, М., ФМ 1963, с. 83-85. ны из молибдена с нанесенным на его" поверх- "" 2. Приборы для исследования физических ность порошком циркония или тантала, обла- .:, свойств материалов. Киев,"Наукова думка", дающих высокими газопоглотительными свойства- 1974, с. 24 - 26. ми при нагреве. Возможно применение и других 3. Кочержинский Ю. А., Петьков В. В. материалов.-""" - 4p Высокотемйературная приставка fc ренттеновПредлагаемая койструкция, отличйясь прос- скому дифрактометру. ПТЭ 1972, N 1, с.191тотой и удобством в эксплуатации, обеспечивает 194 (прототип).

706756

Составитель Е. Сидохин

Техрец Н.Бабурка Корректор I0. Макаренко

Редактор Е. Караулова

Заказ - 8209/37

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4

Тираж 1073 Подписное

БНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5