Резистивный материал

Резистивный материал

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

В. Г. Красов, Г. В. Турчина, H. Д. Колдащов, Л. H. Могилева, 3. М. Пуронене и Р. Ф. Шутова (72) Авторы изобретения (7l) Заявитель (54) РЕЗИС ГИВНЫЙ МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для получения толстопленочных резисторов.

Известен резистивный материал, содержащий вес. %: 35-45 РфО, 15-28

В О, 30-40 М О2, 1-30 частип дву5 окиси рутения и 1-. 10 порошка пятиокиси ванадия (11.

Недостаток такого резистивного материала состоит в невозможности получения на его основе толстопленочных . резисторов с сопротивлением ниже

200 Ом/п .

ПРототипом изобретения является резис тивный материал, содержащий, вес. %: до 40 двуокиси рутения, до 25 порошка серебра, до 40 боросиликатного стекла и до 100 добавки .окиси алюминия (2).

К недостаткам этого резистивного материала относятся узкий диапазон сойрбтивления и низкая стабильность параметров при повышенной влажности (до 2% в течение 30 суток при влажности 98%).

Цель изобретения - расширение диапазона сопротивления.

Это достигается тем, что резистивный материал, включающий свинцовоборосиликатное стекло и двуокись рутения, дополнительно содержит вольфрам при следующем колнчественном соотношении компонентов, вес. %:

Свинцовоборосиликатное стекло 25 - 95

Двуокись рутения 4,5 - 70

Вольфрам О, 2 — 20

Для получения резистивного материала были подготовлены три смеси компонентов, содержащие каждая, вес.%: двуокись рутения 55; 5; 50, порошок металлического вольфрама 20; 0,2; 10 и свинповоборосиликатное стекло (PbO P5, В О 10, ЯО 15, А62О 5, LÈÎ 5)

25; 94,8; 40.

Каждую смесь тщательно перемешивают с органической связкой (ланолин), наносят на подложки из керамики 22хС о и обжигают при температуре 850 С.

-т -ц ° iqg c 4

Полученные на основе этого матери- — "характеристики, представленные в табала резисторы имеют элек грофизические лице.

ТКС, 10 1/ С

Выход годных, %

Удельное сопротивление, Ом/

Резистивный матери:ал, вес. %

Стабильность, %

Стекло 25

Двуокись рутения 55

Вольфрам 20

+0,8

+84

3,5

Стекло 94,8.

Двуокись

= футе!ния 5

Вольфрам", 0,2

1,0 ИОм! g 0,2

Стекло

Двуокись рутения . 50 Вольфрам 10

11,0 -"

93 !

+70!

Составитель Ю. Герасичкин

Редактор Е. Караулова Техред 3. Фанта. Корректор M. Шарошн

Заказ 8239/44 Тираж 923, Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4!.

Г- — . - .„2

Резистивный материал позволяет получать: толстопленочные резисторы с удельным сопротивлением от 3,5 "Ом/о до 1,0 МОм/И со стабйльностью пвраметрбв при воздействии повышенной (98%) влажности не хуже +1,0% и выходом годных резисторов 7 5-95%.

Использбвание "резйстивного материала M позволит расширить область применения толстопленочных элементов при йроиз« водстве изделий радиоэлектронной imiaратуры различного назначения.

Ф о р м у л а и з о б р е т е н- и я . 40

Резистивный материал, включаюший свинцовоборосилйкатйое! стекло и "двуо! кись

Ь рутения, отличающийся теМ, что, с целью расшщ ения диапазона сопротивления, он дополнительно содержит вольфрам при следующем количественном соотношении компонентов, вес. %:

Свинцовоборосиликатное стекло - 25-95

Двуокись рутения 4,5-70

Вольфрам . О, 2-20

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США % 4006278, кл. 428-427, опублик. 1 977.

2. Патент "ФРГ % 2539181, кл. Н 01 С 7/00, опублик. 1977.