Стекло для пеностеклокристаллического материала

Стекло для пеностеклокристаллического материала

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик ри709582 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 14,0678 (21) 2628224/29-38 (51)М. КЛ.

С 03 С 11/00

С 03 С 3/22 с присоединением заявки ¹вЂ”

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий (23) Приоритет

Опубликовано 1501.80. Бюллетень ¹ 2

Дата опубликования описания 15.01,80

f53) УДК666.112.9 (088.8) (72) Авторы изОбрЕтения

Л.К,Советова и S.Ñ.×åðåïàíîâ

Государственный научно-исследовательский институт строительной керамики (71) Заявитель (54) СТЕКЛО ДЛЯ ПЕНОСТЕКЛОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО

МАТЕРИАЛА

Изобретение относится к радиотехническим материалам.

Известен стеклокристаллический состав, включающий

S iO2 53 — 73,5

A 12 О 16, 2-34, 5

Li2О 4,3-14, 0

TiO2 4, 5-7, 5 (1) .

Наиболее близким к изобретению является состав, включающий следую-. щие компоненты, вес.Ъ:

810 58 — 80

Al 2 О 10-30

LipO 2,5-7,0

TiO2 2,25-5

SiC 0,25-5

ZnO до 15

MgO, В, О>, ZrO2, СаО до 2

1а2О, К20 до 1 (2).

Недостатками указанных составоВ является то, что иэделия из этих масс имеют высокие диэлектрические потери и диэлектрическую проницаемость, которые делают весьма затруднительным или невозможньм применение материала при необходимости соблюдения требований по малой кажущейся плотности из2 делий, пониженных значениях диэлектри чес кой проницаемости и ди элек T рических потерь в сочетании .с улучшен5 ными теплоизоляционными свойствами.

Целью изобретения является обеспечение диэлектрической проницаемости

1,23-1,77 и тангенса угла диэлектрических потерь tg а 0,001-0,002 °

Это достигается тем, что стекло для пеностеклокристаллического материала, включающее S10g А1 03 В О тз, Li>O, TiO2, MgO, CaO, SiC, дополнительно содержит Вао и PbO при следующем соотношении компонентов, мас.Ъ:

15 8102 52 4 60 т4

А12 О 16, 5-17,0

В2 О О, 5-0,8

Li2O 2,3-3, 4

Т102 1, 7-2, 5

20 Mgo j 3-1 7

СаО 0,4-0,7

SiC 0,1-0,5

ВаО 15,0-19,0

PbO 1,8-2, 0 Стекло для пеностеклокристаллического материала изготавливают по следующей технологии. Сырьевые мате риалы (кварцевый песок, каолин, углекислый барий, углекислый литий, дву-.

З0 окись титана, силин ат свинца, тальк, 709582

1,24

Формула изобретения

0,002

О, 0015

Составитель 3.Вощакина

Редактор A.Ìîðîçîâà Техред М.Келемеш Корректор А, Гриценко

Заказ 8691/28 Тираж 528 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, г.ужгород, ул.Проектная,4 борат кальция) размалывают в требуемом соотношении и смешивают в шаровой мельнице мокрым способом в течение

15-20 ч, затем шихту обезвоживают и высушивают. Высушенную массу брикетируют и подвергают предварительному обжигу при 1200 С до образования спека.

Спек дробят на бегунах и тонко размалыварт в шаровой мельнице, куда добавляют тонкомолотый карбид кремния. Полученную вспенивающуюся в обжиге массу обезвожив ают, высушивают, засыпают в металлические формы и направляют на вспенивание в тепловые агрегаты. Вспенивание производят при

1180-1210 С, вспененные заготовки вынимают из форм и обрезают под требуемый размер.

Пример 1. Пеностеклокристаллический материал на основе стекла следующего состава, мас,Ъ: S10p

59,59, Аl Оь 16,6, Li<0 2,45, Т102

1,8, MgO 1,38, В ОЭ 0,55, Са0 0,45, ВаО 15,2, PbO 1,83, SiC 0,15, полученный вспениванием в обжиге при

1180ОС, имеет следующие свойства:

Кажущаяся плотность 0,55 г/см

Диэлектрическая проницаемость . 1,75

Тангенс угла диэлектрических потерь

Средний коэффициент линейного термического расширения в интервале 20-700О С 1, 3xl 0 1/ "С .

Пример 2. Пеностеклокристаллический материал на основе стекла следующего состава, мас. Ъ: S102

57,56, А1 0 16,75, Lip 0 2,74, Т102 .2, 12, Mgo 1,47, В> О О, 62, СаО О, 52, ВаО 16,07, PbO 1,9, . SiC 0,25, полученный вспениванием в обжиге при

1200 С, имеет следующие свойства:

Кажущаяся плотность 0,35 г/см

Ди влек трич еск ая прон иц аемо сть .1,45

Тангенс угла диэлектрических потерь

Средний коэффициент линейного термического расширения в интервале 20-700 С 1 4х10 1/ оС

Пример 3. Пеностеклокристаллический материал на основе стекла следующего состава, мас. Ъ: Si02

53,53, А 1 03 16,85, LiZO 3, 28, TiOg

2,37, MgO 1,53, В О 0,67, СаО 0,57, ВаО 18,73., PbO 1,97, SiÑ 0,5, полученный вспенив анием в обжиге при

1200 С, имеет следующие свойства:

Кажущаяся плотность О, 21 r/см5

Диэлектрическая проницаемость

Тангенс угла диэлектрических потерь 0 i 001

Средний коэффициент

20 линейного термического расширения в интервале 20-700 С 2,0х10 1/ С.

Стекло для пеностеклокристаллического материала, включающее 810

Al< O, В О, L1 0, T10, MgO, СаО, Я1С,отличающеесятем, что, с целью обесПечения диэлектри-. ческой проницаемости 1,23-1,77 и тангенса угла диэлектрических потерь

tg h 0,001-0,002, оно дополнительно содержит Вао и PbO, при следующем соотношении комПонентов, мас,В:

Б 0 52,4-60,4.AlZ 05 16 5-17, О

В 0 0,5-0;8

LiZO 2, 3-3, 4

Т i0

40 MgO 1 3-1,7

СаО 0,4-0, 7

SiC 0,1-0, 5

ВаО 15,0-19„0

PbO 1,8-2.

45 Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Справочник Стекло ° M.

Стройиздат, 1973, с. 412, с. 424, 2. Заявка Великобритании 9 1287970

50 кл, С 1 М, опублик. 1972.