Способ фототермопластической записи

Способ фототермопластической записи

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О Й И-Е- "-А"-:-И И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

<»711533

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (6! ) Дополнительное к авт. свид-ву (51) М. Кл.2 (22) Заявлено 0706.74 (21) 2031808/28-12 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 2501.80. Бюллетень ¹

Дата опубликования описания 2601.80

G G 16/00

Государственный комитет

СССР по лезам изобретений и открытий (53) УДК 772.93 (088.8) (72) Авторы изобретения

А,А. Пасечник, В,И. Павлов, B,È. Булгаков, Д,Д, Розум и А.Г, Грудзинский (7! ) Заявитель (54) СПОСОБ ФОТОТЕРМОПЛАСТИЧЕСКОЙ ЗАПИСИ

Изобретение относится к области приборостроения „a именно, к технике фототермопластической з апи си .

Известен способ фототермопластической записи, заключающийся в формировании скрытого электростатического изображения на термопластическом носителе с предварительной зарядкой термопластического слоя путем подключения пульсирующего напря.жения между проводящим слоем упомянутого носителя и фотополупроводниковой пластиной, находящейся в механическом контакте с носителем, экспонирования с одновременной подачей напряжения противоположной полярности и последующего прявления электростатического изображения нагревом (1).

Недостатком этого способа является большая неравномерность фона получаемых на термопластическом носителе изображений, обусловленная формированием изображения при неравномерном зазоре между фотополупроводниковым и термопластическим слоями (к неравномерному воздушному зазору приводит наличие различных де- фектов и пыли, раэнотолщинность этих слоев и др.).

Различие в воздушных зазорах между фотополупроводниковым и термопластическим слоями приводит к тому, что изображение на носителе будет искажено таким образом, что глубина микродеформаций участков носителя, которые соответствуют меньшим воздушным зазорам, будет больше глубины микродеформаций участков носителя, соответствующих большим воздушным зазорам.

Белью изобретения является повышение равномерности фона изображения.

Это достигается тем, что перед экспонированием на систему фотополупроводник — термопластик подают высокочастотный импульс напряжения.

Подача перед экспозицией высокочастотного импульса напряжения приводит к возникновению в воздушном зазоре между фотополупроводниковым и термопластическим слоями объемного заряда, снижающего напряжение пробоя. Амплитуда этогo импульса выбирается такой, чтобы во всех участках контакта термопластического и фотополупроводникового слоев воздушный зазор был пробит (О = 200В (10 мГц, 1 -- 0,1 с), Одновпеменно

711533

Формула изобретения

Составитель А, Грудзинский

Ре анто Н Хл ова Тех ед Н.Бабурка Ко екто М.Вигула

Заказ 9008/34 Тираж Подписное

IIHHHIIH Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035 Москва Ж-35 Pa ская наб д, 4 5

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул, Проектная, 4 с выключением высокочастотногo им--. пульса напряжения на систему подают импульс постоянного напряжеиия и осуществляют экспозицию.

Применение предлагаемого способа фототермопластической записи позволяет повысить на 130% равномерность, фона, увеличить глубину и койтраст получаемых на термопластическом носителе деформаций.

Способ фототермопластической записи, включающий зарядку термопластического слоя, приведение его в контакт с фотополупроводниковым сл ем, экспонирование иэображения на систему фотополупроводник — термопластик с одновременной подачей постоянного напряжения и проявление иэображения нагревом, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью повышения равномерности фона изображения, перед экспонированием на систему отополупроводнМк — термопластик поают высокОчастотный импульс напряжения.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1, Патент США Р 3214272, кл. 96-1, 1965 (прототип),