Широтно-импульсный модулятор

Широтно-импульсный модулятор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Сон?з Соеетскик

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. Свид-ву (22 - „, „,, 2ñ; 02 - 21) 2 .-.О;.:9, 8 21 (51) М. Кл, -

Н ОЗК " 08! с присоединспием 32явки Ъз

I (23) Приоритет

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий (43) Ог,бликоваио 30.01.80. Бюллетень М 4 (45) Дата опубликования описания 30.01.80 (53) УДК 621.376.6 (088.8) (72) Авторы

ИЗООРСТСНИЯ

А. С. Климов и И. A. Шур (71) Заявитель (54) ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНЫЙ МОДУЛЯТОР

Изобретение относится к области импульсной техники и может быть использовано в качестве широтно-импульсного моДУ ЛЯТОР2 В СИСТСМ2Х 2BTOiVI2TII ICCKOI O гулироваппя и управления.

Известен широтно-импульсный модулятор, содержащий мультпвибратор и суммирующий магнитный усилитель (1J.

Недостаток этого модулятора состоит в сго сло кнос?и и следовательно недостаточной надежности.

Наиболее близкое к изобретению техническое рсшенис — модулятор, выполненный на основе симметричного транзисторного мулы ивибратора с коллекторно-базовыми связями. Ьходной сигнал через два резистора подкл;очается к оазам транзисторов мультивибратора (21.

Недостатком этого модулятора является его сложное-ь Ipll реали ацп грункциональной зависимости сква к Ос!и выходных импульсов от двух разли шых управляющих сипlалов, 3 зпа IT низкая надсжнОст! .

Цель изобретения — повышение надсжliOCTI1 МОДУЛ!1 i OP 2.

Поставленная цель достигается тем, что в прсдложс-шом модуляторе, сод ржащем первыи и вгорой транзпсторы одного ièïà проводимости, коллскторныс резисторы, конjlclIc3! op? i l.Î2;icIii op,.о-базовых iicpcKpcc1 ных связей и базовые резисторы смещения, база первого транзистора подключена к ба-:ñ второго транзистора через дополнительно ьгсденныс последовательно соединенные б перзый, второй и третий резисторы. Источник первого Входного сигнал2 подключен к базе первого транзистора и объединенным выводам второго и третьего резисторов, а источник второго входного сигнала

10 подключен к базе второго транзистора и объединенным выводам первого и второго резисторов.

На чертеже представлена электрическая схема модулятора.

?,-, Модулятор содержит транзисторы 1 и 2 одного типа проводимости, включенные по схеме с общим эмиттером, причем база первого транзистора 1 подключена к базе вгорого, транзистора 2 чсрсз последовательно соединенныс резисторы 3, 4 и 5.

Коллекгорныс резисторы 6 и 7 включены между коллекторами транзисторов 1 и 2

?! ш?Нlой пптаниЯ, 02зовые резисторы 8 и 9 с, ещения — между базами транзисторов 1

:1 2 и шиной пит!?нпя. Конденсатор 10 соед;.Иясг коллен ср 1. рвого транзистора с

0220й iiTcpOi О, 2 кондсlic2Top 11 — коллек?О„ игор Io с базо l Ii рвого.*Источник nep201 о входного спгнаг!а поДключен K базе

- срвого транзистора li оощсй точке резис712948!

1 !

Ь,т ;

Сосгавитель E. Борзов

Редактор E. Караулова Техред А. Камышникова Корректор Л. Орлова

Заказ 2780/9 Изд, ¹ 113 Тираж 995 Подписное

НПО «Г!оиск» Государстве;шого комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва )К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

В«jO ° е"

-Ф.

° б Ф ! торов 4 и 5, а источник второго входного сигнала — к базе второго транзистора 2 и общей точке резисторов 3 и 4.

Модулятор работает следующим образом. 5

При отсутствии входных сигналов напряжения перезаряда конденсаторов 10 и

11 равны между собой поэтому, с учетом симметрии схемы скважность выходных импульсов равна 0,5. Если алгебраическая 10 сумма входных сигналов не равна нулю, то напря>кения перезаряда конденсаторов

10 и 11 получают противоположные по знаку приращения, что приводит к изменению скважности выходных импульсов. Ес- 15 ли обеспечить условие Ri=R =R3%+Л7 оба входных сигнала действуют на скважность выходных импульсов одинаково.

Применение ШИМ модулятора в импульсных системах автоматического регулирования и управления позволит упростить техническую реализацию двухканального управления, уменьшить вес и габариты устройств и повысить их надежность.

Формула изобретения

Широтно-импульсный модулятор, содержащий первый и второй транзисторы одного типа проводимости, коллекторные резисторы, конденсаторы коллекторно-базовых перекрестных связей и базовые резисторы смещения, о Të è÷ à 1oùèéñÿ тем, что, с целью повышения надежности, база первого .рапзистора через дополнительно введенные последовательно соединенные первы!, второй и третий резисторы подключепа к базе второго транзистора, причем

i:ñòo÷Hèê первогс входного сигнала подкгпочен к базе первого транзистора и обьединснным выводам второго и третьего резисторов, а источник второго входного сигнала подключен к базе второго транзистора и объединенным выводам первого и второго резисторов.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Салыгпн В. А. и др. Электрифицированная система управления режимами работы турбореактивного двигателя.

РВВИАУ им. Я. Алкниса, Рига, 1975 r., с. 19 — 20.

2. Аскерко В. С. Техническая электроника и элементы авиационных автоматических устройств. Ч II, ВВИА им. 5Куковского, 1975 г., с. 175 †1 (прототип).