Способ изготовления дифракционных решеток рельефного типа на поверхности полупроводниковых материалов

Способ изготовления дифракционных решеток рельефного типа на поверхности полупроводниковых материалов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советсиин

Социапистическин

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Запвлеио 05.06.78 (2 I ) 2624219/18 10

I (51)M. Кл.

С 02 В 5/14 с присоединением заявки М "

Всудерственный каннтет

СССР ао делам нэебретеннй н отнрытнй (23)ПриоритетОпубликовано05.02.80. Бюллетень М 5 (53) УДК 535.421 (088.8) Дата опубликования описания 08,02.80 (72) Авторы изобретения

Ю. A. Быковский, В, Л. Смирнов и А. В. Шмапько (7l) 3asssTeas Московский ордена Трудового Красного Знамени инженерно физический институт (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИФРАКБИОННЫХ РЕШЕТОК

РЕЛЬЕФНОГО ТИПА HA ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

N АТЕРИАЛОВ

Изобретение относится к области ко герентной оптоапектроники, в частности . к ингеграпьной оптике, и может испопь » зовагься при изготовпении апементов и уздов интеграпьно-оптических схем и систем оптической обработки информации.

Известно несколько способов попучения дифракпионных решеток репьефйого типа на поверхности гонкоппеночных вопноводов дпя цепей интегральной оптики Г13, Решетчатые структуры, полученные этими способами, обычно имеют профипь, близкий к синусоидапьному. Дпя наготою пения дифракционных решеток со специапьным профилем, например наклонным, требуется сложная технопогия, вкпючающая попучение фоторезистивных масок на поверхности материала, осущесгвпение ионно-пучевого травления и друтие вспо могатепьные операции t 23 .

Наиболее близким техническим решением к предлагаемому является способ интерференционного фогогравпения поверхности попупроводниковых магериапов, с помощью которого дифракционные решетки рельеФного типа с синусоидапьным профипем получают s едином технопогическом цикпе L33

Однако известный способ не позвопяет получать дифракционные решетки с профипем, отличным от синусоидапьногс .

Цепью изобретения явпяется попучение штрихов с накпонным профипем.

Указанная цель достигается тем, что в процессе фототравпения вдоль поверхности полупроводника накпадывают епект. рическое поле в пределах от 10 до

10в в/см перпендикулярно направлению ингерференционных попос изпучения засвеэ ки.

Фогосепективное травпение поверхности полупроводника в присутствии апектрического попя приводит к дрейфу и перераспредепению неосновных носителей заряда, возникающих вбпизи поверхнос гного слоя при интерференционной его засветке.

Такое перераспределение неосновных но3 714 ситепей заряда вызывает изменение скорости растворения попупроводника в области засветки и приводит к изменению профиля травления дифракционной решетки. Причем угол наклона профиля получаемых решетчатых структур можно регулировать за счет задания величины прикпадываемого электрического поля.

Предложенным способом получены дифракционные решетки рельефного типа с, наклонным профилем на поверхности полу проводниковых тонкопленочных волноводов.

Угол наклона профиля решетчатых структур, отсчитанный от нормали к поверхности, составляет от 46 до 75 при измене- нии величины прикладываемого электрического поля от 10 до 10 в/см соответ J ственно и зависит от степени легирования попупроводника.

Применение предлагаемого способа из- gg готовпения дифракционных решеток рельефного типа с наклонным профилем обеспечивает возможность изготовления в еди/ ном технологическом цикле различных высокоэффективных элементов и устройств 25

331 . 4 направленного действия для интегральнооптических схем.

Формула изобретения

Способ изготовления дифрвкционных решеток рельефного типа на поверхности полупроводниковых материалов путем интерференциального фото травления поверхности попупроводника, о т и и ч а ю— шийся тем, что, с цепью получения штрихов с наклонным профилем, в процессе фототравления вдоль поверхности попупроводника накладывают электрическое попе 10 -: 10 в/см перпендикулярно направлению интерферендиапьных полос излучения засветки.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1, 1ЕЕЕ, 23, 1975, р. 2.

2. APPtied РЙУ331с, 29, 1976, Р. 303.

3. ЖТФ, 46, 1976, с. 505 (прототип).

Состав итель В. Нанторин

Редактор О. Филиппова Техред . 3. Фанта Корректор Е, Папп

Заказ 9283/43 Тираж 569 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, г. Ужтород, ул. Проектная, 4