Устройство для измерения статических параметров цифровых интегральных микросхем

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 11.01,77 (21) 2442133/18-21 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 28.02.80. Бюллетень № 8 (45) Дата опубликования описания 28.02.80 (51) М. К„.

G 01R 31/28

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 621.317.79 (088.8) (72) Автор изобретения

И. П. Музанов

Московский институт электронного машиностроения (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ СТАТИЧЕСКИХ

ПАРАМЕТРОВ ЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может использоваться для контроля статических параметров цифровых интегральных микросхем.

Известны установки для проверки циф- 5 ровых интегральных микросхем, содержащие программное устройство, блок управления, программируемый источник питания, блок входных воздействий, входной и выходной коммутаторы, формирователь сиг- 1О налов, блок эквивалентных нагрузок, блок классификации, логический анализатор, компаратор, блок опорных напряжений, цифровой вольтметр и цифропечатающее устройство. 15

Недостаток известных устройств — ограниченная область применения.

Известно полуавтоматическое устройство для испытания транзисторных инверторов, 20 содержащее канал проверки амплитудной характеристики, состоящий из внешнего генератора импульсов, формирователя пилообразного напряжения, выход которого соединен с входами двух инверторов-шаблонов 25 и через переключатель каналов с входом испытуемого инвертора, а также транзисторные ключи и осциллограф.

Недостаток известного устройства — невозможность получения на экране осцилло- 30 графа обращенной передаточной характеристики испытуемой микросхемы.

Цель изобретения — получение изображения обращенной передаточной хар актеристики испытуемой микросхемы.

Это достигается тем, что в устройство для измерения статических параметров цифровых интегральных микросхем, содержащее задающий генератор импульсов, соединенный через формирователь пилообразного напряжения с входными зажимами испытуемой микросхемы, и осциллограф, введены двухканальный коммутатор, управляемый генератор смещения и эквивалент нагрузки, при этом выходные зажимы испытуемой микросхемы одновременно соединены с эквивалентом нагрузки и первым входом двухканального коммутатора, к второму входу которого подключены входные зажимы испытуемой микросхемы, а к выходу задающего генератора импульсов подсоединены управляющий вход двухканального коммутатора и управляемого генератора смещения, выходы которых соединены с входами Х и Y осциллографа, На чертеже представлена структурная электрическая схема предлагаемого устройства.

Устройство содержит задающий генератор 1 импульсов, формирователь 2 пило718813

Составитель А. Рассмотров

Редактор Е. Караулова

Корректор 3. Тарасова образного напряжения, испытуемую микросхему 3, двухканальный коммутатор 4, ос- циллограф 5, управляемый генератор 6 смещения, блок 7 гашения обратного хода луча и эквивалент 8 нагрузки.

Устройство работает следующим образом.

Генератор 1 синхронизирует работу всех блоков устройства. Пилообразное напряжение с выхода формирователя 2 подается на вход испытуемой микросхемы 3 и одновременно через коммутатор 4 — на вход Х осциллографа 5, который работает в режиме внешней развертки. На вход Y осциллографа через коммутатор 4 подается напряжение с выхода испытуемой микросхемы 3. При этом получают изображение передаточной характеристики испытуемой микросхемы. Для получения ее обращенной передаточной характеристики служит коммутатор 4, При частоте переключения коммутатора более 50 раз в секунду глаз человека в силу его инерционных свойств не успевает заметить этого, и на экране осциллографа видны обе передаточные характеристики одновременно. Наличие трех точек пересечения этих характеристик свидетельствует о работоспособности испытуемой схемы в цепи логических схем, абсциссы этих точек соответствуют напряжению логического нуля, логической единицы и напряжению переключения. При смещении обращенной передаточной характеристики вдоль оси единичного наклона до касания с основной передаточной характеристикой точки касания соответствуют пороговым напряжениям логического нуля и единицы, а проекция величины смещения на ось абсцисс соответствует запасу статической помехоустойчивости испытуемой схемы.

Для смещения обращенной передаточной характеристики вдоль линии единичного наклона сигнал с выхода генератора 6 поступает одновременно на входы Х и Y осциллографа 5 во время высвечивания обращенной передаточной характеристики, Величина смещения пропорциональна напряжению на выходе генератора 6. Для гашения луча во время обратного хода луча сигнал с выхода блока 7 подается на вход

Z осциллогр а ф а 5.

Для нормальной работы устройства напряжение на выходе формирователя 2 должно линейно изменяться от нуля до величины, немного большей, чем напряжение логической единицы испытуемой микросхемы. Or.ðåäåëåíèå всех параметров производится визуально по масштабной сетке на экране осциллографа.

Формула изобретения

20 Устройство для измерения статических параметров цифровых интегральных микросхем, содержащее задающий генератор импульсов, соединенный через формирователь пилообразного напряжения с входными за25 жимами испытуемой микросхемы, и осциллограф, отличающееся тем, что, с целью получения изображения обращенной передаточной характеристики испытуемой микросхемы, в него введены двухканальный

30 коммутатор, управляемый генератор смещения и эквивалент нагрузки, при этом выходные зажимы испытуемой микросхемы одновременно соединены с эквивалентом нагрузки и первым входом двухканального

35 коммутатора, к второму входу которого подключены входные зажимы испытуемой микросхемы, а к выходу задающс; о генератора импульсов подсоединены управляющий вход двухканального коммутатора и 0 управляемого генератора смещения, выходы которых соединены с входами Х и У осциллографа.

Заказ 2918/15 Изд. № 173

Тираж 1033 Подписное

НПО «Поиск» Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр, Сапунова, 2