Устройство для контроля мощности сверхвысокочастотного излучения
Патент 720366
Авторы
Устройство для контроля мощности сверхвысокочастотного излучения
Иллюстрации
Реферат
Союз Советских
Соцнвпистическкх
Республик ()720366 (62) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 25.03.77 (21) 2467480/18 09 с присоединением заявки 3%в (23) П риоритет—
Опубликовано 05.03.80. Бюллетень Рй 9
Дата опубликования описания 07.03,80 (5l)M. Кл.
O 01 К 21/04Ц
G 01 R 29/08
Воударстааииьй конитет
СССР (53) УДК 621.317 (088.8) вв делан изобретений и открытий
Т. Г. Иванова, B. Ф. Конурин, Ю. В. Никандров и Г. М., Орлов (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ МОШНОСТИ
СВЕРХВЫСОКОЧАСТ ОТН ОГО ИЗЛУЧЕ НИ Я
Изобретение относится к технике измерений на сверхвысоких частотах.
Известно устройство для контроля мощности сверхвысокочастотногс излучения, содержащее датчик, подключенный к измерителю с усилителем на входе (1)
Однако известное устройство не обеспечивает высокую точность измерений.
Iles. изобретения — повышение точности измерений, Для этрго в устройстве для контроля мощности сверхвысокочастотного излучения, содержащем датчик, подключенный к измерителю с усилителем на входе, !
5 датчик выполнен в виде размещенного в радиопрозрачном корпусе планарно-эпитаксиального транзистора, плоскости переходов которого ориентированы перпендикулярно относительно электрической составляющей контролируемого сверхвысокочастотного излуче ния, планар но-эпитаксиальн. и транзистор включен по схеме усилителя с .общим эмиттером, em база включена в цепь обратной связи, а коллектор — к входу усилителя измерителя.
На чертеже приведена схема устройст ва.
Устройство для контроля мощности сверхвысокочастотного излучения, содержит датчик, подключенный к измерителю
1 с усилителем 2 на входе, выполненный в виде размещенного в радиопрозрачном корпусе планарно-эпитаксиального транзистора 3, плоскости переходов которого ориентированы,перпендикулярно относительно электрической составляющей контролируемого сверхвысокочастотного излуче|щя, при этом планарно-эпитаксиальный транзистор 3 включен по схеме усилителя с общим эмиттером, его база включена в цепь обратной связи, а коллектор—
- входу усилителя 2 измерителя 1.
Устройство работает следующим о6разо м.
При действии электромагнитного СВЧ поля на плоскости переходов транзистора
3 его основные носители заряда ориенти720
366
1
I (1
)
1 з руются таким образом, что в направлении напряженности электрического СБЧ поля возникает ЗДС, величина которой определяетсч огибающей СВЧ поля. Зта ЗДС затем детектируется и усиливается транзистором 3. С коллектора транзистора 3, включенного по схеме усилителя с общим эмиттером, снимается импульс, который попадает на усилитель 2 измерителя 1. За счет отрицательной обратной связи, которая подается с выхода усилителя 2 измерителя 1 на базу транзистора 3, удается получить высокую температурную стабильность устройства контроля.
Устройство обеспечивает измерение мощности СВЧ в диапазоне от десятков мВт до десятков кВт и практически не искажает огибающую гзмеряемого импульса (максимальная погрешность измерения не превышает 2 дБ).
Формула изобретения
1, Устройство для контроля мощности сверхвысокочастотного излучения, содерЦНИИПИ Заказ 333/16
Тираж 1019 Подписное
Филиал ППП "Патент",. г. Ужгород, ул. Проектная„4 жащее датчик, подклю енный K измеритеI10 с усилителем на входе, о т л и ч аю щ е е с я тем, что, с целью повьппения точности, датчик выполнен в виде размещенного в радиогрозрачном корпусе планарно-эпитаксиального транзистора, плоскости переходов которого ориентированы перпендикулярно относительно электрической составляющей контролируемого сверхвысокочастотного излучения, 2. Устройство по и, 1, о т л и ч а ющ е е с я тем, что планарно-эпитаксиальный транзистор включен по схеме усилителя с общим эмиттером, его база включена в цепь обратной связи, а кол-: лектор — к входу усилителя измерителя.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1. Описание РЛС фирмы "Оесса Дод.о ", Вело Aaclav Ьimitea, 9, АаЬег Embankщей „во!Д4)п, 5E пю. б9 Дцп /О