Способ получения маскирующего покрытия фотошаблона

Способ получения маскирующего покрытия фотошаблона

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОПИ

ИЗОБ

К АВТОРСК

1723797 (61) Дополнительи (22) Заявлено 22Л с присоединением (23) Приоритет

Опубликовано

51)pA Kaг

С 23 С 13/00

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий

53) УДК 621.793.6 (088. 8) Дата опублик (72) Авторы из обретен и я

В. П. Чернухин, Г.Л.Овдин и Б. С . Накрышский (71) Заявитель (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МАСКИРУЮЩЕГО ПОКРЫТИЯ

ФОТОШАБЛОНА

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении фотошаблонов, В современной микроэлектронике широкое распространение получили металлизированные фотошаблоны, для которых в качестве маскирующего покрытия используют пленку на основе хрома.

Известен способ получения хромовых пленок термическим испарением гранулированного хрома в вакууме (1), Однако этот способ несовершенен изо за однократного использования дозы испаряемого хрома, возможности ее загрязнения, отсутствия постоянства. скорости испарения в течение процесса, невоспроиэводимость скорости испарения при подаче на испаритель одной и той же мощности.

Кроме того, полученные этим способом пленки имеют большое количество видимых дефектов, что приводит к снижению качества фотошаблонов. Удовлетворительное качество пленки получается при двухслойном напылении и большой толщине, но это лишает возможности использовать ее при изготовлении фотошаблонов с высоким разрешением, пленки имеют низкую стойкость к истиранию.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности является способ получения маскирующего покрытия фотошаблона путем ионно-плазменного распыления хромовой мишени (2).

Маскирующее покрытие, полученное этим способом, имеет плотность пленки выше, чем в пленках, полученных другим известным способом. Однако при используемьгс скоростях распыления образуется пленка с крулнокристаллической структурой, а значит со значительной дефектностью и недостаточной стойкостью к царапинам и истиранию, поэтому испольэовать такие пленки для изготовления фотошаблонов не представляется возможным.

Целью изобретения является снижение дефектности фотошаблона, повышение его разрешающей способности и износостойкости.

Достигается это тем, что в способе получения Маскирующего покрытия фотошаблона путем ионно-плазменного распыления хромовой мишени распыление хрома проводят со скоростью 2,55 нм/сек при ускоряющем напряжении на мишени 3 5-5 кВ.

В процессе изготовления фотошаблонов с минимальной шириной линии

° ВВ, ° е .

1 чф„, эФ ° ЕЬ

3 ° > p, ф2119

А4

° ° ф .« фв ф » еФ ° е уа 1

1 мкм на установке УРМЗ.279.014 на цу толщины, увеличению плотности стеклянные подложки размером 70х70мм хрома в пленке и к увеличению связи ионно-плазменным распылением наносят пленки хрома с подложкой, пленку хрома толщиной 0,04-0,045 мкм. Таким образом, полученное маскиПо предлагаемому способу задается рующее покрытие при малой толщине режим осаждения: ускоряющее напряже- 5 пленки имеет достаточную оптическую ние на мишени 4+0,1 кВ, плотность плотность, высокую стойкость к цараВЧ мощности на мишени 25 Вт/cM, cKo- пинам и истиранию и малую дефекта рость осаждения хрома 5+0,5 нм/сек. ность, что позволяет снизить дефектВремя осаждения 15 сек. ность и повысить разрешающую способПолученная пленка имеет следующие g .ность и износостойкость фотошаблона. параметры.

Толщина 0,04 мкмжд

Оптическая Формула изобретения плотность

Плотность

2 ед.ГОСТа;

95% от плотности объемного материала1

-t Ы1 не более 0,15 см

Составитель Л,Беспалова

Техред Н.Бабурка Корректор М.Вигула

Редактор Е.Гончар

Заказ 457/44 Тираж 1074 Подписное

ЦНИИЛИ Госудаоственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, М-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП Патент, г.ужгород, ул,Проектная,4

Размер кристаллов 0,025+0,01 мкмжд

Плотность дефектов

Усилие процарапывания 500-600 Г, Увеличение скорости распыления хрома обеспечивает получение пленки с мелкокристаллической структурой, 25 обладающей меньшей дефектностью по сравнению с пленкой, полученной известным способом, Увеличение ускоряющего напряжения на мишени увеличивает энергию конденсации атомов ЗО хрома, что приводит к увеличению оп= тической плотности пленки на единиСпособ. получения маскирующего покрытия фотошаблона путем ионно-плазменного распыления хромовой мишени, отличающийся тем, что, с целью снижения дефектности фотошаблона, повышения его разрешающей способности и .износостойкости, распыление хрома проводят со скоростью

2 5-5 нм/сек при ускоряющем напряжении на мишени 3,5-5 кВ.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Данилин Б.С. Вакуумная техника в производстве интегральных схем.

N., Энергия,. 1972.

2. Микроэлектроника, вып.l (41) серия 3, Металлические пленки в полупроводниковом производстве,: М., 1975 (прототип) .