Генератор импульсов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И-C А Н И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Реслублик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 021078 (21) 2668644/18-21 (51)М. Кл. с присоединением заявки М

Н 03 К 3/335

Государственный комитет

СССР но делам изобретений и открытий (23) Приоритет—

Опубликовано 300380. Бюллетень М 12 (53) УДК,621,374.5 (088.8) Дата опубликования описания 30.0380 (72) Авторы изобретения

В.Ф.Берлов, К.A.Íåðóø и E.Ê.Ëóêüÿíoâ (71) Заявитель (54) ГЕНЕРАТОР ИМПУЛЬСОВ

Изобретение относится к импульсной .технике и может быть применено в устройствах автоматики и системах фазо-импульсного управления.

Известен генератор импульсов на однопереходном и биполярном тран- зисторе (1).

Однако этот генератор не обеспечивает регулировки момента формирования выходных импульсов во всем периоде тактовых импульсов (импульсы, управляющие началом заряда времязадающей емкости) .

Цель изобретения — получение регулировки момента формирования выходных15 импульсов во всем периоде тактовых импульсов.

Для достижения укаэанной цели в генератор импульсов на однопереходном и биполярном транзисторе, эмиттер20 которого соединен с общей шиной, а коллектор через резистор — с шиной источника питания, а через диодс эмиттером однопереходного транзистора, первая база которого через резистор соединена с общей шиной, которая соединена с одной обкладкой времязадающего конденсатора, введены эле мент памяти и стабилитрон, анод которого соединен с другой обкладкой 3Q времязадающего конденсатора, а катодс эмиттером однопереходного транзистора, вторая база которого через регулирующий резистор соединена с шиной и"точника питания, а первая база с одним из входов эпемента памяти, другой вход которого соединен с шиной тактовых импульсов, а выход — с базой биполярного транзистора.

На чертеже представлена принципиальная схема генератора.

Генератор импульсов содержит однопереходный транзистор 1, времязадающие резистор 2 и конденсатор 3, биполярный транзистор 4 типа и — р-п, эмиттер которого соединен с .обшей шиной источника питания, диод 5 в проводящем направлении относительно тока источника питания, анод которого соединен с времязадающим резистором 2 и коллектором биполярного транзистора 4, а катод — с эмиттером однопереходного транзистора 1, стабилитрон 6, катод которого подключен к катоду диода 5 и эмиттеру однопереходного транзистора 1, а анод— к времязадающему конденсатору 3, элемент 7 памяти, например триггер, выхсд которого соединен с базой биполярного транзистора 4, первый

725205 вход соединен с генератором 8 тактовых импульсов, а второй — с первой базой однопереходного транзистора 1 и резистором 9 нагрузки, переменный резистор 10, подключенный крайними выводами к источнику 11 питания, а средним выводом — ко второй базе однопереходного транзистора 1.

Вторая обкладка конденсатора 3 и второй вывод резистора 9 нагрузки соединены с общей шиной.

Генератор импульсов работает .следующим образом.

В исходном состоянии однопереходный транзистор 1 и биполярный тран. зистор 4 закрыты. При включении источника 11 питания зажигаетСя стабилитрон б и происходит заряд конденсатора 3 по цепи: источник 11 питания, времязадающий резистор 2, диод

5, стабилитрон б, конденсатор 3, общая шина. Таким образом, в первоначальный момент времени присутствует напряжение на эмиттере однопереходного транзистора 1, равное,напряжению стабилизации стабилитрона б, По мере заряда конденсатора 3 потенциал эмиттера однопереходного транзистора

1 повышается и при достижении им ве -личины напряжения включения, однопереходный транзистор 1 лавинно вклюс чается. Конденсатор 3 начинает разряжаться через стабилитрон б и эмитте ную цепь транзистора 1 на резистор 9 нагрузки. На резисторе 9 образуется положительный импульс, который поступает на выход и на второй вход элемента 7 памяти, например триггер.

Триггер опрокидывается в другое устойчивое состояние, при котором открывается биполярный транзистор 4.

Напряжение на коллекторе транзистора 4 близко к нулю. Такое же напряжение на аноде диода 5. Напряжение на катоде этого диода положительно и равно напряжению на эмиттере транзистора 1. Поэтому диод 5 запирается. Зарядный ток теперь замыкается через транзистор 4. По мере разряда конденсатора 3 эмиттерный ток убывает, и транзистор 1 выключается, Транзистор 4 находится в открытом состоянии до прихода на первый вход элемента 7 памяти тактового импульса, опрокидывающего триггер, после чего транзистор

4 запирается ° Процесс в генераторе повторяется. При изменении напряжения на второй базе транзистора 1 с помощью резистора 10 можно изменять порог его срабатывания и тем самым изменять момент времени формирования выходных импульсов относительно тактового. При уменьшении напряжения на второй базе транзистора 1 время задержки формируемых импульсов уменьшается. Когда напряжение на эмиттере транзистора

1 достигнет значения П = Б т = КПв,, где П Г вЂ . напряжение стабилизации стабилитрона б, К вЂ” коэффициент передачи однопереходного транзистора, U6 — напряжение на второй базе, момент формирования выходного импульса будет соответствовать тактовому импульсу.

Стабилитрон выбирается на напря2Р жение стабилизации не менее требуемой величины амплитуды напряжения выходных импульсов.

Формула изобретения

Генератор импульсов на однонере25 ходном и биполярном транзисторе эмиттер которого соединен с общей шиной, а коллектор через реэисторс шиной источника питания, а через диод - с эмиттером однопереходного транзистора, первая база которого р-ЗО через резистор соединена с общей шиной, которая соединена с одной обкладкой времязадающего конденсатора, отличающий с я тем, что, с целью получения регулировки момента формирования выходных импульсов во всем периоде тактовых импульсов, в него введены элемент памяти и стабилитрон, анод которого соединен с другой обкладкой времязадаю40 щего конденсатора, а-катод — с эмиттером однопереходного транзистора, вторая база которого через регулирующий резистор соединена с шиной источника питания, а первая база— с одним из входов элемента памяти, другой вход которого соединен с шиной тактовых импульсов, а выход— с базой биполярного транзистора.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

50 1. Авторское свидетельство СССР

9488325, кл. Н 03 К 3/335; 18.12.73 (прототйп) .

725205

Составитель В. Бугров

Техред H.Áàáóðêà Корректор Т.Скворцова

Редактор С.Патрушева

Филиал ППП Патент, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Ээказ 826/12 Тираж 995 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5